W03/NPB/DCJTB/TAZ/Rb2C03: Ti02/Sr:MgCl2Al 的有機電致發(fā)光器件。
[0063]在玻璃基底磁控濺射陽極，材料為ΑΖ0，再進行光刻處理，剪裁成所需要的大小，依次用洗潔精，去離子水，超聲15min，去除玻璃表面的有機污染物；蒸鍍空穴注入層:材料為WO3,厚度為40nm ;蒸鍍空穴傳輸層:材料為NPB，厚度為45nm ;蒸鍍發(fā)光層:所選材料為DCJTB,厚度為8nm ;蒸鍍電子傳輸層，材料為TAZ，厚度為65nm ；電子注入層包括銣的化合物摻雜層和金屬摻雜層，采用電子束蒸鍍銣的化合物摻雜層，材料為Rb2CO3 = T12, Rb2CO3與T12的質(zhì)量比為10:1，二氧化鈦粒徑為20nm，厚度為20nm ;在所述銣的化合物摻雜層表面通過電子束方式制備金屬摻雜層，所述金屬摻雜層材料為Sr: MgCl2，Sr與MgCl2的質(zhì)量比為
0.1:1，厚度為10nm，蒸鍍陰極，材料為Al，厚度為80nm。
[0064]電子束蒸鍍方式的具體工藝條件為:工作壓強為2X 10_3Pa，能量密度為50W/cm2，有機材料的蒸鍍速率為lnm/s,金屬及金屬化合物的蒸鍍速率為10nm/s ；
[0065]磁控濺射工藝條件:工作壓強為2 X 10?,蒸鍍速率為lnm/s，磁控濺射的加速電壓為300V，磁場為50G，功率密度為40W/cm2。
[0066]實施例3
[0067]本實施例制備的結(jié)構(gòu)為IZ0/V205/NPB/ADN/TAZ/RbCl: Ti02/Ca:Mg0/Au 的有機電致發(fā)光器件。
[0068]在玻璃基底磁控濺射陽極，材料為IZO，再進行光刻處理，剪裁成所需要的大小，依次用洗潔精，去離子水，超聲15min，去除玻璃表面的有機污染物；蒸鍍空穴注入層:材料為V2O5,厚度為20nm ;蒸鍍空穴傳輸層:材料為NPB，厚度為60nm ;蒸鍍發(fā)光層:所選材料為ADN，厚度為1nm ;蒸鍍電子傳輸層，材料為TAZ，厚度為200nm ;電子注入層包括銣的化合物摻雜層和金屬摻雜層，采用電子束蒸鍍銣的化合物摻雜層，材料為RbCl = T12, RbCl與T12的質(zhì)量比為30:1，二氧化鈦粒徑為200nm，厚度為5nm ;在所述銣的化合物摻雜層表面通過電子束方式制備金屬摻雜層，所述金屬摻雜層材料為Ca:MgO，Ca與MgO的質(zhì)量比為2:1，厚度為50nm，蒸鍍陰極，材料為Au，厚度為lOOnm。
[0069]電子束蒸鍍方式的具體工藝條件為:工作壓強為5X 10_5Pa，能量密度為10W/cm2,有機材料的蒸鍍速率為0.lnm/s,金屬及金屬化合物的蒸鍍速率為lnm/s ；
[0070]磁控濺射工藝條件:工作壓強為2 X 10?,蒸鍍速率為lnm/s，磁控濺射的加速電壓為800V，磁場為200G，功率密度為lW/cm2。
[0071]實施例4
[0072]本實施例制備的結(jié)構(gòu)為IZ0/Mo03/TAPC/BCzVBi/TPBi/RbN03:Ti02/Yb:MgS/Pt 的有機電致發(fā)光器件。
[0073]在玻璃基底磁控濺射陽極，材料為ΙΖ0，再進行光刻處理，剪裁成所需要的大小，依次用洗潔精，去離子水，超聲15min，去除玻璃表面的有機污染物；蒸鍍空穴注入層:材料為MoO3,厚度為SOnm ;蒸鍍空穴傳輸層:材料為TAPC，厚度為60nm ;蒸鍍發(fā)光層:所選材料為BCzVBi，厚度為40nm ;蒸鍍電子傳輸層，材料為TPBi，厚度為35nm ;電子注入層包括銣的化合物摻雜層和金屬摻雜層，采用電子束蒸鍍銣的化合物摻雜層，材料為RbN03:Ti02，Rb2SO4與T12的質(zhì)量比為15:1，二氧化鈦粒徑為lOOnm，厚度為13nm ;在所述銣的化合物摻雜層表面通過電子束方式制備金屬摻雜層，所述金屬摻雜層材料為Yb:MgS，Yb與MgS的質(zhì)量比為
1.2:1，厚度為17nm，蒸鍍陰極，材料為Pt，厚度為250nm。
[0074]電子束蒸鍍方式的具體工藝條件為:工作壓強為2X 10_4Pa，能量密度為80W/cm2，有機材料的蒸鍍速率為0.5nm/s,金屬及金屬化合物的蒸鍍速率為6nm/s。
[0075]磁控濺射工藝條件:工作壓強為2 X 10_4Pa，蒸鍍速率為6nm/s，磁控濺射的加速電壓為600V，磁場為10G，功率密度為30W/cm2。
[0076]以上所述實施例僅表達了本發(fā)明的幾種實施方式，其描述較為具體和詳細，但并不能因此而理解為對本發(fā)明專利范圍的限制。應(yīng)當(dāng)指出的是，對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的前提下，還可以做出若干變形和改進，這些都屬于本發(fā)明的保護范圍。因此，本發(fā)明專利的保護范圍應(yīng)以所附權(quán)利要求為準(zhǔn)。
【主權(quán)項】
1.一種有機電致發(fā)光器件，其特征在于，包括依次層疊的陽極、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層及陰極，所述電子注入層由銣的化合物摻雜層和金屬摻雜層組成，所述銣的化合物摻雜層包括銣的化合物材料和摻雜在所述銣的化合物材料中的二氧化鈦，所述銣的化合物材料選自碳酸銣、氯化銣、硝酸銣及硫酸銣中至少一種，所述金屬摻雜層包括金屬材料和摻雜在所述金屬材料中的鎂的化合物材料，所述鎂的化合物材料選自氟化鎂、氧化鎂、氯化鎂及硫化鎂中至少一種，所述金屬材料的功函數(shù)為-2.0eV ?-3.5eVo
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述銣的化合物摻雜層中所述銣的化合物材料與二氧化鈦的質(zhì)量比為10:1?30:1，所述金屬摻雜層中所述金屬材料與所述鎂的化合物材料的質(zhì)量比為0.1:1?2:1。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述銣的化合物摻雜層厚度為5nm?20nm,所述金屬摻雜層厚度為1nm?50nm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述二氧化鈦的粒徑為20nm?200nm,所述金屬材料選自鎂、銀、I丐及鐿中至少一種。
5.一種有機電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，包括以下步驟: 通過磁控濺射的方式在陽極表面依次形成空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層及電子傳輸層; 然后在電子傳輸層表面制備電子注入層，所述電子注入層的制備方式為:在電子傳輸層表面通過電子束蒸鍍的方法制備銣的化合物摻雜層，所述銣的化合物摻雜層包括銣的化合物材料和摻雜在所述銣的化合物材料中的二氧化鈦，所述銣的化合物材料選自碳酸銣、氯化銣、硝酸銣及硫酸銣中至少一種，然后在所述銣的化合物摻雜層表面通過電子束蒸鍍方式制備金屬摻雜層，所述金屬摻雜層材料包括金屬材料和摻雜在所述金屬材料中的鎂的化合物材料，所述鎂的化合物材料選自氟化鎂、氧化鎂、氯化鎂及硫化鎂中至少一種，所述金屬材料的功函數(shù)為-2.0eV?-3.5eV，及， 在所述電子注入層表面通過磁控濺射的方式形成陰極。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的有機電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于:所述銣的化合物摻雜層中所述銣的化合物材料與二氧化鈦的質(zhì)量比為10:1?30:1，所述金屬摻雜層中所述金屬材料與所述鎂的化合物材料的質(zhì)量比為0.1:1?2:1。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的有機電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于:所述銣的化合物摻雜層厚度為5nm?20nm,所述金屬摻雜層厚度為1nm?50nm。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的有機電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于:所述二氧化鈦的粒徑為20nm?200nm,所述金屬材料選自鎂、銀、I丐及鐿中至少一種。
9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的有機電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于:所述電子束蒸鍍方式的工藝具體為:工作壓強為2X 10_3?5X 10_5Pa，能量密度為10W/cm2?100W/cm2，有機材料的蒸鍍速率為0.lnm/s?lnm/s,金屬及金屬化合物的蒸鍍速率為lnm/s?1nm/So
10.根據(jù)權(quán)利要求5所述的有機電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于:所述磁控濺射方式的工藝具體為:工作壓強為2X 10_3?5X 10_5Pa，蒸鍍速率為0.lnm/s?10nm/s，磁控濺射的加速電壓為300V?800V，磁場為50G?200G，功率密度為lW/cm2?40W/cm2。
【專利摘要】一種有機電致發(fā)光器件，包括依次層疊的陽極、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層及陰極，所述電子注入層由銣的化合物摻雜層和金屬摻雜層組成，所述銣的化合物摻雜層包括銣的化合物材料和摻雜在所述銣的化合物材料中的二氧化鈦，所述銣的化合物材料選自碳酸銣、氯化銣、硝酸銣及硫酸銣中至少一種，所述金屬摻雜層包括金屬材料和摻雜在所述金屬材料中的鎂的化合物材料，所述鎂的化合物材料選自氟化鎂、氧化鎂、氯化鎂及硫化鎂中至少一種，所述金屬材料的功函數(shù)為-2.0eV～-3.5eV。上述有機電致發(fā)光器件的發(fā)光效率較高。本發(fā)明還提供一種有機電致發(fā)光器件的制備方法。
【IPC分類】H01L51-54, H01L51-52, H01L51-56
【公開號】CN104659272
【申請?zhí)枴緾N201310585602
【發(fā)明人】周明杰, 黃輝, 陳吉星, 王平
【申請人】海洋王照明科技股份有限公司, 深圳市海洋王照明技術(shù)有限公司, 深圳市海洋王照明工程有限公司
【公開日】2015年5月27日
【申請日】2013年11月19日