一種改進(jìn)的NiCr合金濕法刻蝕工藝的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及金屬濕法刻蝕技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種改進(jìn)的NiCr合金濕法刻蝕工
-H-
O
【背景技術(shù)】
[0002]申請?zhí)枮?01010286212.2的中國專利提出了一種用于MEMS結(jié)構(gòu)制備的金屬濕法刻蝕裝置及刻蝕工藝，獲得了 6寸硅片內(nèi)均勻且過刻蝕較小的NiCr圖形。但是當(dāng)NiCr薄膜厚度較大時(shí)所獲得的NiCr圖形仍不理想:由于浸泡在NiCr刻蝕液時(shí)間較長，導(dǎo)致NiCr線條嚴(yán)重過刻，邊緣發(fā)毛；而片面均勻性也隨著腐蝕時(shí)間加長而下降，邊緣區(qū)域NiCr線條明顯較中間區(qū)域NiCr線條偏窄。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明所要解決的問題是如何提供一種改進(jìn)的NiCr合金濕法刻蝕工藝，解決濕法刻蝕較厚的NiCr時(shí)容易出現(xiàn)過刻蝕、邊緣發(fā)毛的問題。
[0004]本發(fā)明所提出的技術(shù)問題是這樣解決的:
光刻前采用化學(xué)或物理氣相沉積工藝在待刻蝕的NiCr合金薄膜上沉積一層不被NiCr刻蝕液刻蝕的薄膜，該薄膜在NiCr刻蝕過程中與光刻膠一道對NiCr薄膜形成良好的保護(hù)。
[0005]一種改進(jìn)的NiCr合金濕法刻蝕工藝，步驟如下:
①采用化學(xué)或物理氣相沉積工藝在基片上沉積待刻蝕NiCr薄膜；
②采用化學(xué)或物理氣相沉積工藝在待刻蝕的NiCr薄膜上沉積一層不被NiCr刻蝕液刻蝕的保護(hù)月吳；
③在保護(hù)膜上涂覆光刻膠，刻蝕光刻膠得到需要的光刻膠掩版；
④采用干法刻蝕工藝刻蝕保護(hù)膜上獲得與光刻膠掩版一致的圖形；
⑤刻蝕NiCr薄膜獲得所需的NiCr圖形；
⑥依次去除光刻膠和保護(hù)膜，得到最終所需的NiCr圖形。
[0006]進(jìn)一步地，所述保護(hù)膜為氮化硅薄膜。
[0007]進(jìn)一步地，氮化娃薄膜厚度為20_100nmo
[0008]本發(fā)明的有益效果:
在NiCr厚度較大時(shí)，采用以上改進(jìn)的NiCr合金濕法刻蝕工藝可獲得過刻較小，且均勻性良好的刻蝕圖形。
[0009]本發(fā)明中，保護(hù)膜與NiCr薄膜形成緊密的接觸，從而能防止產(chǎn)生過刻蝕，刻蝕的圖形邊緣清晰無毛邊，均勻性良好。
【附圖說明】
[0010]圖1為本發(fā)明的工藝流程示意圖；
圖2為采用本工藝刻蝕后的圖形； 圖3為只采用氮化硅保護(hù)刻蝕后的圖形；
圖4為傳統(tǒng)的只用光刻膠保護(hù)刻蝕后的圖形；
圖中附圖標(biāo)記為:1-硅片，2-NiCr薄膜，3-保護(hù)膜，4-光刻膠。
【具體實(shí)施方式】
實(shí)施例
[0011]下面結(jié)合實(shí)施例對本發(fā)明作進(jìn)一步描述:
1.采用磁控濺射工藝在6寸硅片I上制備120nm NiCr薄膜2。
[0012]2.采用等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積工藝制備50nm氮化硅保護(hù)膜3。圖1中a為以上兩步工藝后的不意圖。
[0013]3.涂覆光刻膠4，采用標(biāo)準(zhǔn)光刻工藝獲得如圖1中的b所示圖形。
[0014]4.采用反應(yīng)離子刻蝕工藝刻蝕氮化硅保護(hù)膜3后得到如圖1中的c所示圖形。
[0015]5.采用專利201010286212.2所述裝置和工藝刻蝕NiCr薄膜2，得到圖1中的d所示圖形。
[0016]6.采用標(biāo)準(zhǔn)去膠工藝去除光刻膠4 ;采用步驟4所述反應(yīng)離子刻蝕工藝去除氮化硅保護(hù)膜3，得到圖1中的e所示圖形。
[0017]7.依次采用丙酮、乙醇及去離子水對基片進(jìn)行超聲清洗。
[0018]至此工藝結(jié)束。
[0019]刻蝕完的圖形如圖2所示，采用光刻膠加氮化硅保護(hù)，過刻蝕很小，邊緣整齊。
[0020]圖3為采用只有50nm氮化硅保護(hù)刻蝕后的圖形，從圖中看出，雖然無發(fā)毛現(xiàn)象，但是過刻蝕仍然比較厲害，且邊緣呈鋸齒。
[0021]圖4為采用傳統(tǒng)的光刻膠保護(hù)后刻蝕的圖形，從圖中看出，過刻蝕嚴(yán)重，且邊緣發(fā)毛，均勻性差。
[0022]以上所述實(shí)施例僅表達(dá)了本申請的【具體實(shí)施方式】，其描述較為具體和詳細(xì)，但并不能因此而理解為對本申請保護(hù)范圍的限制。應(yīng)當(dāng)指出的是，對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本申請技術(shù)方案構(gòu)思的前提下，還可以做出若干變形和改進(jìn)，這些都屬于本申請的保護(hù)范圍。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種改進(jìn)的NiCr合金濕法刻蝕工藝，其特征在于，步驟如下: ①采用化學(xué)或物理氣相沉積工藝在基片上沉積待刻蝕NiCr薄膜； ②采用化學(xué)或物理氣相沉積工藝在待刻蝕的NiCr薄膜上沉積一層不被NiCr刻蝕液刻蝕的保護(hù)月吳； ③在保護(hù)膜上涂覆光刻膠，刻蝕光刻膠得到需要的光刻膠掩版； ④采用干法刻蝕工藝刻蝕保護(hù)膜上獲得與光刻膠掩版一致的圖形； ⑤刻蝕NiCr薄膜獲得所需的NiCr圖形； ⑥依次去除光刻膠和保護(hù)膜，得到最終所需的NiCr圖形。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種改進(jìn)的NiCr合金濕法刻蝕工藝，其特征在于，所述保護(hù)膜為氮化硅薄膜。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種改進(jìn)的NiCr合金濕法刻蝕工藝，其特征在于，氮化娃薄膜厚度為20-100nmo
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種改進(jìn)的NiCr合金濕法刻蝕工藝，步驟如下：①采用化學(xué)或物理氣相沉積工藝在基片上沉積待刻蝕NiCr薄膜；②采用化學(xué)或物理氣相沉積工藝在待刻蝕的NiCr薄膜上沉積一層不被NiCr刻蝕液刻蝕的保護(hù)膜；③在保護(hù)膜上涂覆光刻膠，刻蝕光刻膠得到需要的光刻膠掩版；④采用干法刻蝕工藝刻蝕保護(hù)膜上獲得與光刻膠掩版一致的圖形；⑤刻蝕NiCr薄膜獲得所需的NiCr圖形；⑥依次去除光刻膠和保護(hù)膜，得到最終所需的NiCr圖形。本發(fā)明中，保護(hù)膜與NiCr薄膜形成緊密的接觸，從而能防止產(chǎn)生過刻蝕，刻蝕的圖形邊緣清晰無毛邊，均勻性良好。
【IPC分類】C23F1/02
【公開號(hào)】CN105039984
【申請?zhí)枴緾N201510375495
【發(fā)明人】黎威志, 吳志明, 趙暉, 謝騫, 蔣亞東
【申請人】電子科技大學(xué)
【公開日】2015年11月11日
【申請日】2015年6月30日