(AZO)或銦鋅氧化物(ΙΖ0)，優(yōu)選為ΙΤ0。陽極30的厚度為80nm?300nm，厚度優(yōu)選為160nmo
[0029]空穴注入層40形成于陽極30的表面?？昭ㄗ⑷雽?0的材料選自三氧化鑰(Mo03)、三氧化鎢(WO3)及五氧化二釩(V2O5)中的至少一種，優(yōu)選為Mo03?？昭ㄗ⑷雽?0的厚度為20nm ?80nm,優(yōu)選為 40nm。
[0030]空穴傳輸層50形成于空穴注入層40的表面?？昭▊鬏攲?0的材料選自1，1_ 二[4-[N，N' -二(P-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷(TAPC)、4，4’，4’’_三(咔唑_9_基)三苯胺(TCTA)及N，N’ - (1-萘基)-N，N’ - 二苯基-4,4’ -聯(lián)苯二胺(NPB)中的至少一種，優(yōu)選為NPB?？昭▊鬏攲?0的厚度為20nm?60nm，優(yōu)選為30nm。
[0031]發(fā)光層60形成于空穴傳輸層50的表面。發(fā)光層60的材料選自4- (二腈甲基)-2-丁基-6-( 1，1，7，7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃(DCJTB)、9，10-二 - β -亞萘基蒽(ADN)、4，4’_雙(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1，I’-聯(lián)苯(BCzVBi )及8-羥基喹啉鋁(Alq3)中的至少一種,優(yōu)選為Alq3。發(fā)光層60的厚度為5nm?40nm,優(yōu)選為15nm。
[0032]電子傳輸層70形成于發(fā)光層60的表面。電子傳輸層70的材料選自4，7-二苯基-1，10-菲羅啉(Bphen)、l，2，4-三唑衍生物(如TAZ)及N-芳基苯并咪唑(TPBI)中的至少一種，優(yōu)選為Bphen。電子傳輸層70的厚度為40nm?250nm,優(yōu)選為160nm。
[0033]電子注入層80形成于電子傳輸層70的表面。電子注入層80的材料選自碳酸銫(Cs2C03)、氟化銫(CsF)、疊氮銫(CsN3)及氟化鋰(LiF)中的至少一種，優(yōu)選為CsF。電子注入層80的厚度為0.5nm?1nm,優(yōu)選為0.7nm。
[0034]陰極90形成于電子注入層80的表面。陰極90的材料選自銀(Ag)、鋁(Al)、鉬(Pt)及金(Au)中的至少一種，優(yōu)選為Ag。陰極90的厚度為80nm?250nm,優(yōu)選為llOnm。
[0035]上述有機電致發(fā)光器件100，采用折射率在1.8以上，可見光透過率為90%以上的玻璃作為有機電致發(fā)光器件的玻璃基底10，消除玻璃基底10與陽極30之間的全反射，使更多的光入射到玻璃基底10中；在陽極30與玻璃基底10之間制備散射層20，散射層由鈣的化合物材料摻雜層和銫鹽材料摻雜層組成，鈣的化合物材料摻雜層包括鈣的化合物材料及發(fā)光材料，鈣的化合物材料的內(nèi)部結構均一性質(zhì)穩(wěn)定，光在晶體中進行多次反射后，入射角得以改變，發(fā)光材料為熒光發(fā)光材料與發(fā)光層的材料一致，可對發(fā)光光色進行補充，提高光色純度，有效提高發(fā)光效率，使發(fā)光顏色穩(wěn)定，衰減速度降低，銫鹽材料摻雜層包括銫鹽材料及空穴傳輸材料，銫鹽材料的功函數(shù)較高，可阻擋電子的穿越，有效避免電子到達陽極發(fā)生淬滅現(xiàn)象。金屬離子的存在，可提高散射層的金屬離子濃度，加強有機電致發(fā)光器件的導電性，空穴傳輸材料可提高空穴的傳輸速率，從而有機電致發(fā)光器件的壽命較長。
[0036]可以理解，該有機電致發(fā)光器件100中也可以根據(jù)需要設置其他功能層。
[0037]一實施例的有機電致發(fā)光器件100的制備方法，其包括以下步驟:
[0038]步驟S110、在玻璃基底10表面電子束蒸鍍制備散射層20。
[0039]散射層20形成于玻璃基底10的一側(cè)表面。散射層20由I丐的化合物材料摻雜層201和銫鹽材料摻雜層202組成，在所述玻璃基底10表面采用電子束蒸鍍制備鈣的化合物材料摻雜層201，所述鈣的化合物材料摻雜層201包括鈣的化合物材料及摻雜在所述鈣的化合物材料中的發(fā)光材料，所述鈣的化合物材料選自氧化鈣(CaO)、氯化鈣(CaCl2)、碳酸鈣(CaCO3)及氟化鈣(CaF2)中至少一種，所述發(fā)光材料層的材料選自4_ (二腈甲基)_2_ 丁基-6- (I, 1,7, 7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃(DCJTB)、9，10-二-β-亞萘基蒽(ADN)、4，4’_雙(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1，I’-聯(lián)苯(BCzVBi )及8-羥基喹啉鋁(Alq3)中至少一種，在所述鈣的化合物材料摻雜層201表面通過熱阻蒸鍍制備所述銫鹽材料摻雜層202，所述銫鹽材料摻雜層202包括銫鹽材料及摻雜在所述銫鹽材料中的空穴傳輸材料，所述銫鹽材料選自氟化銫(CsF)、碳酸銫(Cs2CO3)、疊氮銫(CsN3)及氯化銫(CsCl)中至少一種，所述空穴傳輸材料選自1，1- 二 [4-[N,N' - 二(p-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷(TAPC)、4，4’，4’’_ 三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)、N，N，- (1_萘基)州，N，-二苯基-4，4’ -聯(lián)苯二胺(NPB)中至少一種。
[0040]所述鈣的化合物材料摻雜層201的厚度為10nm?200nm，所述銫鹽材料摻雜層202的厚度為50nm?200nm。
[0041]所述鈣的化合物材料摻雜層201中所述發(fā)光材料與所述鈣的化合物材料的質(zhì)量比為5:0.1?8:0.1，所述銫鹽材料摻雜層202中所述銫鹽材料與所述空穴傳輸材料的質(zhì)量比為 0.1:1 ?0.3:1。
[0042]本實施例中，玻璃基底10在使用前用蒸餾水、乙醇沖洗干凈后，放在異丙醇中浸泡I小時?10小時。
[0043]本實施例中，所述熱阻蒸鍍方式的工藝具體為:工作壓強為2X 10_3?5X 10_5Pa，工作電流為IA?5A，有機材料的蒸鍍速率為0.1?lnm/s，金屬及金屬化合物的蒸鍍速率為 lnm/s ?10nm/so
[0044]所述電子束蒸鍍方式的工藝具體為:工作壓強為2X10—3?5X10_5Pa，電子束蒸鍍的能量密度為lOW/cm2?lOOW/cm2，有機材料的蒸鍍速率為0.1?lnm/s，金屬及金屬化合物的蒸鍍速率為lnm/s?10nm/s。
[0045]步驟S120、在散射層20表面磁控濺射制備陽極30。
[0046]陽極30形成于散射層20的表面。陽極30的材料為銦錫氧化物(IT0)、鋁鋅氧化物(AZO)或銦鋅氧化物(IZ0)，優(yōu)選為IT0。陽極30的厚度為80nm?300nm，厚度優(yōu)選為160nmo
[0047]本實施方式中，磁控濺射的加速電壓:300V?800V，磁場約:50G?200G，功率密度:lW/cm2?40W/cm2,有機材料的蒸鍍速率為0.lnm/s?lnm/s,金屬陰極的蒸鍍速率為lnm/s ?10nm/so
[0048]步驟S130、在陽極30的表面依次蒸鍍形成空穴注入層40、空穴傳輸層50、發(fā)光層60、電子傳輸層70、電子注入層80及陰極90。
[0049]空穴注入層40形成于陽極30的表面?？昭ㄗ⑷雽?0的材料選自三氧化鑰(Mo03)、三氧化鎢(WO3)及五氧化二釩(V2O5)中的至少一種，優(yōu)選為Mo03。空穴注入層40的厚度為20nm?80nm,優(yōu)選為40nm。蒸鍍在真空壓力為2X KT3Pa?5X KT5Pa下進行，蒸鍍速率為0.lnm/s ?lnm/sο
[0050]空穴傳輸層50形成于空穴注入層40的表面?？昭▊鬏攲?0的材料選自1，1_ 二[4-[N, N' - 二(P-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷(TAPC)、4，4’，4’’_三(咔唑_9_基)三苯胺(TCTA)及N，N’ - (1-萘基)州，N’ - 二苯基-4，4’ -聯(lián)苯二胺(NPB)中的至少一種，優(yōu)選為NPB。空穴傳輸層50的厚度為20nm?60nm，優(yōu)選為30nm。蒸鍍在真空壓力為2 X 10 3Pa?5 X 10 5Pa下進行，蒸鍍速率為0.lnm/s?lnm/s。
[0051]發(fā)光層60形成于空穴傳輸層50的表面。發(fā)光層60的材料選自4- (二腈甲基)-2-丁基-6-( 1，1，7，7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃(DCJTB)、9，10-二 - β -亞萘基蒽(ADN)、4，4’_雙(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1，I’-聯(lián)苯(BCzVBi )及8-羥基喹啉鋁(Alq3)中的至少一種,優(yōu)選為Alq3。發(fā)光層60的厚度為5nm?40nm,優(yōu)選為15nm。蒸鍍在真空壓力為2X ICT3Pa?5X ICT5Pa下進行，蒸鍍速率為0.lnm/s?lnm/s。
[0052]電子傳輸層70形成于發(fā)光層60的表面。電子傳輸層70的材料選自4，7-二苯基-1，10-菲羅啉(Bphen)、l，2，4-