用于集成電路圖案化的方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及用于集成電路圖案化的方法。
【背景技術(shù)】
[0002]半導(dǎo)體集成電路(IC)工業(yè)經(jīng)歷了指數(shù)式發(fā)展。IC材料和設(shè)計中的技術(shù)進步已產(chǎn)生了數(shù)代1C，其中，每代IC都比前一 IC具有更小且更復(fù)雜的電路。在IC演變過程中，功能密度(即，每芯片面積上互連器件的數(shù)量)通常都已增加，而幾何尺寸(即，可使用制造工藝可以創(chuàng)建的最小組件(或線))卻已減小。這種按比例縮小工藝通常通過增加成產(chǎn)效率和降低相關(guān)成本而提供益處。這些按比例縮小也增加了處理和制造IC的復(fù)雜性，并且為了實現(xiàn)這些進步，需要IC處理和制造中的類似發(fā)展。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]為了解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的問題，根據(jù)本發(fā)明的一個方面，提供了一種形成用于集成電路的目標圖案的方法，所述方法包括:利用第一掩模在襯底上方形成多條線；在所述襯底上方、所述多條線上方和所述多條線的側(cè)壁上形成第一間隔件層；去除所述第一間隔件層的至少一部分以暴露所述多條線；去除所述多條線從而在所述襯底上方提供圖案化的第一間隔件層；在所述襯底上方、所述圖案化的第一間隔件層上方和所述圖案化的第一間隔件層的側(cè)壁上形成第二間隔件層；以及利用第二掩模在所述第二間隔件層上方形成圖案化的材料層，從而所述圖案化的材料層和所述第二間隔件層共同地限定多個溝槽。
[0004]在上述方法中，還包括:將所述多個溝槽轉(zhuǎn)印至所述襯底。
[0005]在上述方法中，還包括:穿過所述多個溝槽的開口蝕刻所述第二間隔件層以暴露所述襯底；穿過所述多個溝槽的開口蝕刻所述襯底；以及在蝕刻后，去除所述第一間隔件層、所述第二間隔件層和所述圖案化的材料層。
[0006]在上述方法中，形成所述多條線包括:在所述襯底上方形成光刻膠層；以及利用所述第一掩模圖案化所述光刻膠層。
[0007]在上述方法中，形成所述多條線包括:在所述襯底上方形成硬掩模層；在所述硬掩模層上方形成光刻膠層；利用所述第一掩模圖案化所述光刻膠層；將所述圖案化的光刻膠層用作蝕刻掩模蝕刻所述硬掩模層；以及之后去除所述圖案化的光刻膠層。
[0008]在上述方法中，形成所述第一間隔件層和所述第二間隔件層包括沉積。
[0009]在上述方法中，形成所述圖案化的材料層包括:在所述第二間隔件層上方形成第一材料層；在所述第一材料層和所述第二間隔件層上方形成第二材料層；利用所述第二掩模圖案化所述第二材料層；將所述圖案化的第二材料層用作蝕刻掩模蝕刻所述第一材料層；以及之后去除所述圖案化的第二材料層。
[0010]在上述方法中，還包括:回蝕刻所述第一材料層從而在形成所述第二材料層之前暴露所述第二間隔件層。
[0011]在上述方法中，圖案化所述第二材料層使用光刻工藝，包括:在所述第二材料層上方形成光刻膠層；利用所述第二掩模圖案化所述光刻膠層；將所述圖案化的光刻膠層用作蝕刻掩模蝕刻所述第二材料層；以及之后去除所述圖案化的光刻膠層。
[0012]在上述方法中，蝕刻所述第一材料層包括選擇性地調(diào)整為使用所述圖案化的第二材料層作為蝕刻掩模來去除所述第一材料層而保留所述第二間隔件層的工藝。
[0013]在上述方法中，去除所述第一間隔件層的至少一部分包括各向異性蝕刻工藝。
[0014]在上述方法中，去除所述多條線包括等離子體蝕刻工藝。
[0015]在上述方法中，所述多個溝槽的至少一個的尺寸由所述第一掩模的圖案間隔和位于所述多條線的側(cè)壁上方的所述第一間隔件層和所述第二間隔件層的厚度至少部分地限定。
[0016]根據(jù)本發(fā)明的另一方面，還提供了一種方法，包括:在襯底上方形成線，所述襯底具有多個硬掩模層；在所述襯底上方、所述線上方和所述線的側(cè)壁上將第一材料沉積至第一厚度；去除所述線從而在所述襯底上方提供圖案化的第一材料；在所述襯底上方、所述圖案化的第一材料上方和所述圖案化的第一材料的側(cè)壁上將第二材料沉積至第二厚度；在所述第二材料上方沉積第三材料；以及圖案化所述第二材料和所述第三材料以形成溝槽。
[0017]在上述方法中，還包括，在沉積所述第一材料之前:將所述線轉(zhuǎn)印至所述硬掩模層中的一個。
[0018]在上述方法中，還包括，在所述去除所述線之前，去除所述第一材料的至少一部分以暴露所述線。
[0019]在上述方法中，還包括，穿過所述溝槽的開口蝕刻所述襯底。
[0020]根據(jù)本發(fā)明的又一方面，還提供了一種形成用于集成電路的目標圖案的方法，所述方法包括:將所述目標圖案分解到至少第一掩模和第二掩模，所述第一掩模具有第一掩模圖案，所述第二掩模具有第二掩模圖案，其中，所述第一掩模圖案的至少一部分與所述第二掩模圖案的至少一部分重疊；利用所述第一掩模圖案化襯底從而形成多個第一部件；在所述襯底上方、所述多個第一部件上方和所述多個第一部件的側(cè)壁上形成第一間隔件層；部分地去除所述第一間隔件層以暴露所述襯底和所述多個第一部件；去除所述多個第一部件；在所述襯底上方、所述第一間隔件層上方和所述第一間隔件層的側(cè)壁上形成第二間隔件層；在所述第二間隔件層上方形成第一材料層；以及利用所述第二掩模圖案化所述第一材料層，其中，所述第二間隔件層和所述圖案化的第一材料層共同地限定多個第二部件。
[0021]在上述方法中，還包括:在圖案化所述第一材料層之前回蝕刻所述第一材料層以暴露所述第二間隔件層。
[0022]在上述方法中，還包括:將所述多個第二部件轉(zhuǎn)印至所述襯底；以及之后去除所述圖案化的第一材料層及所述第一間隔件層和所述第二間隔件層。
【附圖說明】
[0023]當(dāng)結(jié)合附圖進行閱讀時，根據(jù)下面詳細的描述可以更好地理解本發(fā)明的各方面。應(yīng)該注意，根據(jù)工業(yè)中的標準實踐，各種部件沒有被按比例繪制。實際上，為了清楚的討論，各種部件的尺寸可以被任意增加或減少。
[0024]圖1是在襯底上形成目標圖案或器件以實施本發(fā)明的一個或多個實施例的方法的流程圖。
[0025]圖2根據(jù)本發(fā)明的各個方面示出了示例性襯底和將形成在其上的目標圖案。
[0026]圖3a至圖14b是根據(jù)實施例的按照圖1的方法形成圖2的目標圖案的俯視圖和截面圖。
[0027]圖15示出了具有可根據(jù)本發(fā)明的各個方面進行調(diào)整的多種尺寸的最終圖案。
[0028]圖16a至圖17b是根據(jù)實施例的按照圖1的方法形成用于圖2的目標圖案的芯軸線的俯視圖和截面圖。
[0029]圖18a至圖18b是根據(jù)實施例的按照圖1的方法形成用于圖2的目標圖案的溝槽的俯視圖和截面圖。
【具體實施方式】
[0030]為了實現(xiàn)本發(fā)明的不同特征，以下描述提供了許多不同的實施例或?qū)嵗?。以下描述組件和布置的特定實例以簡化本公開。當(dāng)然，這些僅僅是實例并不打算限定。另外，本公開可能在各個實施例中重復(fù)參考標號和/或字符。這種重復(fù)只是為了簡化和清楚的目的且其本身并不指定所討論的各個實施例和/或結(jié)構(gòu)之間的關(guān)系。另外，在以下描述中于第二工藝之前執(zhí)行第一工藝可包括在第一工藝之后立即執(zhí)行第二工藝的實施例，并還可包括于第一和第二工藝之間執(zhí)行另外的工藝的實施例?？沙鲇诤喕颓宄哪康亩圆煌壤我饫L制各個部件。另外，在以下描述中第一部件形成在第二部件上方或第二部件上可包括第一和第二部件以直接接觸的方式形成的實施例，并且還可以包括形成在第一和第二部件之間形成額外部件以使第一和第二部件不直接接觸的實施例。
[0031]而且，為便于說明，諸如“在..?之下”、“下面”、“下部”、“在..?之上”、“上部”
等空間關(guān)系術(shù)語可在此用以描述如圖中所示的一個元件或部件與另一個元件或部件的關(guān)系。除了圖中所示的方位之外，空間相對術(shù)語旨在包括處于使用或操作狀態(tài)的器件的不同方位。例如，如果附圖中的器件被翻轉(zhuǎn)，則描述為在其他元件或部件“下面”或“之下”的元件將然后被定向為在其他元件或部件“之上”。因此，示例性術(shù)語“下面”可包含“在.??之上”和“下面”的方位。裝置可以