第三實(shí)施例
[0070]在本發(fā)明的另一個實(shí)施例中，還提供了另外一種濕法刻蝕設(shè)備。本實(shí)施例濕法刻蝕設(shè)備與第二實(shí)施例的區(qū)別之處在于:由濕法刻蝕設(shè)備第一水洗單元SWRl的廢水排放管路引出一道管路給水箱供水。第一水洗單元SWRl水洗的流量較大，完全可以滿足此去結(jié)晶裝置去除草酸結(jié)晶的水量，多余的水量可以從水箱的頂部排出。
[0071]本實(shí)施例濕法刻蝕設(shè)備的其他工作原理與第二實(shí)施例相同，此處不再重述。
[0072]在通常情況下，第一水洗單元SWRl的廢水是直接排掉的。本實(shí)施例的優(yōu)點(diǎn)在于:去除結(jié)晶效果好，循環(huán)使用濕法刻蝕設(shè)備排放的廢水，無需消耗水資源，減少生產(chǎn)成本；缺點(diǎn)在于:結(jié)構(gòu)較復(fù)雜，設(shè)計(jì)成本較高。
[0073]從長期效益看，本發(fā)明推薦使用第三實(shí)施例。
[0074]需要說明的是，上述三個實(shí)施例均以草酸刻蝕溶液刻蝕ITO薄膜為例進(jìn)行說明，但本發(fā)明并不以此為限。刻蝕液還可以為其他的易于產(chǎn)生結(jié)晶的刻蝕液，例如:以hno3、CH3COOH或H3PO4為主要成分的，用于AL、MO、Ag、氧化物(如ΙΤ0、IGZO等)刻蝕的刻蝕液、以H2O2為主要成分的Cu刻蝕液等。在這種情況下，可以采用純水對刻蝕液結(jié)晶進(jìn)行清洗，也可以采用其他液體或在純水中增加相應(yīng)的效果增強(qiáng)成分，如NaOH，KOH等，視濕法刻蝕設(shè)備具體使用的刻蝕液情況而定。
[0075]此外，在刻蝕腔的前端，還可以是除前緩沖腔之外的其他腔室；同樣，在刻蝕腔的后端，還可以是除后緩沖腔之外的其他腔室，同樣能夠適用本發(fā)明。
[0076]至此，已經(jīng)結(jié)合附圖對本發(fā)明三個實(shí)施例進(jìn)行了詳細(xì)描述。依據(jù)以上描述，本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)對本發(fā)明濕法刻蝕設(shè)備有了清楚的認(rèn)識。
[0077]此外，上述對各元件和方法的定義并不僅限于實(shí)施例中提到的各種具體結(jié)構(gòu)、形狀或方式，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可對其進(jìn)行簡單地更改或替換，例如:除了上述實(shí)施例中的翻折類型的遮蔽門之外，其他類型的遮蔽門同樣能夠應(yīng)用于本發(fā)明，此外，遮蔽門的翻折角度可以根據(jù)需要進(jìn)行調(diào)整，而不嚴(yán)格局限于上文所述的90°。
[0078]綜上所述，本發(fā)明通過對刻蝕腔的刻蝕腔入口和刻蝕腔出口處增加噴淋管，可以用較低的成本有效去除在刻蝕腔入口、出口處產(chǎn)生的大量刻蝕液結(jié)晶，提高設(shè)備稼動率，潔凈度及產(chǎn)品質(zhì)量，具有較高的推廣應(yīng)用價值。
[0079]需要說明的是，在附圖或說明書描述中，相似或相同的部分都使用相同的圖號。附圖中未繪示或描述的實(shí)現(xiàn)方式，為所屬技術(shù)領(lǐng)域中普通技術(shù)人員所知的形式。另外，雖然本文可提供包含特定值的參數(shù)的示范，但應(yīng)了解，參數(shù)無需確切等于相應(yīng)的值，而是可在可接受的誤差容限或設(shè)計(jì)約束內(nèi)近似于相應(yīng)的值。實(shí)施例中提到的方向用語，例如“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”等，僅是參考附圖的方向。因此，使用的方向用語是用來說明并非用來限制本發(fā)明的保護(hù)范圍。
[0080]以上所述的具體實(shí)施例，對本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和有益效果進(jìn)行了進(jìn)一步詳細(xì)說明，所應(yīng)理解的是，以上所述僅為本發(fā)明的具體實(shí)施例而已，并不用于限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所做的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種濕法刻蝕設(shè)備，其特征在于，所述濕法刻蝕設(shè)備具有去除刻蝕腔外刻蝕液結(jié)晶的功能，其包括: 刻蝕腔，其內(nèi)部通過刻蝕液對基片上的待刻蝕薄膜進(jìn)行刻蝕，在其前端具有刻蝕腔入口，在其后端具有刻蝕腔出口； 噴淋管，設(shè)置于所述刻蝕腔入口和/或刻蝕腔出口的下方，該噴淋管可朝向上方噴射液體，以清洗在刻蝕腔入口和/或刻蝕腔出口處形成的刻蝕液結(jié)晶。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的濕法刻蝕設(shè)備，其特征在于，還包括: 相鄰腔，連接于所述刻蝕腔的前端或后端； 遮蔽門，為翻折類型的遮蔽門，通過一轉(zhuǎn)軸安裝于刻蝕腔入口或刻蝕腔出口，其在基片通過時打開，在其他時間關(guān)閉； 其中，所述噴淋管設(shè)置于處于打開狀態(tài)的遮蔽門的下方，以清洗在遮蔽門上形成的刻蝕液結(jié)晶。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的濕法刻蝕設(shè)備，其特征在于: 在閉合狀態(tài)下，所述遮蔽門與基片行進(jìn)的方向垂直，相鄰腔與刻蝕腔之間的刻蝕腔入口和/或刻蝕腔出口關(guān)閉； 在打開狀態(tài)下，所述遮蔽門朝向相鄰腔的方向翻折，相鄰腔與刻蝕腔之間的刻蝕腔入口和/或刻蝕腔出口打開。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的濕法刻蝕設(shè)備，其特征在于，所述噴淋管向上噴射液體的高度與處于打開狀態(tài)的遮蔽門平齊。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的濕法刻蝕設(shè)備，其特征在于: 所述噴淋管始終向向上噴射液體；或 所述遮蔽門處于打開狀態(tài)時，所述噴淋管向上噴射液體，所述遮蔽門處于閉合狀態(tài)時，所述噴淋管停止向上方噴射液體。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的濕法刻蝕設(shè)備，其特征在于，所述噴淋管包括: 噴淋管本體；以及 多組細(xì)孔，分布于所述噴淋管本體上且方向朝向上方的遮蔽門。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的濕法刻蝕設(shè)備，其特征在于，所述細(xì)孔的孔徑介于2mm?5mm之間。
8.根據(jù)權(quán)利要求2至5中任一項(xiàng)所述的濕法刻蝕設(shè)備，其特征在于，包括:兩個所述的相鄰腔和兩個所述的噴淋管；其中: 兩個相鄰腔為前緩沖腔和后緩沖腔，分別通過前遮蔽門和后遮蔽門與所述刻蝕腔相連通； 兩個噴淋管包括:前噴淋管，安裝于所述前緩沖腔內(nèi)，所述前遮蔽門的下方；后噴淋管，安裝于所述后緩沖腔內(nèi)，所述后遮蔽門的下方。
9.根據(jù)權(quán)利要求1至7中任一項(xiàng)所述的濕法刻蝕設(shè)備，所述刻蝕液為易于產(chǎn)生結(jié)晶的酸性刻蝕液，所述噴淋管噴射的液體為純水或堿性溶液。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的濕法刻蝕設(shè)備，其特征在于，所述易于產(chǎn)生結(jié)晶的酸性刻蝕液為草酸溶液、HNO3溶液、CH 3C00H溶液或H3PO4溶液。
11.根據(jù)權(quán)利要求1至7中任一項(xiàng)所述的濕法刻蝕設(shè)備，其特征在于，還包括: 供液管路，用于為所述噴淋管供給液體； 閥門，設(shè)置于所述供液管路與所述噴淋管之間，用于調(diào)節(jié)供液管路內(nèi)液體的壓力，進(jìn)而控制噴淋管噴射液體的高度。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的濕法刻蝕設(shè)備，其特征在于，所述供液管路與所述噴淋管之間設(shè)置有泵，該泵的控制信號與所述遮蔽門的控制信號一致: 遮蔽門打開時，泵同時打開，所述供液管路開始向噴淋管供給液體； 遮蔽門關(guān)閉時，泵同時關(guān)閉，所述供液管路停止向噴淋管供給液體。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的濕法刻蝕設(shè)備，其特征在于，所述供液管路連接至廠務(wù)純水管路或水箱。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的濕法刻蝕設(shè)備，其特征在于，所述供液管路連接至水箱，該水箱由廠務(wù)純水管路供水或由所述濕法刻蝕設(shè)備的水洗單元排放的廢水來供水。
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種濕法刻蝕設(shè)備。該濕法刻蝕設(shè)備具有去除刻蝕腔外刻蝕液結(jié)晶的功能，其包括：刻蝕腔，其內(nèi)部通過刻蝕液對基片上的待刻蝕薄膜進(jìn)行刻蝕，在其前端具有刻蝕腔入口，在其后端具有刻蝕腔出口；噴淋管，設(shè)置于所述刻蝕腔入口和/或刻蝕腔出口的下方，該噴淋管可朝向上方噴射液體，以清洗在刻蝕腔入口和/或刻蝕腔出口處形成的刻蝕液結(jié)晶。本發(fā)明通過噴淋管對刻蝕腔入口、刻蝕腔出口處進(jìn)行噴淋，可有效去除在刻蝕腔入口、刻蝕腔出口處產(chǎn)生的大量刻蝕液結(jié)晶，提高設(shè)備稼動率，潔凈度及產(chǎn)品質(zhì)量，解決了TFT基板制作工藝中的一大難題。
【IPC分類】H01L21-67
【公開號】CN104681471
【申請?zhí)枴緾N201510107896
【發(fā)明人】薛大鵬
【申請人】京東方科技集團(tuán)股份有限公司
【公開日】2015年6月3日
【申請日】2015年3月12日