的出光效率，第二金屬材料為高功函數(shù)金屬具有自由電子較多，導(dǎo)電性強，可增強電子的傳輸速率的特點，從而提高發(fā)光效率。
[0059]以下各個實施例制備的有機電致發(fā)光器件的電流效率都與實施例1相類似，各有機電致發(fā)光器件也具有類似的電流效率，在下面不再贅述。
[0060]實施例2
[0061]本實施例制備的結(jié)構(gòu)為IZ0/V205/TAPC/DCJTB/TPBi/Rb2C03:FeBr3/Sr:Pt/Pt 的有機電致發(fā)光器件。
[0062]在玻璃基底磁控濺射陽極，材料為ΙΖ0，再進行光刻處理，剪裁成所需要的大小，依次用洗潔精，去離子水，超聲15min，去除玻璃表面的有機污染物；蒸鍍空穴注入層:材料為V2O5，厚度為40nm ;蒸鍍空穴傳輸層:材料為TAPC，厚度為45nm ;蒸鍍發(fā)光層:所選材料為DCJTB，厚度為8nm ;蒸鍍電子傳輸層，材料為TPBi，厚度為65nm ;電子注入層包括銣的化合物摻雜層和金屬摻雜層，采用電子束蒸鍍銣的化合物摻雜層，材料為Rb2CO3 = FeBr3, Rb2CO3與FeBr3的質(zhì)量比為8:1，厚度為30nm ;在所述銣的化合物摻雜層表面通過電子束蒸鍍方式制備金屬摻雜層，所述金屬摻雜層材料為Sr: Pt ,Sr與Pt的質(zhì)量比為20:1，厚度為20nm，蒸鍍陰極，材料為Pt，厚度為80nm。
[0063]熱阻蒸鍍方式的具體工藝條件為:工作壓強為2X 10_3Pa，電流為1A，有機材料的蒸鍍速率為lnm/s，金屬及金屬化合物的蒸鍍速率為lnm/s ；
[0064]磁控濺射工藝條件:工作壓強為2 X 10?,蒸鍍速率為lnm/s，磁控濺射的加速電壓為300V，磁場為50G，功率密度為40W/cm2。
[0065]實施例3
[0066]本實施例制備的結(jié)構(gòu)為IZ0/W03/NPB/ADN/TAZ/Rb2S04:Fe2S3/Ca:Al/Al 的有機電致發(fā)光器件。
[0067]在玻璃基底磁控濺射陽極，材料為ΙΖ0，再進行光刻處理，剪裁成所需要的大小，依次用洗潔精，去離子水，超聲15min，去除玻璃表面的有機污染物；蒸鍍空穴注入層:材料為WO3,厚度為20nm ;蒸鍍空穴傳輸層:材料為NPB，厚度為60nm ;蒸鍍發(fā)光層:所選材料為ADN,厚度為1nm ;蒸鍍電子傳輸層，材料為TAZ，厚度為200nm ；電子注入層包括銣的化合物摻雜層和金屬摻雜層，采用電子束蒸鍍銣的化合物摻雜層，材料為Rb2SO4 = Fe2S3, Rb2SO4與Fe2S3的質(zhì)量比為25:1，厚度為30nm ;在所述銣的化合物摻雜層表面通過電子束蒸鍍方式制備金屬摻雜層，所述金屬摻雜層材料為Ca: Al ,Ca與Al的質(zhì)量比為4:1，厚度為lOOnm，蒸鍍陰極，材料為Al，厚度為lOOnm。
[0068]熱阻蒸鍍方式的具體工藝條件為:工作壓強為2X 10_3Pa，電流為5A，有機材料的蒸鍍速率為lnm/s，金屬及金屬化合物的蒸鍍速率為lOnm/s ；
[0069]磁控濺射工藝條件:工作壓強為2 X 10?,蒸鍍速率為lnm/s，磁控濺射的加速電壓為800V，磁場為200G，功率密度為lW/cm2。
[0070]實施例4
[0071]本實施例制備的結(jié)構(gòu)為AZ0/V205/TAPC/Alq3/Bphen/RbCl:FeCl3/Yb:Au/Au 的有機電致發(fā)光器件。
[0072]在玻璃基底磁控濺射陽極，材料為AZO，再進行光刻處理，剪裁成所需要的大小，依次用洗潔精，去離子水，超聲15min，去除玻璃表面的有機污染物；蒸鍍空穴注入層:材料為V2O5，厚度為SOnm ;蒸鍍空穴傳輸層:材料為TAPC，厚度為25nm ;蒸鍍發(fā)光層:所選材料為Alq3，厚度為40nm ;蒸鍍電子傳輸層，材料為Bphen，厚度為35nm ;電子注入層包括銣的化合物摻雜層和金屬摻雜層，采用電子束蒸鍍銣的化合物摻雜層，材料為RbNO3 = Fe2S3, RbNO3與Fe2S3的質(zhì)量比為16:1，厚度為22nm ;在所述銣的化合物摻雜層表面通過電子束蒸鍍方式制備金屬摻雜層，所述金屬摻雜層材料為Yb:Au，Yb與Au的質(zhì)量比為11: 1，厚度為70nm，蒸鍍陰極，材料為Au，厚度為250nm。
[0073]熱阻蒸鍍方式的具體工藝條件為:工作壓強為2X 10_3Pa，電流為2.5A，有機材料的蒸鍍速率為lnm/s，金屬及金屬化合物的蒸鍍速率為2.5nm/s ；
[0074]磁控濺射工藝條件:工作壓強為2 X 10_4Pa，蒸鍍速率為6nm/s，磁控濺射的加速電壓為600V，磁場為10G，功率密度為30W/cm2。
[0075]以上所述實施例僅表達了本發(fā)明的幾種實施方式，其描述較為具體和詳細，但并不能因此而理解為對本發(fā)明專利范圍的限制。應(yīng)當(dāng)指出的是，對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的前提下，還可以做出若干變形和改進，這些都屬于本發(fā)明的保護范圍。因此，本發(fā)明專利的保護范圍應(yīng)以所附權(quán)利要求為準。
【主權(quán)項】
1.一種有機電致發(fā)光器件，其特征在于，包括依次層疊的陽極、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層及陰極，所述電子注入層由銣的化合物摻雜層和金屬摻雜層組成，所述銣的化合物摻雜層包括銣的化合物材料和摻雜在所述銣的化合物材料中的鐵鹽材料，所述銣的化合物材料選自碳酸銣、氯化銣、硝酸銣及硫酸銣中至少一種，所述鐵鹽材料選自氯化鐵、溴化鐵及硫化鐵中至少一種，所述金屬摻雜層包括第一金屬材料及摻雜在所述第一金屬材料中的第二金屬材料，所述第一金屬材料的功函數(shù)為-2.0eV?-3.5eV，所述第二金屬材料的功函數(shù)為-4.0eV?-5.5eV。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述銣的化合物摻雜層中所述銣的化合物材料與鐵鹽材料的質(zhì)量比為8:1?25:1，所述金屬摻雜層中所述第一金屬材料與所述第二金屬材料的質(zhì)量比為4:1?20:1。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述銣的化合物摻雜層厚度為5nm?30nm,所述金屬摻雜層厚度為20nm?lOOnm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述第一金屬選自銀、鋁、鉬及金中至少一種，所述第二金屬選自鎂、鍶、鈣及鐿中至少一種。
5.一種有機電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，包括以下步驟: 通過磁控濺射的方式在陽極表面依次形成空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層及電子傳輸層; 然后在電子傳輸層表面制備電子注入層，所述電子注入層由銣的化合物摻雜層和金屬摻雜層組成，所述電子注入層的制備方式為:在電子傳輸層表面通過熱阻蒸鍍的方法制備銣的化合物摻雜層，所述銣的化合物摻雜層包括銣的化合物材料和摻雜在所述銣的化合物材料中的鐵鹽材料，所述銣的化合物材料選自碳酸銣、氯化銣、硝酸銣及硫酸銣中至少一種，所述鐵鹽材料選自氯化鐵、溴化鐵及硫化鐵中至少一種，然后在所述銣的化合物摻雜層表面通過熱阻蒸鍍方式制備金屬摻雜層，所述金屬摻雜層包括第一金屬材料及摻雜在所述第一金屬材料中的第二金屬材料，所述第一金屬材料的功函數(shù)為-2.0eV?-3.5eV,所述第二金屬材料的功函數(shù)為-4.0eV?-5.5eV，及， 在所述電子注入層表面通過磁控濺射的方式形成陰極。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的有機電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于:所述銣的化合物摻雜層中所述銣的化合物材料與鐵鹽材料的質(zhì)量比為8:1?25:1，所述金屬摻雜層中所述第一金屬材料與所述第二金屬材料的質(zhì)量比為4:1?20:1。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的有機電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于:所述銣的化合物摻雜層厚度為5nm?30nm,所述金屬摻雜層厚度為20nm?lOOnm。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的有機電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于:所述熱阻蒸鍍方式的工藝具體為:工作壓強為2X 10_3?5X 10_5Pa，電流為IA?5A，有機材料的蒸鍍速率為0.lnm/s?lnm/s,金屬及金屬化合物的蒸鍍速率為lnm/s?10nm/s。
9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的有機電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于:所述磁控濺射方式的工藝具體為:工作壓強為2X 10_3?5X 10_5Pa，蒸鍍速率為0.lnm/s?10nm/s，磁控濺射的加速電壓為300V?800V，磁場為50G?200G，功率密度為lW/cm2?40W/cm2。
【專利摘要】一種有機電致發(fā)光器件，包括依次層疊的陽極、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層及陰極，電子注入層由銣的化合物摻雜層和金屬摻雜層組成，銣的化合物摻雜層包括銣的化合物材料和摻雜在所述銣的化合物材料中的鐵鹽材料，所述銣的化合物材料選自碳酸銣、氯化銣、硝酸銣及硫酸銣中至少一種，所述鐵鹽材料選自氯化鐵、溴化鐵及硫化鐵中至少一種，所述金屬摻雜層包括第一金屬材料及摻雜在所述第一金屬材料中的第二金屬材料，所述第一金屬材料的功函數(shù)為-2.0eV～-3.5eV，所述第二金屬材料的功函數(shù)為-4.0eV～-5.5eV。上述有機電致發(fā)光器件的發(fā)光效率較高。本發(fā)明還提供一種有機電致發(fā)光器件的制備方法。
【IPC分類】H01L51-56, H01L51-52, H01L51-54
【公開號】CN104659246
【申請?zhí)枴緾N201310585524
【發(fā)明人】周明杰, 黃輝, 張振華, 王平
【申請人】海洋王照明科技股份有限公司, 深圳市海洋王照明技術(shù)有限公司, 深圳市海洋王照明工程有限公司
【公開日】2015年5月27日
【申請日】2013年11月19日