形成金屬層160之后與形成第二供氧層170之前，可進行一第二退火制作工藝。換言之，當選擇第一退火制作工藝與第二退火制作工藝都執(zhí)行時，是先執(zhí)行第二退火制作工藝后才形成第二供氧層170，并在形成第二供氧層170后才執(zhí)行第一退火制作工藝。第二退火制作工藝例如是于一般氣壓(例如一大氣壓力，latm)、300°C、氧氣濃度40%的環(huán)境中進行。在進行第二退火制作工藝時，金屬層160會從所接觸的第一供氧層120、氧化物半導體層130的源極區(qū)130S與漏極區(qū)130D以及退火環(huán)境中取得氧，故金屬層160會部分地被轉(zhuǎn)換為金屬氧化物絕緣層160a。本實施的第一退火制作工藝是在一第一環(huán)境中進行，第二退火制作工藝是在一第二環(huán)境中進行，第二環(huán)境的氧氣含量等于或高于第一環(huán)境的氧氣含量，且第一環(huán)境的溫度等于或高于第二環(huán)境的溫度。但是，本發(fā)明不限制第一退火制作工藝以及第二退火制作工藝的條件。
[0086]如圖7E所示，在基板110上方形成一平坦層180。之后，如圖7F所示，圖案化平坦層180、第二供氧層170以及金屬氧化物絕緣層160a，以形成暴露出源極區(qū)130S的一第一開口 Vl以及暴露出漏極區(qū)130D的一第二開口 V2。在本實施例中，是先形成平坦層180，再對依序?qū)ζ教箤?80、第二供氧層170以及金屬氧化物絕緣層160a進行圖案化以形成開口 ；但本發(fā)明不限于此。在另一實施例中，可先圖案化第二供氧層170以及金屬氧化物絕緣層160a，再形成平坦層180，并對平坦層180進行圖案化。請參照圖7G，形成一源極S與一漏極D，分別通過第一開口 Vl以及第二開口 V2電連接源極區(qū)130S與漏極區(qū)130D。至此步驟，另一薄膜晶體管已形成。在本實施例中，是以頂部柵極型薄膜晶體管為例來說，但本發(fā)明不限于此。
[0087]類似于圖4，圖8是包括本發(fā)明圖7G的實施例的薄膜晶體管的顯示面板的剖視圖，其中形成此顯示面板的制造過程包括以下步驟(未繪示)。在如圖7G所示的薄膜晶體管上形成一保護層192，并對保護層192進行圖案化，以形成暴露出漏極D的一第三開口 V3。在保護層192上形成一第一電極194，其中第一電極194通過第三開口 V3與漏極D電性連結(jié)，且第一電極194填滿第三開口 V3。在第一電極194上形成一像素隔離壁195，像素隔離壁195具有一第四開口 V4。在第四開口 V4中形成一發(fā)光層196 ;并在發(fā)光層196之上，形成一第二電極198，從而完成顯示面板的結(jié)構。第一電極194、發(fā)光層196以及第二電極198構成有機發(fā)光二極管OLED。有機發(fā)光二極管OLED的各膜層的詳細材質(zhì)與結(jié)構為本領域具有通常知識者所熟知，因此不再贅述。
[0088]基于上述，在本實施例中的退火制作工藝中第一供氧層、第二供氧層以及氧化物半導體層可提供金屬層氧化時足夠的氧，避免了金屬層在退火制作工藝中發(fā)生氧化不全的現(xiàn)象，改善氧化物半導體層的源極區(qū)以及漏極區(qū)的電性均勻度，使本發(fā)明的薄膜晶體管的漏極在柵極電壓驅(qū)動下具有較佳的電流均勻度。又，位于顯示面板的周邊區(qū)的金屬層在退火制作工藝中避免了氧化不全的現(xiàn)象，因此提高第一電源線與第二電源線的電阻值，進而避免第一電源線與第二電源線之間的短路，確保顯示面板可正常顯示。
[0089]圖9A至圖9D是本發(fā)明另一實施例的薄膜晶體管的制造方法的流程剖視圖。在本實施例中，薄膜晶體管的制造方法首先進行上述圖7A至圖7D的步驟。接著，請參照圖9A，在進行第一退火制作工藝使金屬層160轉(zhuǎn)換為金屬氧化物絕緣層160a之后，移除位于金屬氧化物絕緣層160a上方的第二供氧層170。
[0090]接著，如圖9B所示，在基板110上方形成一平坦層180。如圖9C所示，圖案化平坦層180以及金屬氧化物絕緣層160a，以形成暴露出源極區(qū)130S的一第一開口 Vl以及暴露出漏極區(qū)130D的一第二開口 V2。在本實施例中，是先形成平坦層180，再對依序?qū)ζ教箤?80以及金屬氧化物絕緣層160a進行圖案化以形成開口 ；但本發(fā)明不限于此。在另一實施例中，可先圖案化金屬氧化物絕緣層160a，再形成平坦層180，并對平坦層180進行圖案化。請參照圖9D，形成一源極S與一漏極D，分別通過第一開口 Vl以及第二開口 V2電連接源極區(qū)130S與漏極區(qū)130D。至此步驟，另一薄膜晶體管已形成。
[0091]類似于圖4，圖10是包括本發(fā)明圖9D的實施例的薄膜晶體管的顯示面板的剖視圖，在完成圖9D的薄膜晶體管之后，接著形成保護層192、第一電極194、像素隔離壁195、發(fā)光層196以及第二電極198，從而完成顯示面板的結(jié)構。第一電極194、發(fā)光層196以及第二電極198構成有機發(fā)光二極管0LED。有機發(fā)光二極管OLED的各膜層的詳細材質(zhì)與結(jié)構為本領域具有通常知識者所熟知，因此不再贅述。
[0092]承上述，在本實施例中的退火制作工藝中第一供氧層、第二供氧層以及氧化物半導體層提供金屬層氧化時足夠的氧，讓金屬層可以氧化完全，改善氧化物半導體層的源極區(qū)以及漏極區(qū)的電性均勻度，使本發(fā)明的薄膜晶體管的漏極在柵極電壓驅(qū)動下具有較佳的電流均勻度，也同時提高第一電源線與第二電源線的電阻值，避免第一電源線與第二電源線之間的短路，進而確保顯示面板可正常顯示。
[0093]圖1lA至圖1lD是本發(fā)明另一實施例的薄膜晶體管的制造方法的流程剖視圖。在本實施例中，薄膜晶體管的制造方法首先進行上述圖7A至圖7B的步驟，并且在基板110上方形成一金屬層160以覆蓋氧化物半導體層130、柵絕緣圖案140以及柵極150。接著，請參照圖11A，直接進行一第一退火制作工藝使金屬層160轉(zhuǎn)換為金屬氧化物絕緣層160a。第一退火制作工藝例如是于一般氣壓(例如一大氣壓力，latm)、340°C、氧氣濃度18%的環(huán)境中進行。在第一退火制作工藝中，金屬層160從所接觸的氧化物半導體層130、第一供氧層120以及退火環(huán)境中取得氧，使金屬層160可以被轉(zhuǎn)換成為金屬氧化物絕緣層160a。特別是，未與氧化物半導體層130以及第一供氧層120接觸的金屬層160不會轉(zhuǎn)換為金屬氧化物絕緣層160a，故本實施例中的金屬層160是部分地被轉(zhuǎn)換為金屬氧化物絕緣層160a，見圖11A。與金屬層160所接觸的部分氧化物半導體層130的氧濃度低于未與金屬層160所接觸的部分氧化物半導體層130的氧濃度。因此，氧化物半導體層130中氧濃度低的區(qū)域形成一源極區(qū)130S與一漏極區(qū)130D，氧化物半導體層130中氧濃度高的區(qū)域形成一通道區(qū)130C，其中源極區(qū)130S與漏極區(qū)130D具有較低的電阻值而具有較佳的導電率。
[0094]如圖1lB所示，在基板110上方形成一平坦層180。如圖1lC所示，圖案化平坦層180以及金屬氧化物絕緣層160a，以形成暴露出源極區(qū)130S的一第一開口 Vl以及暴露出漏極區(qū)130D的一第二開口 V2。在本實施例中，是先形成平坦層180，再對依序?qū)ζ教箤?80以及金屬氧化物絕緣層160a進行圖案化，形成開口 ；但本發(fā)明不限于此。在另一實施例中，可先圖案化金屬氧化物絕緣層160a，再形成平坦層180，并對平坦層180進行圖案化。請參照圖11D，形成一源極S與一漏極D，分別通過第一開口 Vl以及第二開口 V2電連接源極區(qū)130S與漏極區(qū)130D。至此步驟，另一薄膜晶體管已形成。
[0095]類似于圖4，圖12是包括本發(fā)明圖1lD的實施例的薄膜晶體管的顯示面板的剖視圖，在完成圖1lD的薄膜晶體管之后，接著形成保護層192、第一電極194、像素隔離壁195、發(fā)光層196以及第二電極198，從而完成顯示面板的結(jié)構。第一電極194、發(fā)光層196以及第二電極198構成有機發(fā)光二極管OLED。有機發(fā)光二極管OLED的各膜層的詳細材質(zhì)與結(jié)構為本領域具有通常知識者所熟知，因此不再贅述。
[0096]基于上述，在本實施例中的退火制作工藝中第一供氧層以及氧化物半導體層可提供金屬層氧化時足夠的氧，使金屬層在退火制作工藝中在特定區(qū)域內(nèi)避免了氧化不全的現(xiàn)象，可改善氧化物半導體層的源極區(qū)以及漏極區(qū)的電性均勻度，使本發(fā)明的薄膜晶體管的漏極在柵極電壓驅(qū)動下具有較佳的電流均勻度。也因此提高了位于顯示面板的周邊區(qū)的第一電源線與第二電源線的電阻值，避免第一電源線與第二電源線之間的短路，使顯示面板可正常顯示。
[0097]圖13A是現(xiàn)有的薄膜晶體管的漏極電流對柵極電壓(