為0.lnm/s?lnm/s,金屬及金屬化合物的蒸鍍速率為lnm/s?lOnm/s，所述電子束蒸鍍方式的工藝具體為:工作壓強為2X10_3?5X10_5Pa，電子束蒸鍍的能量密度為lOW/cm2?lOOW/cm2，有機材料的蒸鍍速率為0.lnm/s?lnm/s，金屬及金屬化合物的蒸鍍速率為lnm/s?10nm/s。
[0049]所述磁控濺射方式的工藝具體為:工作壓強為2X10—3?5X10_5Pa，蒸鍍速率為0.lnm/s?10nm/s，磁控濺射的加速電壓為300V?800V，磁場為50G?200G，功率密度為Iff/cm2 ?40W/cm2。
[0050]步驟S130、在電子注入層表面通過蒸鍍的方法制備陰極層70，陰極層70由材料為銀(Ag)、鋁(Al)、鉬(Pt)或金(Au)，優(yōu)選Ag，厚度為80nm?250nm，優(yōu)選厚度為132nm，蒸鍍制備的工作壓強為2X 1(Γ3?5Χ l(T5Pa,陰極的蒸鍍速率為lnm/s?10nm/s。
[0051]上述有機電致發(fā)光器件制備方法，工藝簡單，制備的有機電致發(fā)光器件的發(fā)光效率較高。
[0052]以下結(jié)合具體實施例對本發(fā)明提供的有機電致發(fā)光器件的制備方法進行詳細說明。
[0053]本發(fā)明實施例及對比例所用到的制備與測試儀器為:高真空鍍膜系統(tǒng)(沈陽科學(xué)儀器研制中心有限公司)，美國海洋光學(xué)Ocean Optics的USB4000光纖光譜儀測試電致發(fā)光光譜，美國吉時利公司的Keithley2400測試電學(xué)性能。
[0054]實施例1
[0055]本實施例制備的結(jié)構(gòu)IT0/Mo03/NPB/Alq3/Bphen/Ti02:Ca/Ag:Cz0XD/Ag 的有機電致發(fā)光器件，本實施例及以下實施例中“/”表示層，“:”表示摻雜。
[0056]在玻璃基底磁控濺射陽極，材料為ΙΤ0，再進行光刻處理，剪裁成所需要的大小，依次用洗潔精，去離子水，丙酮，乙醇，異丙醇各超聲15min，去除玻璃表面的有機污染物；清洗干凈后對導(dǎo)電基底進行合適的處理:氧等離子處理，處理時間為5min，功率為30W ;厚度為80nm，蒸鍍空穴注入層，材料為MoO3,厚度為25nm ;蒸鍍空穴傳輸層，材料為NPB，厚度為55nm ;蒸鍍發(fā)光層，材料為Alq3,厚度為16nm ;蒸鍍電子傳輸層，材料為Bphen,厚度為200nm ；電子注入層包括二氧化鈦摻雜層和金屬摻雜層，采用電子束蒸鍍二氧化鈦摻雜層，材料為T12: Ca，T12:與Ca的質(zhì)量比為0.07:1，厚度為80nm ;在所述二氧化鈦摻雜層表面通過熱阻蒸鍍方式制備金屬摻雜層，所述金屬摻雜層材料為Ag:CzOXD，Ag與CzOXD的質(zhì)量比為0.8:1，厚度為12nm，蒸鍍陰極，材料為Ag，厚度為120nm。
[0057]熱阻蒸鍍方式的具體工藝條件為:工作壓強為8X 10_5Pa，電流為3A，有機材料的蒸鍍速率為0.2nm/s，金屬及金屬化合物的蒸鍍速率為3nm/s。
[0058]電子束蒸鍍方式的具體工藝條件為:工作壓強為8X 10_5Pa，電子束蒸鍍的能量密度為50W/cm2，有機材料的蒸鍍速率為0.2nm/s，金屬及金屬化合物的蒸鍍速率為3nm/s。
[0059]磁控濺射工藝條件:磁控濺射條件為:工作壓強為8 X 10_4Pa，蒸鍍速率為0.2nm/s，磁控濺射的加速電壓為700V，磁場為120G，功率密度為250W/cm2。
[0060]請參閱圖3，所示為實施例1中制備的結(jié)構(gòu)為IT0/Mo03/NPB/Alq3/Bphen/Ti02:Ca/Ag:CzOXD/Ag的有機電致發(fā)光器件(曲線I)與對比例制備的結(jié)構(gòu)為IT0/Mo03/TCTA/Alq3/Bphen/CsF/Ag的有機電致發(fā)光器件(曲線2)的電流密度與流明效率的關(guān)系。對比例制備的有機電致發(fā)光器件中各層厚度與實施例1制備的有機電致發(fā)光器件中各層厚度相同。
[0061]從圖上可以看到，在不同的電流密度下，實施例1的流明效率都比對比例的要大，實施例1的最大流明效率為5.411m/W，而對比例的僅為4.431m/W，而且對比例的流明效率隨著電流密度的增大而快速下降，這說明，本發(fā)明專利通過制備電子注入層結(jié)構(gòu)層60由二氧化鈦摻雜層和金屬摻雜層組成，二氧化鈦摻雜層由二氧化鈦和低功函數(shù)的第一金屬組成，二氧化鈦的比表面積大，孔隙率高，可使光發(fā)生散射，使向兩側(cè)發(fā)射的光可以回到中間，低功函數(shù)的第一金屬可有效降低層間的電子注入勢壘，提高電子注入效率，同時，低功函數(shù)金屬載流子濃度較高，可提高器件的導(dǎo)電性，提高電子傳輸速率。金屬摻雜層由雙極性有機傳輸材料和高功函數(shù)第二金屬組成，雙極性有機傳輸材料具有傳輸空穴與傳輸電子的作用，可提高電子的傳輸速率降低與相鄰層之間的電子注入勢壘，提高其電子注入效率，具有較低的HOMO能級，可阻止空穴穿越到陰極而造成空穴淬滅，高功函數(shù)的第二金屬與陰極金屬的功函接近，可降低摻雜層與陰極之間的電子注入勢壘，提高電子注入效率，金屬有利于光的反射，可提聞出光效率從而提聞發(fā)光效率。
[0062]以下各個實施例制備的有機電致發(fā)光器件的流明效率都與實施例1相類似，各有機電致發(fā)光器件也具有類似的流明效率，在下面不再贅述。
[0063]實施例2
[0064]本實施例制備的結(jié)構(gòu)為AZ0/V205/TCTA/DCJTB/TAZ/Ti02:Mg/Al:2，6Dczppy/Pt 的有機電致發(fā)光器件。
[0065]在玻璃基底磁控濺射陽極，材料為ΑΖ0，再進行光刻處理，剪裁成所需要的大小，依次用洗潔精，去離子水，超聲15min，去除玻璃表面的有機污染物；蒸鍍空穴注入層:材料為V2O5,厚度為40nm ;蒸鍍空穴傳輸層:材料為TCTA，厚度為45nm ;蒸鍍發(fā)光層:所選材料為DCJTB，厚度為1nm ;蒸鍍電子傳輸層，材料為TAZ，厚度為65nm ;電子注入層包括二氧化鈦摻雜層和金屬摻雜層，采用電子束蒸鍍二氧化鈦摻雜層，材料為Ti02:Mg，T12與Mg的質(zhì)量比為0.05:1，厚度為20nm ;在所述二氧化鈦摻雜層表面通過熱阻蒸鍍方式制備金屬摻雜層，所述金屬摻雜層材料為Al: 2, 6Dczppy, Al與2，6Dczppy的質(zhì)量比為1:1，厚度為20nm,蒸鍍陰極，材料為Pt，厚度為80nm。
[0066]熱阻蒸鍍方式的具體工藝條件為:工作壓強為2X 10_3Pa，電流為5A，有機材料的蒸鍍速率為lnm/s，金屬及金屬化合物的蒸鍍速率為lOnm/s ；
[0067]電子束蒸鍍方式的具體工藝條件為:工作壓強為2X 10_3Pa，電子束蒸鍍的能量密度為lOOW/cm2，有機材料的蒸鍍速率為lnm/s，金屬及金屬化合物的蒸鍍速率為lOnm/s ；
[0068]磁控濺射工藝條件:工作壓強為2 X 10?,蒸鍍速率為lnm/s，磁控濺射的加速電壓為300V，磁場為50G，功率密度為40W/cm2。
[0069]實施例3
[0070]本實施例制備的結(jié)構(gòu)為IZ0/Mo03/NPB/Alq3/TPBi/Ti02:Sr/Pt:TRZ4/Al 的有機電致發(fā)光器件。
[0071]在玻璃基底磁控濺射陽極，材料為IZ0，再進行光刻處理，剪裁成所需要的大小，依次用洗潔精，去離子水，超聲15min，去除玻璃表面的有機污染物；蒸鍍空穴注入層:材料為MoO3，厚度為20nm ;蒸鍍空穴傳輸層:材料為NPB，厚度為60nm ;蒸鍍發(fā)光層:所選材料為Alq3，厚度為40nm ;蒸鍍電子傳輸層，材料為TPBi，厚度為200nm ;電子注入層包括二氧化鈦摻雜層和金屬摻雜層，采用電子束蒸鍍二氧化鈦摻雜層，材料為T12: Sr，T12:與Sr的質(zhì)量比為0.1:1，厚度為150nm ;在所述二氧化鈦摻雜層表面通過熱阻蒸鍍方式制備金屬摻雜層，所述金屬摻雜層材料為Pt:TRZ4，Pt與TRZ4的質(zhì)量比為0.8:1，厚度為12nm，蒸鍍陰極，材料為Al，厚度為250nm。
[0072]熱阻蒸鍍方式的具體工藝條件為:工作壓強為5X 10_5Pa，電流為2A，有機材料的蒸鍍速率為0.lnm/s，金屬及金屬化合物的蒸鍍