有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001 ] 本發(fā)明涉及一種有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法。
【背景技術(shù)】
[0002]有機(jī)電致發(fā)光器件的發(fā)光原理是基于在外加電場的作用下，電子從陰極注入到有機(jī)物的最低未占有分子軌道(LUMO)，而空穴從陽極注入到有機(jī)物的最高占有軌道(HOMO)。電子和空穴在發(fā)光層相遇、復(fù)合、形成激子，激子在電場作用下遷移，將能量傳遞給發(fā)光材料，并激發(fā)電子從基態(tài)躍遷到激發(fā)態(tài)，激發(fā)態(tài)能量通過輻射失活，產(chǎn)生光子，釋放光能。
[0003]傳統(tǒng)的有機(jī)電致發(fā)光器件的電子注入層一般采用氟化鋰，但是由于氟化鋰熔點(diǎn)過高，蒸鍍時(shí)必須采用較大電流來蒸鍍，而有機(jī)蒸鍍室的蒸鍍室溫度過高，會(huì)使其他有機(jī)功能層受到破壞，并且氟化鋰的成膜性較差，容易形成電子缺陷，造成電子的淬滅，降低了電子和空穴的復(fù)合幾率。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]基于此，有必要提供一種發(fā)光效率較高的有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法。
[0005]—種有機(jī)電致發(fā)光器件，包括依次層疊的陽極、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層及陰極，所述電子注入層由二氧化鈦摻雜層和金屬摻雜層組成，所述二氧化鈦摻雜層材料包括二氧化鈦和摻雜在所述二氧化鈦中的第一金屬材料，所述第一金屬材料功函數(shù)為-2.0eV?-3.5eV,所述金屬摻雜層包括第二金屬材料組和摻雜在所述第二金屬材料中的雙極性有機(jī)傳輸材料，所述第二金屬材料功函數(shù)為-4.0eV?-5.5eV,所述雙極性有機(jī)傳輸材料選自2，4，6-三(N-苯基-1-萘氨基)-1, 3，5-三嗪，2，6- 二(3- (9H-咔唑-9-基)苯)吡啶，3’，3’ ’ - (4-(萘-1-基)-4H-1, 2，4-三唑-3，5- 二基)雙(N，N-二(聯(lián)苯基)-4-氨)及2，5-雙(4- (9- (2-乙基己基)-9H-咔唑-3-基)苯基)-1, 3，4-噁二唑中至少一種。
[0006]所述二氧化鈦摻雜層中所述二氧化鈦與所述第一金屬材料的質(zhì)量比為0.05:1?0.1:1，所述金屬摻雜層中所述第二金屬材料與雙極性有機(jī)傳輸材料的質(zhì)量比為0.5:1?1:1。
[0007]所述二氧化鈦摻雜層厚度為20nm?150nm,所述金屬摻雜層厚度為1nm?20nm。
[0008]所述第一金屬材料選自鎂、鍶、鈣及鐿中至少一種，所述第二金屬材料選自銀、鋁、鉬及金中至少一種。
[0009]一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟:
[0010]通過磁控濺射的方式在陽極表面依次形成空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層及電子傳輸層；
[0011]然后在電子傳輸層表面制備電子注入層，所述電子注入層由二氧化鈦摻雜層和金屬摻雜層組成，所述電子注入層的制備方式為:在電子傳輸層表面通過電子束蒸鍍的方法制備二氧化鈦摻雜層，所述二氧化鈦摻雜層材料包括二氧化鈦和摻雜在所述二氧化鈦中的第一金屬材料，所述第一金屬材料功函數(shù)為-2.0eV?-3.5eV，然后在所述二氧化鈦摻雜層表面通過熱阻蒸鍍方式制備金屬摻雜層，所述金屬摻雜層包括第二金屬材料組和摻雜在所述第二金屬材料中的雙極性有機(jī)傳輸材料，所述第二金屬材料功函數(shù)為-4.0eV?-5.5eV,所述雙極性有機(jī)傳輸材料選自2，4，6-三(N-苯基-1-萘氨基)-1, 3，5-三嗪，2，6- 二(3- (9H-咔唑-9-基)苯)吡啶，3’，3’ ’ - (4-(萘-1-基)-4H-1, 2，4-三唑-3，5- 二基)雙(N，N-二(聯(lián)苯基)-4-氨)及2，5-雙(4- (9- (2-乙基己基)-9H-咔唑-3-基)苯基)-1, 3，4-噁二唑中至少一種，及，
[0012]在所述電子注入層表面通過磁控濺射的方式形成陰極。
[0013]所述二氧化鈦摻雜層中所述二氧化鈦與所述第一金屬材料的質(zhì)量比為0.05:1?0.1:1，所述金屬摻雜層中所述第二金屬材料與雙極性有機(jī)傳輸材料的質(zhì)量比為0.5:1?1:1。
[0014]所述二氧化鈦摻雜層厚度為20nm?150nm,所述金屬摻雜層厚度為1nm?20nm。
[0015]所述第一金屬材料選自鎂、鍶、鈣及鐿中至少一種，所述第二金屬材料選自銀、鋁、鉬及金中至少一種。
[0016]所述熱阻蒸鍍方式的工藝具體為:工作壓強(qiáng)為2X 10_3?5X 10_5Pa，電流為IA?5A,有機(jī)材料的蒸鍍速率為0.lnm/s?lnm/s,金屬及金屬化合物的蒸鍍速率為lnm/s?lOnm/s，所述電子束蒸鍍方式的工藝具體為:工作壓強(qiáng)為2X10_3?5X10_5Pa，電子束蒸鍍的能量密度為lOW/cm2?lOOW/cm2，有機(jī)材料的蒸鍍速率為0.lnm/s?lnm/s，金屬及金屬化合物的蒸鍍速率為lnm/s?10nm/s。
[0017]所述磁控濺射方式的工藝具體為:工作壓強(qiáng)為2X10—3?5X10_5Pa，蒸鍍速率為0.lnm/s?10nm/s，磁控濺射的加速電壓為300V?800V，磁場為50G?200G，功率密度為Iff/cm2 ?40W/cm2。
[0018]上述有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法，通過制備電子注入層結(jié)構(gòu)，該電子注入層結(jié)構(gòu)層由二氧化鈦摻雜層和金屬摻雜層組成，二氧化鈦摻雜層由二氧化鈦和低功函數(shù)的第一金屬組成，二氧化鈦的比表面積大，孔隙率高，可使光發(fā)生散射，使向兩側(cè)發(fā)射的光可以回到中間，低功函數(shù)的第一金屬可有效降低層間的電子注入勢壘，提高電子注入效率，同時(shí)，低功函數(shù)金屬載流子濃度較高，可提高器件的導(dǎo)電性，提高電子傳輸速率。金屬摻雜層由雙極性有機(jī)傳輸材料和高功函數(shù)第二金屬組成，雙極性有機(jī)傳輸材料具有傳輸空穴與傳輸電子的作用，可提高電子的傳輸速率降低與相鄰層之間的電子注入勢壘，提高其電子注入效率，具有較低的Η0Μ0能級，可阻止空穴穿越到陰極而造成空穴淬滅，高功函數(shù)的第二金屬與陰極金屬的功函接近，可降低摻雜層與陰極之間的電子注入勢壘，提高電子注入效率，金屬有利于光的反射，可提聞出光效率從而提聞發(fā)光效率。
【附圖說明】
[0019]圖1為一實(shí)施方式的有機(jī)電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0020]圖2為一實(shí)施方式的有機(jī)電致發(fā)光器件的電子注入層結(jié)構(gòu)示意圖；
[0021]圖3為實(shí)施例1制備的有機(jī)電致發(fā)光器件的電流密度與流明效率關(guān)系圖。
【具體實(shí)施方式】
[0022]下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法進(jìn)一步闡明。
[0023]請參閱圖1，一實(shí)施方式的有機(jī)電致發(fā)光器件100包括依次層疊的陽極10、空穴注入層20、空穴傳輸層30、發(fā)光層40、電子傳輸層50、電子注入層60及陰極70。
[0024]陽極10為銦錫氧化物玻璃(ΙΤ0)、摻氟的氧化錫玻璃(FT0)，摻鋁的氧化鋅玻璃(AZO)或摻銦的氧化鋅玻璃(ΙΖ0)，優(yōu)選為ΙΤ0，陽極10的厚度為50nm?300nm，優(yōu)選為115nm。
[0025]空穴注入層20形成于陽極10表面?？昭ㄗ⑷雽?0的材料選自三氧化鑰(Mo03)、三氧化鎢(WO3)及五氧化二釩(V2O5)中的至少一種，優(yōu)選為Mo03?？昭ㄗ⑷雽?0的厚度為20nm ?80nm,優(yōu)選為 21nm。
[0026]空穴傳輸層30形成于空穴注入層20的表面。空穴傳輸層30的材料選自1，1_ 二[4-[N, N1-二(P-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷(TAPC)、4，4’，4’’_三(咔唑_9_基)三苯胺(TCTA)及N，N’ - (1-萘基)-N，N’ - 二苯基-4，4’ -聯(lián)苯二胺(NPB)中的至少一種，優(yōu)選為NPB。空穴傳輸層30的厚度為20nm?60nm，優(yōu)選為25nm。
[0027]發(fā)光層40形成于空穴傳輸層30的表面。發(fā)光層40的材料選自4- (二腈甲基)-2-丁基-6-( 1，1，7，7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃(DCJTB)、9，10-二 - β -亞萘基蒽(ADN)、4，4’ -雙(9-乙基-3-咔唑乙烯基)_1，I’ -聯(lián)苯(BCzVBi )及八羥基喹啉鋁(Alq3)中的至少一種，優(yōu)選為BCzVBi。發(fā)光層40的厚度為