板110包括一顯示區(qū)52以及位于顯示區(qū)52外圍的一周邊區(qū)54。一像素陣列100位于顯示區(qū)52中。像素陣列100具有多個像素結(jié)構(gòu)(未標(biāo)示)，每一像素結(jié)構(gòu)包括至少一薄膜晶體管Tl、T2以及與至少一薄膜晶體管Tl、T2電連接的一有機發(fā)光二極管OLED。根據(jù)本發(fā)明的一實施例，像素陣列100還包括多條掃描線SL、多條數(shù)據(jù)線DL以及多條電源線PL、GL(如圖2所示)，電源線PL、GL分別連接至位于周邊區(qū)54中的一第一電源線30以及一第二電源線40。第一電源線30例如是一高電壓電源線(連接至電壓OVDD)，而第二電源線40例如是一低電壓電源線(連接至電壓OVSS)，且一金屬氧化物絕緣層160a覆蓋于顯示區(qū)52以及周邊區(qū)545的第一電源線30以及第二電源線40上，以確保彼此電性隔離。
[0066]根據(jù)本發(fā)明的一實施例，薄膜晶體管Tl具有一柵極、一源極以及一漏極(未標(biāo)示)，其中源極與數(shù)據(jù)線DL電連接，柵極與掃描線SL電連接，且漏極與薄膜晶體管T2電連接。薄膜晶體管T2具有一柵極、一源極以及一漏極(未標(biāo)示)，其中柵極是與薄膜晶體管Tl的漏極電連接，源極是與電源線PL電連接，且漏極與有機發(fā)光二極管OLED電連接。一電容器C的一電極端是與薄膜晶體管Tl的漏極電連接，電容器C的另一電極端與薄膜晶體管T2的漏極電連接。有機發(fā)光二極管OLED包括一第一電極、一發(fā)光層以及一第二電極(未繪示)，其中第一電極與薄膜晶體管T2的漏極電連接，第二電極與電源線GL電性連結(jié)。在本實施例中，每一像素結(jié)構(gòu)是以兩個薄膜晶體管搭配一個電容器(2T1C)為例來說明，但并非用以限定本發(fā)明，本發(fā)明不限每一像素結(jié)構(gòu)內(nèi)的薄膜晶體管與電容器的個數(shù)。圖3A至圖3H是本發(fā)明一實施例的薄膜晶體管的制造方法的流程剖視圖。在圖3A至圖3H的制造流程中，是以薄膜晶體管T2為例來說明。雖然附圖沒有繪示出薄膜晶體管Tl的制造流程，但實際上，薄膜晶體管Tl的制造過程與薄膜晶體管T2相同。
[0067]首先，請參照圖3A，提供一基板110?；?10的材質(zhì)可為玻璃、石英、有機聚合物、或是不透光/反射材料(例如:導(dǎo)電材料、金屬、晶片、陶瓷、或其它可適用的材料)、或是其它可適用的材料。若使用導(dǎo)電材料或金屬時，則在基板110上覆蓋一層絕緣層(未繪示)，以避免短路問題。在基板I1上依序形成一氧化物半導(dǎo)體層130、一柵絕緣圖案140以及一柵極150 ;且柵絕緣圖案140以及柵極150暴露出部分的氧化物半導(dǎo)體層130。在本實施例中，上述氧化物半導(dǎo)體層130、柵絕緣圖案140以及柵極150的制造方法例如是先沉積一氧化半導(dǎo)體材料層(未繪示)在對其進行圖案化制作工藝以形成氧化物半導(dǎo)體層130 ;接著，沉積一柵絕緣材料層(未繪示)以及一柵極材料層(未繪示)對其進行圖案化制作工藝以形成柵絕緣圖案140以及柵極150。上述圖案化制作工藝?yán)缡枪饪涛g刻制作工藝，但本發(fā)明不限于此。
[0068]氧化物半導(dǎo)體層130的材質(zhì)例如是金屬氧化物半導(dǎo)體材料，例如是氧化銦鎵鋅(Indium-Gallium-Zinc Oxide, IGZ0)、氧化鋅(ZnO)氧化錫(SnO)、氧化銦鋅(Indium-ZincOxide, ΙΖ0)、氧化嫁鋅(Gallium-Zinc Oxide, GZ0)、氧化鋅錫(Zinc-Tin Oxide, ΖΤ0)或氧化銦錫(Indium-Tin Oxide, ΙΤ0)、或其它合適的材料、或上述的組合。柵絕緣圖案140的材料包含無機材料(例如:氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、其它合適的材料、或上述至少二種材料的堆疊層)、有機材料、或其它合適的材料、或上述的組合。柵極150的材料包含金屬、金屬氧化物、有機導(dǎo)電材料或上述的組合。在本實施例中，柵絕緣圖案140以及柵極150是一層結(jié)構(gòu)；但在其他實施例中，柵絕緣圖案140以及柵極150也可以是雙層結(jié)構(gòu)或多層堆疊結(jié)構(gòu)，本發(fā)明不限于此。在一實施例中，柵極150例如是鈦-鋁-鈦的三層結(jié)構(gòu)的復(fù)合金屬層O
[0069]請參照圖3B，在基板110上方依序形成一金屬層160，以覆蓋氧化物半導(dǎo)體層130、柵絕緣圖案140以及柵極150，且金屬層160直接與暴露出的部分氧化物半導(dǎo)體層130相接觸。金屬層160的材料包含鋁、鈦、銦或其他金屬。接著，在金屬層160上全面形成一供氧層170，如圖3C所示。供氧層170的材料包含氧化硅或金屬氧化物半導(dǎo)體材料(例如:銦錫鎵鋅氧化物、銦鎵鋅氧化物、銦錫鋅氧化物、銦鎵錫氧化物、錫鎵鋅氧化物、銦鋅氧化物、錫鋅氧化物、銦錫氧化物、銦鎵氧化物、錫鎵氧化物、鋅鎵氧化物、氧化銦、氧化錫、氧化鎵、氧化鋅)或其他適當(dāng)?shù)暮醪牧稀?br>[0070]然后，請參照圖3D，進行一第一退火制作工藝，以使金屬層160轉(zhuǎn)換為金屬氧化物絕緣層160a。第一退火制作工藝?yán)缡怯谝话銡鈮?例如一大氣壓力，latm)、340°C、氧氣濃度18%的環(huán)境中進行。本實施例中，整面的供氧層170直接接觸金屬層160。在第一退火制作工藝中，供氧層170可以提供金屬層160氧化時所需的氧，因此可確保金屬層160完全地轉(zhuǎn)換為金屬氧化物絕緣層160a，解決現(xiàn)有鋁薄膜氧化不完全所產(chǎn)生的問題。另外，在第一退火制作工藝中，金屬層160也會從所接觸的氧化物半導(dǎo)體層130中取得氧，使得與金屬層160所接觸的部分氧化物半導(dǎo)體層130的氧濃度低于未與金屬層160所接觸的部分氧化物半導(dǎo)體層130的氧濃度。氧化物半導(dǎo)體層130中氧濃度低的區(qū)域(亦即導(dǎo)電率相對較高的區(qū)域)形成一源極區(qū)130S與一漏極區(qū)130D，氧化物半導(dǎo)體層130中氧濃度高的區(qū)域(亦即導(dǎo)電率相對較低的區(qū)域)形成一通道區(qū)130C。
[0071]另外，在前述形成金屬層160之后與形成供氧層170之前，可進行一第二退火制作工藝。換言之，當(dāng)選擇第一退火制作工藝與第二退火制作工藝都執(zhí)行時，是先執(zhí)行第二退火制作工藝后才形成供氧層170，并在形成供氧層170后才執(zhí)行第一退火制作工藝。第二退火制作工藝?yán)缡怯谝话銡鈮?例如一大氣壓力，latm)、300°C、氧氣濃度40%的環(huán)境中進行。在進行第二退火制作工藝時，金屬層160會從所接觸的氧化物半導(dǎo)體層130的源極區(qū)130S與漏極區(qū)130D以及退火環(huán)境中取得氧，故金屬層160會部分地被轉(zhuǎn)換為金屬氧化物絕緣層160a。本實施的第一退火制作工藝是在一第一環(huán)境中進行，第二退火制作工藝是在一第二環(huán)境中進行，第二環(huán)境的氧氣含量等于或高于第一環(huán)境的氧氣含量，且第一環(huán)境的溫度等于或高于第二環(huán)境的溫度。但是，本發(fā)明不限制第一退火制作工藝以及第二退火制作工藝的條件，例如第二環(huán)境的氧氣含量也是可以等于第一環(huán)境的氧氣含量。
[0072]如圖3E所示，移除位于金屬氧化物絕緣層160a之上的供氧層170。接著，如圖3F所示，圖案化金屬氧化物絕緣層160a，以形成暴露出源極區(qū)130S的一第一子開口 VI’以及暴露出漏極區(qū)130D的一第二子開口 V2’ ο之后，如圖3G所示，在基板110上方形成一平坦層180，并對平坦層180進行圖案化，以形成暴露出源極區(qū)130S的一第一開口 Vl以及暴露出漏極區(qū)130D的一第二開口 V2。平坦層180的材料包含無機材料(例如:氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、其它合適的材料、或上述至少二種材料的堆疊層)、有機材料(例如:聚酯類(PET)、聚烯類、聚丙酰類、聚碳酸酯類、聚環(huán)氧烷類、聚苯烯類、聚醚類、聚酮類、聚醇類、聚醛類、或其它合適的材料、或上述的組合)、或其它合適的材料、或上述的組合。在本實施例中，是先圖案化金屬氧化物絕緣層160a，再形成平坦層180，并對平坦層180進行圖案化；但本發(fā)明不限于此。在另一實施例中，可先形成平坦層180，再對依序?qū)ζ教箤?80以及金屬氧化物絕緣層160a進行圖案化以形成開口。
[0073]接著，如圖3H所示，形成一源極S與一漏極D，分別通過第一開口 Vl以及第二開口V2電連接源極區(qū)130S與漏極區(qū)130D。至此步驟，一薄膜晶體管已形成。在本實施例中，是以頂部柵極型薄膜晶體管為例來說，但本發(fā)明不限于此。根據(jù)其他實施例，主動元件T1、T2也可以是底部柵極型薄膜晶體管。
[0074]圖4是包括本發(fā)明圖3Η的實施例的薄膜晶體管的顯示面板的剖視圖，其中形成此顯示面板的制造過程包括以下步驟(未繪示)。在如圖3Η所示的薄膜晶體管上形成一保護層192，并對保護層192進行圖案化，以形成暴露出漏極D的一第三開口 V3。在保