蒸鍍速率為0.lnm/s,有機(jī)材料的蒸鍍速率為0.lnm/s，金屬的蒸鍍速率為lnm/s。磁控濺射的加速電壓:800V，磁場約:200G，功率密度:lW/cm2。
[0077]熱阻蒸鍍方式的具體工藝條件為:工作壓強(qiáng)為5X10_5Pa，工作電流為5A，有機(jī)材料的蒸鍍速率為0.lnm/s，金屬及金屬化合物的蒸鍍速率為lnm/s。
[0078]電子束蒸鍍方式的具體工藝條件為:工作壓強(qiáng)為5X 10_5Pa，電子束蒸鍍的能量密度為lOOW/cm2，有機(jī)材料的蒸鍍速率為0.lnm/s，金屬及金屬化合物的蒸鍍速率為lnm/s。
[0079]實施例4
[0080]本實施例制備結(jié)構(gòu)為玻璃基底/BCzVB1: CaF2/CsCl: NPB/1TO/ff03/NPB/BCzVBi/Bphen/LiF/Pt的有機(jī)電致發(fā)光器件。
[0081]玻璃基底為N-LASF41A，將玻璃基底用蒸餾水、乙醇沖洗干凈后，放在異丙醇中浸泡一個晚上在玻璃基底上制備散射層，散射層由鈣的化合物材料摻雜層和銫鹽材料摻雜層組成，在玻璃基板表面采用電子束蒸鍍制備鈣的化合物材料摻雜，材料為BCzVB1: CaF2,BCzVBi與CaF2的質(zhì)量比為6.5:0.1，厚度為120nm，在鈣的化合物材料摻雜表面采用熱阻蒸鍍制備銫鹽材料摻雜層，材料為CsCl:NPB，CsCl與NPB的質(zhì)量比為0.18:1，厚度130nm。然后在散射層上制備IT0，厚度為180nm，采用磁控濺射的方法制備；蒸鍍空穴注入層，材料為WO3，厚度為SOnm ;蒸鍍空穴傳輸層:材料為TCPA，厚度為60nm ;蒸鍍發(fā)光層:所選材料為BCzVBi，厚度為40nm ;蒸鍍電子傳輸層，材料為Bphen，厚度為35nm ;蒸鍍電子注入層、材料為LiF，厚度為Inm ;蒸鍍陰極，材料為Pt，厚度為250nm ;最后得到所需要的電致發(fā)光器件。
[0082]磁控濺射制備的工作壓強(qiáng)為2X 10_4Pa，有機(jī)材料的蒸鍍速率為0.5nm/s,金屬化合物的蒸鍍速率為0.6nm/s,金屬的蒸鍍速率為6nm/s。磁控派射的加速電壓:600V,磁場約:10G，功率密度:30W/cm2。
[0083]熱阻蒸鍍方式的具體工藝條件為:工作壓強(qiáng)為2X10_4Pa，工作電流為3A，有機(jī)材料的蒸鍍速率為0.5nm/s，金屬及金屬化合物的蒸鍍速率為6nm/s。
[0084]電子束蒸鍍方式的具體工藝條件為:工作壓強(qiáng)為2X 10_4Pa，電子束蒸鍍的能量密度為25W/cm2，有機(jī)材料的蒸鍍速率為0.5nm/s，金屬及金屬化合物的蒸鍍速率為6nm/s。
[0085]以上所述實施例僅表達(dá)了本發(fā)明的幾種實施方式，其描述較為具體和詳細(xì)，但并不能因此而理解為對本發(fā)明專利范圍的限制。應(yīng)當(dāng)指出的是，對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的前提下，還可以做出若干變形和改進(jìn)，這些都屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。因此，本發(fā)明專利的保護(hù)范圍應(yīng)以所附權(quán)利要求為準(zhǔn)。
【主權(quán)項】
1.一種有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，包括依次層疊的玻璃基底、散射層、陽極、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層及陰極，所述散射層由鈣的化合物材料摻雜層和銫鹽材料摻雜層組成，所述鈣的化合物材料摻雜層包括鈣的化合物材料及摻雜在所述鈣的化合物材料中的發(fā)光材料，所述鈣的化合物材料選自氧化鈣、氯化鈣、碳酸鈣及氟化鈣中至少一種，所述發(fā)光材料層的材料選自4- (二腈甲基)-2-丁基-6- (1，1，7，7_四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃、9，10-二-β-亞萘基蒽、4，4’-雙(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1, I’ -聯(lián)苯及8-羥基喹啉鋁中至少一種，所述銫鹽材料摻雜層包括銫鹽材料及摻雜在所述銫鹽材料中的空穴傳輸材料，所述銫鹽材料選自氟化銫、碳酸銫、疊氮銫及氯化銫中至少一種，所述空穴傳輸材料選自1，1-二 [4-[Ν,Ν' -二(P-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷、4，4’，4’ ’ -三(咔唑-9-基)三苯胺及N，N’ - (1-萘基)-N, N’ - 二苯基_4，4’ -聯(lián)苯二胺中至少一種。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述鈣的化合物材料摻雜層的厚度為10nm?200nm,所述銫鹽材料摻雜層的厚度為50nm?200nm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述鈣的化合物材料摻雜層中所述發(fā)光材料與所述鈣的化合物材料的質(zhì)量比為5:0.1?8:0.1，所述銫鹽材料摻雜層中所述銫鹽材料與所述空穴傳輸材料的質(zhì)量比為0.1:1?0.3:1。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述玻璃基底的折射率為1.8 ?2.2。
5.一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，包括以下步驟: 在玻璃基底表面蒸鍍制備散射層，所述散射層由鈣的化合物材料摻雜層和銫鹽材料摻雜層組成，在所述玻璃基底表面采用電子束蒸鍍制備鈣的化合物材料摻雜層，所述鈣的化合物材料摻雜層包括鈣的化合物材料及摻雜在所述鈣的化合物材料中的發(fā)光材料，所述鈣的化合物材料選自氧化鈣、氯化鈣、碳酸鈣及氟化鈣中至少一種，所述發(fā)光材料層的材料選自4- (二腈甲基)-2- 丁基-6- (I, I, 7，7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃、9，10-二-β-亞萘基蒽、4，4’-雙(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1，I’-聯(lián)苯及8-羥基喹啉鋁中至少一種，在所述鈣的化合物材料摻雜層表面通過熱阻蒸鍍制備所述銫鹽材料摻雜層，所述銫鹽材料摻雜層包括銫鹽材料及摻雜在所述銫鹽材料中的空穴傳輸材料，所述銫鹽材料選自氟化銫、碳酸銫、疊氮銫及氯化銫中至少一種，所述空穴傳輸材料選自1，1- 二[4-[Ν，Ν' -二(P-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷、4，4’，4’’-三(咔唑-9-基)三苯胺及N，N’ - (1-萘基)-N，N’ - 二苯基-4，4’ -聯(lián)苯二胺中至少一種； 在所述散射層表面磁控濺射制備陽極，所述陽極的材料為銦錫氧化物、鋁鋅氧化物或銦鋅氧化物；及 在所述陽極的表面依次蒸鍍制備穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層及陰極。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于:所述鈣的化合物材料摻雜層的厚度為10nm?200nm，所述銫鹽材料摻雜層的厚度為50nm?200nm。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于:所述鈣的化合物材料摻雜層中所述發(fā)光材料與所述鈣的化合物材料的質(zhì)量比為5:0.1?8:0.1，所述銫鹽材料摻雜層中所述銫鹽材料與所述空穴傳輸材料的質(zhì)量比為0.1:1?0.3:1。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于:所述玻璃基底的折射率為1.8?2.2。
9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于:所述熱阻蒸鍍方式的工藝具體為:工作壓強(qiáng)為2X10_3?5X10_5Pa，工作電流為IA?5A，有機(jī)材料的蒸鍍速率為0.1?lnm/s,金屬及金屬化合物的蒸鍍速率為lnm/s?10nm/s。
10.根據(jù)權(quán)利要求5所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于:所述電子束蒸鍍方式的工藝具體為:工作壓強(qiáng)為2X10—3?5X10_5Pa，電子束蒸鍍的能量密度為1W/cm2?100W/cm2,有機(jī)材料的蒸鍍速率為0.1?lnm/s,金屬及金屬化合物的蒸鍍速率為lnm/s ?10nm/so
【專利摘要】一種有機(jī)電致發(fā)光器件，包括依次層疊的玻璃基底、散射層、陽極、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層及陰極，所述散射層由鈣的化合物材料摻雜層和銫鹽材料摻雜層組成，所述鈣的化合物材料摻雜層包括鈣的化合物材料及摻雜在所述鈣的化合物材料中的發(fā)光材料，所述鈣的化合物材料選自氧化鈣、氯化鈣、碳酸鈣及氟化鈣中至少一種，所述銫鹽材料摻雜層包括銫鹽材料及摻雜在所述銫鹽材料中的空穴傳輸材料，所述銫鹽材料選自氟化銫、碳酸銫、疊氮銫及氯化銫中至少一種，上述有機(jī)電致發(fā)光器件的出光效率較高。本發(fā)明還提供一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法。
【IPC分類】H01L51-56, H01L51-52, H01L51-54
【公開號】CN104659263
【申請?zhí)枴緾N201310607215
【發(fā)明人】周明杰, 黃輝, 陳吉星, 王平
【申請人】海洋王照明科技股份有限公司, 深圳市海洋王照明技術(shù)有限公司, 深圳市海洋王照明工程有限公司
【公開日】2015年5月27日
【申請日】2013年11月25日