一種有機(jī)發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)及封裝方法、顯示裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及有機(jī)發(fā)光二極管顯示領(lǐng)域，具體涉及一種有機(jī)發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)及封裝方法、顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]對于頂發(fā)射有源矩陣有機(jī)發(fā)光二極管(Active Matrix Organic Light EmittingD1de，簡稱AMOLED)顯示裝置，陰極一般采用一種導(dǎo)電的金屬，如Mg、Ag等導(dǎo)電金屬形成，而且是一整塊覆蓋在陣列基板上的塊狀電極，由于要求陰極透光度較高，通常情況下陰極很薄，電阻較高。陰極電阻很高，會增大IR drop(電阻壓降)，過大的IR drop會影響畫面的均一度。
[0003]現(xiàn)有的方案中使用陰極輔助線來降低IR drop，通常是在陣列基板上的非像素區(qū)域，形成與陰極位于不同層的若干陰極輔助線。但是在非像素區(qū)域，在柵線、信號線和電源線的一側(cè)布設(shè)若干陰極輔助線，會導(dǎo)致整個顯示裝置的開口率低。對于在柵線、信號線和電源線的一側(cè)布設(shè)若干陰極輔助線，在有機(jī)發(fā)光材料蒸鍍過程中，所有的有機(jī)材料需要都采用精細(xì)金屬掩膜板(Fine Metal Mask，簡稱FMM)進(jìn)行蒸鍍，這樣就增加了有機(jī)發(fā)光材料蒸鍍工藝的難度，影響效率，浪費(fèi)材料，給AMOLED制備帶來了較大的困難。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]針對現(xiàn)有技術(shù)中的缺陷，本發(fā)明提供了一種有機(jī)發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)及封裝方法、顯示裝置，該封裝結(jié)構(gòu)在保證封裝工藝簡單以及不影響顯示裝置開口率的情況下降低IR dropο
[0005]第一方面，本發(fā)明提供一種有機(jī)發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，包括:設(shè)置于基板上的有機(jī)發(fā)光二極管顯示區(qū)域，所述顯示區(qū)域上設(shè)置的陰極圖案，以及所述陰極圖案上設(shè)置的第一無機(jī)阻擋層，還包括:
[0006]位于所述第一無機(jī)阻擋層上的第一有機(jī)緩沖層，所述第一有機(jī)緩沖層的邊緣在所述顯示區(qū)域的邊緣區(qū)域與所述陰極圖案電連接；
[0007]第二無機(jī)阻擋層，所述第二無機(jī)阻擋層的邊緣在所述顯示區(qū)域的邊緣區(qū)域與所述基板直接相連，以包覆其他各層；
[0008]其中，所述第一無機(jī)阻擋層和所述第二無機(jī)阻擋層透明，所述第一有機(jī)緩沖層導(dǎo)電且透明。
[0009]可選的，所述陰極圖案上方與所述第二無機(jī)阻擋層之間交替設(shè)置有多層無機(jī)阻擋層和多層有機(jī)緩沖層，每層有機(jī)緩沖層的邊緣在所述顯示區(qū)域的邊緣區(qū)域與所述陰極圖案電連接；
[0010]其中，所述多層無機(jī)阻擋層包括所述第一無機(jī)阻擋層，所述多層有機(jī)緩沖層包括所述第一有機(jī)緩沖層。
[0011]可選的，所述第一無機(jī)阻擋層和所述第二無機(jī)阻擋層包括以下材料中的一種或多種:A1203、T12, ZrO2, MgO, HF02、Ta2O5' Si3N4' A1N、SiN、SiNO, S1、S12, SiC、SiCNx、ITO、IZO0
[0012]可選的，所述有機(jī)緩沖層的材質(zhì)為有機(jī)透明導(dǎo)電樹脂。
[0013]可選的，所述有機(jī)透明導(dǎo)電樹脂包括:透明基體樹脂，以及導(dǎo)電分子和/或?qū)щ婋x子。
[0014]第二方面，本發(fā)明提供了一種顯示裝置，包括上述有機(jī)發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)。
[0015]第三方面，本發(fā)明提供了一種有機(jī)發(fā)光二極管封裝方法，包括:
[0016]在包括形成有陰極圖案的有機(jī)發(fā)光二極管顯示區(qū)域的基板上形成第一無機(jī)阻擋層；
[0017]在所述第一無機(jī)阻擋層上形成第一有機(jī)緩沖層，所述第一有機(jī)緩沖層的邊緣在所述顯示區(qū)域的邊緣區(qū)域與所述陰極圖案的邊緣電連接；
[0018]形成第二無機(jī)阻擋層，所述第二無機(jī)阻擋層的邊緣在所述顯示區(qū)域的邊緣區(qū)域與所述基板直接相連，以包覆其他各層；
[0019]其中，所述第一無機(jī)阻擋層和所述第二無機(jī)阻擋層透明，所述第一有機(jī)緩沖層導(dǎo)電且透明。
[0020]可選的，所述方法還包括:在所述陰極圖案上方與所述第二無機(jī)阻擋層之間交替形成有多層無機(jī)阻擋層和多層有機(jī)緩沖層，在所述顯示區(qū)域的邊緣區(qū)域，每層有機(jī)緩沖層的邊緣與所述陰極圖案的邊緣電連接，其中所述多層無機(jī)阻擋層包括所述第一無機(jī)阻擋層，所述多層有機(jī)緩沖層包括所述第一有機(jī)緩沖層。
[0021]可選的，所述第一無機(jī)阻擋層和所述第二無機(jī)阻擋層包括以下材料中的一種或多種 -Al2O3' Ti02、ZrO2, MgO, HF02、Ta2O5' Si3N4' A1N、SiN, SiNO, S1, Si02、SiC, SiCNx、ΙΤ0、IZO0
[0022]可選的，所述有機(jī)緩沖層的材質(zhì)為有機(jī)透明導(dǎo)電樹脂。
[0023]由上述技術(shù)方案可知，本發(fā)明提供的一種有機(jī)發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)及封裝方法、顯示裝置，通過在陰極區(qū)域上設(shè)置無機(jī)阻擋層，阻止了水氧入侵，在無機(jī)阻擋層上設(shè)置有機(jī)緩沖層，既保證了有機(jī)發(fā)光二極管封裝中有機(jī)聚合物的緩沖效果，也保證了柔性封裝方式；由于有機(jī)緩沖層導(dǎo)電且透明，且有機(jī)緩沖層的邊緣在所述顯示區(qū)域的邊緣區(qū)域與所述陰極圖案電連接，在增加陰極圖案導(dǎo)電性的同時，又不影響封裝的透過率，從而在保證封裝工藝簡單以及不影響顯示裝置開口率的情況下降低IR drop。
【附圖說明】
[0024]圖1為本發(fā)明實施例提供的一種有機(jī)發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0025]圖2A至圖2E為本發(fā)明實施例提供的有機(jī)發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)封裝過程中的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0026]其中附圖標(biāo)記說明:
[0027]1、基板；2、有機(jī)發(fā)光二極管區(qū)域；3、陰極圖案；4、無機(jī)阻擋層；5、有機(jī)緩沖層；41、第一無機(jī)阻擋層；42、第三無機(jī)阻擋層；43、第二無機(jī)阻擋層；51、第一有機(jī)緩沖層；52、第二有機(jī)緩沖層。
【具體實施方式】
[0028]下面結(jié)合附圖，對發(fā)明的【具體實施方式】作進(jìn)一步描述。以下實施例僅用于更加清楚地說明本發(fā)明的技術(shù)方案，而不能以此來限制本發(fā)明的保護(hù)范圍。
[0029]無機(jī)薄膜主要是水氧阻擋層，但是彈性低，內(nèi)應(yīng)力大，不能實現(xiàn)柔性封裝，有機(jī)聚合物具有較高的彈性，可以抑制無機(jī)薄膜開裂，釋放無機(jī)物之間的應(yīng)力，兩者配合可以實現(xiàn)一種柔性的封裝方式。
[0030]本發(fā)明實施例中的有機(jī)發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)采用的是基于上述柔性封裝方式，實現(xiàn)柔性封裝。
[0031]圖1示出了本發(fā)明一實施例提供的一種有機(jī)發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖，如圖1所示，該有機(jī)發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)包括:設(shè)置于基板I上的有機(jī)發(fā)光二極管顯示區(qū)域2，所述顯示區(qū)域上設(shè)置的陰極圖案3，以及所述陰極圖案3上設(shè)置的第一無機(jī)阻擋層41，位于所述第一無機(jī)阻擋層41上的第一有機(jī)緩沖層51，所述第一有機(jī)緩沖層51的邊緣在所述顯示區(qū)域的邊緣區(qū)域與所述陰極圖案3電連接；
[0032]該封裝結(jié)構(gòu)還包括:第二無機(jī)阻擋層43，所述第二無機(jī)阻擋層的邊緣在所述顯示區(qū)域的邊緣區(qū)域與所述基板直接相連，以包覆其他各層。其中，第二無機(jī)阻擋層的區(qū)域較第一緩沖層的區(qū)域較大，所述第一無機(jī)阻擋層41和第二無機(jī)阻擋層43透明，所述第一有機(jī)緩沖層51導(dǎo)電且透明。
[0033]本發(fā)明實施例提供的有機(jī)發(fā)光二極管的封裝結(jié)構(gòu)通過在第一無機(jī)阻擋層上設(shè)置第一有機(jī)緩沖層，既保證了有機(jī)發(fā)光二極管封裝中有機(jī)聚合物的緩沖效果，也保證了柔性封裝方式；由于第一有機(jī)緩沖層導(dǎo)電且透明，且第一有機(jī)緩沖層的邊緣在所述顯示區(qū)域的邊緣區(qū)域與所述陰極圖案電連接，在增加陰極圖案導(dǎo)電性的同時，又不影響封裝的透過率，從而在保證封裝工藝簡單以及不影響顯示裝置開口率的情況下降低IR drop。此外，在最外層采用