蒸鍍空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層和電子傳輸層；
[0107]具體地，在本實(shí)施例中，空穴注入層的材質(zhì)為WO3，厚度為20nm ;空穴傳輸層的材質(zhì)為TCTA，厚度為45nm ;發(fā)光層的材質(zhì)為ADN，厚度為13nm ；電子傳輸層的材質(zhì)為Bphen，厚度為 65nm。
[0108](4)在電子傳輸層上制備電子注入層，電子注入層包括依次層疊的二氧化鈦層、三元摻雜層和空穴層:
[0109]二氧化鈦層的制備:將粒徑為20nm的T12通過(guò)電子束蒸鍍方法蒸鍍到電子傳輸層上，電子束蒸鍍的能量密度為lOOW/cm2，厚度為50nm ；
[0110]三元摻雜層的制備:在壓強(qiáng)為2X 10_3Pa的條件下，以lnm/s的蒸鍍速率將CsCl、Al與2，6Dczppy按照質(zhì)量比0.5:1:1混合形成的混合物通過(guò)熱阻蒸鍍方法制備在二氧化鈦層上，厚度為80nm;
[0111]空穴層的制備:在壓強(qiáng)為2X 10_3Pa的條件下，以lnm/s的蒸鍍速率將F4-TCNQ通過(guò)熱阻蒸鍍方法制備在三元摻雜層上，厚度為Inm;
[0112](5)以lOnm/s的蒸鍍速率在金屬硫化物摻雜層表面熱阻蒸鍍Al制備陰極，厚度為80nm ；
[0113]以上步驟完成后，得到有機(jī)電致發(fā)光器件。
[0114]實(shí)施例3
[0115]一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟:
[0116](I)將普通市售玻璃用蒸餾水、乙醇沖洗干凈后，放在異丙醇中浸泡一個(gè)晚上，得到清潔的玻璃基底；
[0117](2)通過(guò)磁控濺射ITO制備陽(yáng)極，厚度為150nm，條件為加速電壓800V，磁場(chǎng)200G，功率密度lW/cm2 ；
[0118](3)然后在壓強(qiáng)為5X10_5Pa的條件下，以0.lnm/s的蒸鍍速率在陽(yáng)極上依次熱阻蒸鍍空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層和電子傳輸層；
[0119]具體地，在本實(shí)施例中，空穴注入層的材質(zhì)為MoO3，厚度為55nm ;空穴傳輸層的材質(zhì)為NPB，厚度為60nm ;發(fā)光層的材質(zhì)為Alq3,厚度為40nm ；電子傳輸層的材質(zhì)為TAZ，厚度為 35nm。
[0120](4)在電子傳輸層上制備電子注入層，電子注入層包括依次層疊的二氧化鈦層、三元摻雜層和空穴層:
[0121]二氧化鈦層的制備:將粒徑為50nm的T12通過(guò)電子束蒸鍍方法蒸鍍到電子傳輸層上，電子束蒸鍍的能量密度為lOW/cm2，厚度為90nm ；
[0122]三元摻雜層的制備:在壓強(qiáng)為5X10_5Pa的條件下，以0.lnm/s的蒸鍍速率將Cs2CO3^ Pt與p-TPAm-NTAZ按照質(zhì)量比0.1:0.5:1混合形成的混合物通過(guò)熱阻蒸鍍方法制備在二氧化鈦層上，厚度為30nm ；
[0123]空穴層的制備:在壓強(qiáng)為5X 10_5Pa的條件下，以0.lnm/s的蒸鍍速率將2T-NATA通過(guò)熱阻蒸鍍方法制備在三元摻雜層上，厚度為1nm;
[0124](5)以lnm/s的蒸鍍速率在金屬硫化物摻雜層表面熱阻蒸鍍Pt制備陰極，厚度為250nm ；
[0125]以上步驟完成后，得到有機(jī)電致發(fā)光器件。
[0126]實(shí)施例4
[0127]一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟:
[0128](I)將普通市售玻璃用蒸餾水、乙醇沖洗干凈后，放在異丙醇中浸泡一個(gè)晚上，得到清潔的玻璃基底；
[0129](2)通過(guò)磁控濺射AZO制備陽(yáng)極，厚度為50nm，條件為加速電壓600V，磁場(chǎng)100G，功率密度30W/cm2 ；
[0130](3)然后在壓強(qiáng)為2X 10_4Pa的條件下，以0.5nm/s的蒸鍍速率在陽(yáng)極上依次熱阻蒸鍍空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層和電子傳輸層；
[0131]具體地，在本實(shí)施例中，空穴注入層的材質(zhì)為V2O5，厚度為80nm ;空穴傳輸層的材質(zhì)為TAPC，厚度為60nm ;發(fā)光層的材質(zhì)為DCJTB，厚度為8nm ;電子傳輸層的材質(zhì)為TAZ，厚度為200nm。
[0132](4)在電子傳輸層上制備電子注入層，電子注入層包括依次層疊的二氧化鈦層、三元摻雜層和空穴層:
[0133]二氧化鈦層的制備:將粒徑為45nm的T12通過(guò)電子束蒸鍍方法蒸鍍到電子傳輸層上，電子束蒸鍍的能量密度為40W/cm2，厚度為75nm ；
[0134]三元摻雜層的制備:在壓強(qiáng)為2X10_4Pa的條件下，以0.5nm/s的蒸鍍速率將CsN3、Au與CzOXD按照質(zhì)量比0.3:0.8:1混合形成的混合物通過(guò)熱阻蒸鍍方法制備在二氧化鈦層上，厚度為45nm;
[0135]空穴層的制備:在壓強(qiáng)為2X 10_4Pa的條件下，以0.5nm/s的蒸鍍速率將F4-TCNQ通過(guò)熱阻蒸鍍方法制備在三元摻雜層上，厚度為Inm;
[0136](5)以6nm/s的蒸鍍速率在金屬硫化物摻雜層表面熱阻蒸鍍Pt制備陰極，厚度為120nm ；
[0137]以上步驟完成后，得到有機(jī)電致發(fā)光器件。
[0138]以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)所作的任何修改、等同替換和改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種有機(jī)電致發(fā)光器件，包括依次層疊的玻璃基底、陽(yáng)極、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極，其特征在于，所述電子注入層包括依次層疊的二氧化鈦層、三元摻雜層和空穴層，其中: 所述二氧化鈦層的材質(zhì)為二氧化鈦； 所述三元摻雜層的材質(zhì)為銫鹽、功函數(shù)為-4.0?-5.5eV的金屬與雙極性有機(jī)傳輸材料按照質(zhì)量比0.1: 0.5:1?0.5:1:1混合形成的混合物； 所述空穴層的材質(zhì)為2，3，5,6-四氟-7，7，8，8，-四氰基-對(duì)苯二醌二甲烷、4，4，4-三(萘基-1-苯基-銨)三苯胺或二萘基-N，N' - 二苯基-4，4'-聯(lián)苯二胺。
2.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述銫鹽為氟化銫、氯化銫、碳酸銫或疊氮銫。
3.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述功函數(shù)為-4.0?-5.5eV的金屬為銀、鋁、鉬或金。
4.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述雙極性有機(jī)傳輸材料為2，4，6-三(N-苯基-1-萘氨基)-1，3，5_三嗪、2，6-二(3- (9H-咔唑-9-基)苯)吡啶、3'，3" - (4-(萘-1-基)-4Η-1，2，4-三唑-3，5-二基)雙(N，N-二(聯(lián)苯基)-4-氨)或2，5-雙(4- (9- (2-乙基己基)-9H-咔唑-3-基)苯基)-1,3,4-噁二唑。
5.一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，包括以下步驟: 提供清潔的玻璃基底； 在所述玻璃基底上磁控濺射制備陽(yáng)極； 在所述陽(yáng)極上依次熱阻蒸鍍制備空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層和電子傳輸層； 在所述電子傳輸層上制備電子注入層，所述電子注入層包括依次層疊的二氧化鈦層、三元摻雜層和空穴層；所述二氧化鈦層的制備步驟為，將二氧化鈦通過(guò)電子束蒸鍍方法制備在所述電子傳輸層上；所述三元摻雜層的制備步驟為，將銫鹽、功函數(shù)為-4.0?-5.5eV的金屬與雙極性有機(jī)傳輸材料按照質(zhì)量比0.1:0.5:1?0.5:1:1混合形成的混合物通過(guò)熱阻蒸鍍方法制備在所述二氧化鈦層上；所述空穴層的制備步驟為，將2，3，5，6-四氟-7，7, 8, 8,-四氰基-對(duì)苯二醌二甲燒、4，4, 4- 二(萘基-1-苯基-銨)二苯胺或二萘基-N，N' - 二苯基-4，4'-聯(lián)苯二胺通過(guò)熱阻蒸鍍方法制備在所述三元摻雜層上； 在所述空穴層上熱阻蒸鍍制備陰極； 以上步驟完成后，得到所述有機(jī)電致發(fā)光器件。
6.如權(quán)利要求5所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述銫鹽為氟化銫、氯化銫、碳酸銫或疊氮銫。
7.如權(quán)利要求5所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述功函數(shù)為-4.0?-5.5eV的金屬為銀、鋁、鉬或金。
8.如權(quán)利要求5所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述雙極性有機(jī)傳輸材料為2，4，6-三(N-苯基-1-萘氨基)_1，3，5-三嗪、2，6- 二(3_(9H_咔唑-9-基)苯)吡啶、3'，3" - (4-(萘-1-基)-4Η-1，2，4-三唑-3，5-二基)雙(隊(duì)^二(聯(lián)苯基)-4-氨)或2，5-雙(4- (9- (2-乙基己基)-9H-咔唑-3-基)苯基)-1，3，4_噁二唑。
9.如權(quán)利要求5所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述電子束蒸鍍的條件為能量密度10?lOOW/cm2。
10.如權(quán)利要求5所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述三元摻雜層和空穴層通過(guò)熱阻蒸鍍制備的條件為壓強(qiáng)5X 10_5?2X 10_3Pa,速度0.1?lnm/s。
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法。有機(jī)電致發(fā)光器件的電子注入層包括二氧化鈦層、三元摻雜層和空穴層。二氧化鈦比表面積大，孔隙率高，可使光發(fā)生散射，使向兩側(cè)發(fā)射的光可以回到中間，提高出光效率。三元摻雜層中雙極性有機(jī)傳輸材料可提高電子傳輸速率，銫鹽與雙極性有機(jī)傳輸材料可形成n摻雜，可進(jìn)一步提高電子傳輸速率。高功函數(shù)金屬可提高器件的導(dǎo)電性，提高膜層穩(wěn)定性，并可對(duì)光產(chǎn)生反射，使光往底部出射，提高出光效率。本發(fā)明制備方法簡(jiǎn)單，易于控制和操作，并且原材料容易獲得。
【IPC分類】H01L51-54, H01L51-56, H01L51-52
【公開(kāi)號(hào)】CN104659255
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201310589226
【發(fā)明人】周明杰, 黃輝, 張振華, 王平
【申請(qǐng)人】海洋王照明科技股份有限公司, 深圳市海洋王照明技術(shù)有限公司, 深圳市海洋王照明工程有限公司
【公開(kāi)日】2015年5月27日
【申請(qǐng)日】2013年11月20日