傳輸速率，金屬摻雜層由第一金屬材料和第二金屬材料組成，第一金屬材料為低功函數(shù)金屬，可有效降低陰極與有機(jī)層之間的電子注入勢(shì)壘，提高陰極與有機(jī)層之間的電子注入效率，同時(shí)，低功函數(shù)金屬成膜后可對(duì)光有較強(qiáng)的反射作用，使光發(fā)生反射，提高反射效率，從而使往頂部發(fā)射的光反射回到底部出射，提高器件的出光效率，第二金屬材料為高功函數(shù)金屬具有自由電子較多，導(dǎo)電性強(qiáng)，可增強(qiáng)電子的傳輸速率的特點(diǎn)，從而提高發(fā)光效率。
[0034]可以理解，該有機(jī)電致發(fā)光器件100中也可以根據(jù)需要設(shè)置其他功能層。
[0035]一實(shí)施例的有機(jī)電致發(fā)光器件100的制備方法，其包括以下步驟:
[0036]步驟S110、在陽極10表面依次形成空穴注入層20、空穴傳輸層30、發(fā)光層40、電子傳輸層50及電子注入層60。
[0037]陽極10為銦錫氧化物玻璃(ΙΤ0)、摻氟的氧化錫玻璃(FT0)，摻鋁的氧化鋅玻璃(AZO)或摻銦的氧化鋅玻璃(ΙΖ0)，優(yōu)選為ΙΤ0，陽極10的厚度為50nm?300nm，優(yōu)選為130nmo
[0038]本實(shí)施方式中，在陽極10表面形成空穴注入層20之前先對(duì)陽極10進(jìn)行前處理，前處理包括:將陽極10進(jìn)行光刻處理，裁成所需要的大小，采用洗潔精、去離子水、丙酮、乙醇、異丙酮各超聲波清洗15min，以去除陽極10表面的有機(jī)污染物。采用磁控濺射的方式制備陽極，工藝具體為:工作壓強(qiáng)為2X 10_3?5X 10_5Pa，蒸鍍速率為0.lnm/s?10nm/S，磁控濺射的加速電壓為300V?800V，磁場(chǎng)為50G?200G，功率密度為lW/cm2?40W/cm2。
[0039]空穴注入層20形成于陽極10的表面。空穴注入層20由蒸鍍制備。空穴注入層20的材料選自三氧化鑰(Mo03)、三氧化鎢(WO3)及五氧化二釩(V2O5)中的至少一種，優(yōu)選為Mo03?？昭ㄗ⑷雽?0的厚度為20nm?80nm，優(yōu)選為25nm。蒸鍍?cè)谡婵諌毫?X 10_3?2X ICT4Pa下進(jìn)行,蒸鍍速率為0.lnm/s?lnm/s。
[0040]空穴傳輸層30形成于空穴注入層20的表面。空穴緩沖層30由蒸鍍制備。空穴傳輸層30的材料選自1，1-二 [4-[N，N' -二(P-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷(TAPC)、4，4’，4’’-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)及 N，N’ - (1-萘基)-N，N’- 二苯基-4，4’-聯(lián)苯二胺(NPB)中的至少一種，優(yōu)選為TCTA?？昭▊鬏攲?0的厚度為20nm?60nm，優(yōu)選為30nm。蒸鍍?cè)谡婵諌毫?X 1(Γ3?2Χ KT4Pa下進(jìn)行,蒸鍍速率為0.lnm/s?lnm/s。
[0041]發(fā)光層40形成于空穴傳輸層30的表面。發(fā)光層40由蒸鍍制備。發(fā)光層40的材料選自4- (二腈甲基)-2-丁基-6- (1，1，7，7_四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃(DCJTB)、9，10-二-β-亞萘基蒽(ADN)、4，4’_雙(9-乙基_3_咔唑乙烯基)-1，I，-聯(lián)苯(BCzVBi)及八羥基喹啉鋁(Alq3)中的至少一種，優(yōu)選為BCzVBi。發(fā)光層40的厚度為0.5nm?40nm,優(yōu)選為27nm。蒸鍍?cè)谡婵諌毫?X 1(Γ3?2Χ KT4Pa下進(jìn)行，蒸鍍速率為0.lnm/s ?lnm/sο
[0042]電子傳輸層50形成于發(fā)光層40的表面。電子傳輸層50的材料選自4，7_ 二苯基-1，10-菲羅啉(Bphen)、l，2，4-三唑衍生物(如TAZ)及N-芳基苯并咪唑(TPBI)中的至少一種，優(yōu)選為Bphen。電子傳輸層50的厚度為40nm?250nm,優(yōu)選為130nm。蒸鍍?cè)谡婵諌毫?X ICT3?2X ICT4Pa下進(jìn)行，蒸鍍速率為0.lnm/s?lnm/s。
[0043]步驟S120、電子注入層60形成于電子傳輸層50表面。電子注入層60由銣的化合物摻雜層601和金屬摻雜層602組成,所述電子注入層的制備方式為:在電子傳輸層表面通過熱阻蒸鍍的方法制備銣的化合物摻雜層，銣的化合物摻雜層601包括銣的化合物材料組和摻雜在所述銣的化合物材料中的鐵鹽材料，所述銣的化合物材料選自碳酸銣(Rb2C03)、氯化銣(RbCl)、硝酸銣(RbNO3)及硫酸銣(Rb2SO4)中至少一種，所述鐵鹽材料選自氯化鐵(FeCl3)、溴化鐵(FeBr3)及硫化鐵(Fe2S3)中至少一種，然后在所述銣的化合物摻雜層表面通過熱阻蒸鍍方式制備金屬摻雜層，所述金屬摻雜層包括第一金屬材料及摻雜在所述第一金屬材料中的第二金屬材料，所述第一金屬材料的功函數(shù)為-2.0eV?-3.5eV，所述第二金屬材料的功函數(shù)為-4.0eV?-5.5eV。
[0044]所述銣的化合物摻雜層601中所述銣的化合物材料與鐵鹽材料的質(zhì)量比為8:1?25:1,所述金屬摻雜層602中所述第一金屬材料與所述第二金屬材料的質(zhì)量比為4:1?20:1。
[0045]所述銣的化合物摻雜層601厚度為5nm?30nm,所述金屬摻雜層602厚度為20nm ?lOOnm。
[0046]所述熱阻蒸鍍方式的工藝具體為:工作壓強(qiáng)為2X 10_3?5X 10_5Pa，電流為IA?5A,有機(jī)材料的蒸鍍速率為0.lnm/s?lnm/s,金屬及金屬化合物的蒸鍍速率為lnm/s?1nm/sο
[0047]所述磁控濺射方式的工藝具體為:工作壓強(qiáng)為2X10—3?5X10_5Pa，蒸鍍速率為0.lnm/s?10nm/s，磁控濺射的加速電壓為300V?800V，磁場(chǎng)為50G?200G，功率密度為Iff/cm2 ?40W/cm2。
[0048]步驟S130、在電子注入層表面通過蒸鍍的方法制備陰極層70，陰極層70由材料為銀(Ag)、鋁(Al)、鉬(Pt)或金(Au)，優(yōu)選Ag，厚度為80nm?250nm，優(yōu)選厚度為130nm，蒸鍍制備的工作壓強(qiáng)為2X 1(Γ3?5Χ l(T5Pa,陰極的蒸鍍速率為lnm/s?10nm/s。
[0049]上述有機(jī)電致發(fā)光器件制備方法，工藝簡(jiǎn)單，制備的有機(jī)電致發(fā)光器件的發(fā)光效率較高。
[0050]以下結(jié)合具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明提供的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法進(jìn)行詳細(xì)說明。
[0051]本發(fā)明實(shí)施例及對(duì)比例所用到的制備與測(cè)試儀器為:高真空鍍膜系統(tǒng)(沈陽科學(xué)儀器研制中心有限公司)，美國(guó)海洋光學(xué)Ocean Optics的USB4000光纖光譜儀測(cè)試電致發(fā)光光譜，美國(guó)吉時(shí)利公司的Keithley2400測(cè)試電學(xué)性能。
[0052]實(shí)施例1
[0053]本實(shí)施例制備的結(jié)構(gòu)IT0/Mo03/NPB/Alq3/Bphen/RbCl:FeCl3/Mg:Ag/Ag 的有機(jī)電致發(fā)光器件，本實(shí)施例及以下實(shí)施例中“/”表示層，“:”表示摻雜。
[0054]在玻璃基底磁控濺射陽極，材料為IT0，再進(jìn)行光刻處理，剪裁成所需要的大小，依次用洗潔精，去離子水，丙酮，乙醇，異丙醇各超聲15min，去除玻璃表面的有機(jī)污染物；清洗干凈后對(duì)導(dǎo)電基底進(jìn)行合適的處理:氧等離子處理，處理時(shí)間為5min，功率為30W ;厚度為80nm，蒸鍍空穴注入層，材料為MoO3,厚度為25nm ;蒸鍍空穴傳輸層，材料為NPB，厚度為55nm ;蒸鍍發(fā)光層，材料為Alq3,厚度為16nm ;蒸鍍電子傳輸層，材料為Bphen,厚度為200nm ;電子注入層包括銣的化合物摻雜層和金屬摻雜層，采用熱阻蒸鍍銣的化合物摻雜層，材料為RbCl = FeCl3, RbCl與FeCl3的質(zhì)量比為15:1，厚度為1nm ;在所述銣的化合物摻雜層表面通過熱阻蒸鍍方式制備金屬摻雜層，所述金屬摻雜層材料為Mg:Ag，Mg與Ag質(zhì)量比為10:1，厚度為30nm，蒸鍍陰極，材料為Ag，厚度為120nm。
[0055]熱阻蒸鍍方式的具體工藝條件為:工作壓強(qiáng)為8X 10_5Pa，電流為2A，有機(jī)材料的蒸鍍速率為0.2nm/s，金屬及金屬化合物的蒸鍍速率為3nm/s。
[0056]磁控濺射工藝條件:磁控濺射條件為:工作壓強(qiáng)為8 X 10_4Pa，蒸鍍速率為0.2nm/s，磁控濺射的加速電壓為700V，磁場(chǎng)為120G，功率密度為250W/cm2。
[0057]請(qǐng)參閱圖3，所示為實(shí)施例1中制備的結(jié)構(gòu)為IT0/Mo03/NPB/A1 q3/Bphen/RbCl:FeCl3/Mg:Ag/Ag的有機(jī)電致發(fā)光器件(曲線I)與對(duì)比例制備的結(jié)構(gòu)為ΙΤ0/Μο03/TCTA/Alq3/Bphen/CsF/Ag的有機(jī)電致發(fā)光器件(曲線2)的電流密度與電流效率的關(guān)系。對(duì)比例制備的有機(jī)電致發(fā)光器件中各層厚度與實(shí)施例1制備的有機(jī)電致發(fā)光器件中各層厚度相問。
[0058]從圖上可以看到，在不同的電流密度下，實(shí)施例1的電流效率都比對(duì)比例的要大，實(shí)施例1的最大電流效率為8.4cd/A，而對(duì)比例的僅為6.6cd/A，而且對(duì)比例的電流效率隨著電流密度的增大而快速下降，這說明，本發(fā)明專利通過制備電子注入層結(jié)構(gòu)層60由銣的化合物摻雜層和金屬摻雜層組成組成，所述銣的化合物摻雜層包括銣的化合物材料組和摻雜在所述銣的化合物材料中的鐵鹽材料，銣的化合物熔點(diǎn)較低容易蒸鍍，因?yàn)橛薪饘匐x子的存在，并且功函數(shù)較低，所以有利于電子的注入，能夠降低電子的注入勢(shì)壘提高電子注入效率，同時(shí)，金屬銣元素的電子濃度較高，可提高電子的傳輸速率，鐵鹽材料的金屬離子比較活潑，可電離出很多自由電子，從而提高器件的導(dǎo)電性，加強(qiáng)電子的傳輸速率，金屬摻雜層由第一金屬材料和第二金屬材料組成，第一金屬材料為低功函數(shù)金屬，可有效降低陰極與有機(jī)層之間的電子注入勢(shì)壘，提高陰極與有機(jī)層之間的電子注入效率，同時(shí)，低功函數(shù)金屬成膜后可對(duì)光有較強(qiáng)的反射作用，使光發(fā)生反射，提高反射效率，從而使往頂部發(fā)射的光反射回到底部出射，提高器件