芯片5包括嵌入反射層3的上表面內(nèi)的襯底51。襯底51用于支撐芯片的其他部件。襯底51可由藍(lán)寶石、硅或碳化硅等硬質(zhì)絕緣材料制成。LED芯片5還包括間隔式設(shè)在襯底51的上表面上的N極導(dǎo)電層52和P極導(dǎo)電層53。N極導(dǎo)電層52和P極導(dǎo)電層53均可由鉻、鉑、金、鈦、鋁等金屬材料或其組合制成。N極導(dǎo)電層52和P極導(dǎo)電層53分別與貫穿襯底51的兩根導(dǎo)線6相連，使得極腳21和22內(nèi)的電子可分別傳遞到相應(yīng)的導(dǎo)電層。同時，為了防止兩極導(dǎo)電層之間存有電子移動，在N極導(dǎo)電層52和P極導(dǎo)電層53之間可設(shè)有絕緣層58。
[0029]根據(jù)本發(fā)明，LED芯片5還包括依次設(shè)置在N極導(dǎo)電層52上的外延層54和N型半導(dǎo)體層55，以及依次設(shè)置在P極導(dǎo)電層53上的透明導(dǎo)電層56和P型半導(dǎo)體層57。另外，LED芯片5還包括設(shè)在絕緣層58上的用于接觸N型半導(dǎo)體層55和P型半導(dǎo)體層57的發(fā)光層59。以上所述的LED芯片5的結(jié)構(gòu)簡單，制造容易，使用安全高效，并且非常適用于本發(fā)明的發(fā)光裝置10。其中，所述的外延層54、N型半導(dǎo)體層55、透明導(dǎo)電層56、P型半導(dǎo)體層57和絕緣層58以及發(fā)光層59均屬于本領(lǐng)域技術(shù)人員熟知的，在此不作詳細(xì)描述。
[0030]在一個實施例中，發(fā)光層59的上表面、N型半導(dǎo)體層55的上表面和P型半導(dǎo)體層57的上表面處于同一平面內(nèi)，而發(fā)光層59的下表面既不低于N型半導(dǎo)體層55的下表面，也不低于P型半導(dǎo)體層57的下表面。這種設(shè)置方式能夠促進(jìn)發(fā)光層59整體式發(fā)光，進(jìn)而充分利用發(fā)光層59。
[0031]在一個實施例中，在基板2的下表面上設(shè)有散熱機(jī)構(gòu)8。利用散熱機(jī)構(gòu)8的散熱能夠大幅度提高LED芯片5的使用壽命。本實施例為了更好地增強(qiáng)散熱效果，散熱機(jī)構(gòu)8選為翅片式散熱板，即包括貼合于基板2下表面上的散熱片8a以及間隔開地固定在散熱片8a的下表面上的多個翅片Sb (見圖2)。翅片Sb這要用于增加散熱面積，提高散熱片8a的散熱能力和散熱速度。
[0032]在一個實施例中，襯底51嵌入在反射層3內(nèi)，并且其上表面與反射層3的上表面相齊平。這樣設(shè)置的襯底51有利于制造生產(chǎn)，降低生產(chǎn)成本，同時還能夠?qū)ED芯片5的其他結(jié)構(gòu)置于熒光層4內(nèi)，避免發(fā)光層59落在反射層3內(nèi)后影響出光的亮度。
[0033]綜上可知，根據(jù)本發(fā)明的發(fā)光裝置10把導(dǎo)線6設(shè)置在LED芯片5的下方，并且也未在LED芯片5的上方設(shè)置端子，由此可以有效避免導(dǎo)線6和端子遮擋LED芯片5的光線，進(jìn)而可以提高本發(fā)明的發(fā)光裝置10的亮度和均勻性。
[0034]除根據(jù)本發(fā)明的第一方面所提供的發(fā)光裝置10外，本發(fā)明還提供了一種包括上述發(fā)光裝置10的背光模組。由于該背光模組使用了根據(jù)本發(fā)明的第一方面所述的發(fā)光裝置10，使得其既可以節(jié)能又具有可以較高的亮度，從而能為液晶面板提供充足的光源。
[0035]雖然已經(jīng)參考優(yōu)選實施例對本發(fā)明進(jìn)行了描述，但在不脫離本發(fā)明的范圍的情況下，可以對其進(jìn)行各種改進(jìn)并且可以用等效物替換其中的部件。尤其是，只要不存在結(jié)構(gòu)沖突，各個實施例中所提到的各項技術(shù)特征均可以任意方式組合起來。本發(fā)明并不局限于文中公開的特定實施例，而是包括落入權(quán)利要求的范圍內(nèi)的所有技術(shù)方案。
【主權(quán)項】
1.一種發(fā)光裝置，所述發(fā)光裝置包括: 具有第一和第二極腳的基板； 設(shè)置在所述基板的上表面上的反射層； 設(shè)置在所述反射層的上表面上的用于控制出光顏色的熒光層；以及 設(shè)置在反射層與熒光層之間的LED芯片，其中所述LED芯片通過兩根貫穿所述反射層的導(dǎo)線分別與所述第一和第二極腳相連。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，其特征在于，各所述導(dǎo)線均垂直所述LED芯片的下表面。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的發(fā)光裝置，其特征在于，所述LED芯片包括:嵌入所述反射層的上表面內(nèi)的襯底；間隔式設(shè)在所述襯底的上表面上的N極導(dǎo)電層和P極導(dǎo)電層，其中所述N極導(dǎo)電層和P極導(dǎo)電層分別與貫穿所述襯底的兩根所述導(dǎo)線相連；依次設(shè)置在所述N極導(dǎo)電層上的外延層和N型半導(dǎo)體層；依次設(shè)置在所述P極導(dǎo)電層上的透明導(dǎo)電層和P型半導(dǎo)體層；設(shè)置在所述N極導(dǎo)電層與P極導(dǎo)電層之間的絕緣層；以及設(shè)在所述絕緣層上方的用于接觸所述N型半導(dǎo)體層和P型半導(dǎo)體層的發(fā)光層。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的發(fā)光裝置，其特征在于，所述反射層和熒光層在所述襯底的上表面上的正投影均完全處于所述襯底的上表面內(nèi)。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的發(fā)光裝置，其特征在于，所述發(fā)光層的上表面、所述N型半導(dǎo)體層的上表面和所述P型半導(dǎo)體層的上表面處于同一平面內(nèi)，所述發(fā)光層的下表面既不低于所述N型半導(dǎo)體層的下表面，也不低于所述P型半導(dǎo)體層的下表面。
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的發(fā)光裝置，其特征在于，所述襯底嵌入在所述反射層內(nèi)，并且所述襯底的上表面與所述反射層的上表面相齊平。
7.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的發(fā)光裝置，其特征在于，在所述基板的下表面上設(shè)有散熱機(jī)構(gòu)。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的發(fā)光裝置，其特征在于，所述散熱機(jī)構(gòu)包括與所述基板的下表面相貼合的散熱片，以及間隔開地固定在所述散熱片的下表面上的多個翅片。
9.一種包括了根據(jù)權(quán)利要求1到8中任一項所述的發(fā)光裝置的背光模組。
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種發(fā)光裝置及背光模組，發(fā)光裝置包括：具有第一和第二極腳的基板；設(shè)置在基板的上表面上的反射層；設(shè)置在反射層的上表面上的熒光層；以及嵌入在反射層與熒光層之間的LED芯片。其中LED芯片通過兩根貫穿反射層的導(dǎo)線分別與第一和第二極腳相連。根據(jù)本發(fā)明的發(fā)光裝置能夠避免端子和導(dǎo)線遮擋LED芯片的光線，由此可以提高發(fā)光裝置的亮度和均勻性。
【IPC分類】H01L33-50, H01L33-48, H01L33-62, H01L33-60, H01L33-64
【公開號】CN104716252
【申請?zhí)枴緾N201510117069
【發(fā)明人】周革革
【申請人】深圳市華星光電技術(shù)有限公司, 武漢華星光電技術(shù)有限公司
【公開日】2015年6月17日
【申請日】2015年3月17日