錐形弧面形成兩圈光帶。所述LED芯片之間由銀漿實(shí)現(xiàn)電連接，銀漿再連接到金屬線路層上。所述灌封硅膠沿光帶包覆所述LED芯片，所述圍壩膠設(shè)置于灌封膠兩側(cè)起到固定灌封膠的作用。所述兩側(cè)圍壩膠之間的寬度為6mm。
[0048]實(shí)施例3
[0049]本實(shí)施例公開的一種LED發(fā)光體，包括一個(gè)基座1、LED芯片2、金屬線路層3、灌封硅膠4和圍壩膠5。基座包括發(fā)光面7，所述基座為一軸向?qū)ΨQ的立體部件，所述發(fā)光面為與基座軸向呈一定角度傾斜的錐形弧面，所述基座中間沿軸向有一通孔8。所述金屬線路層直接涂覆在基座發(fā)光面上，所述LED芯片通過絕緣膠粘貼在基座發(fā)光面上，多個(gè)LED芯片呈點(diǎn)狀連續(xù)排列圍繞錐形弧面形成一圈光帶。所述LED芯片之間由金絲實(shí)現(xiàn)電連接，金絲再連接到金屬線路層上。所述灌封硅膠加入熒光粉混合均勻后沿光帶包覆所述LED芯片，所述圍壩膠設(shè)置于灌封膠兩側(cè)起到固定灌封膠的作用。所述兩側(cè)圍壩膠之間的寬度為4mm。
[0050]實(shí)施例4
[0051]本發(fā)明還提供一種所述LED發(fā)光體的制備方法，所述方法包括如下步驟:
[0052]A、在基座的發(fā)光面上涂覆金屬線路層，高溫烘烤至干燥；
[0053]B、用工裝夾具夾持基座，使基座發(fā)光面與LED芯片固定設(shè)備垂直，將LED芯片直接固定在基座的發(fā)光面上；
[0054]C、用金屬漿體通過壓焊將LED芯片正負(fù)極相連通實(shí)現(xiàn)電氣連接；
[0055]D、連接了所有芯片的金屬漿體正負(fù)極分別回焊在金屬線路層上實(shí)現(xiàn)電氣連接形成回路；
[0056]E、用工裝夾具夾持基座，使基座與噴膠設(shè)備垂直并延注膠方向旋轉(zhuǎn)，在芯片兩側(cè)粘貼圍現(xiàn)月父;
[0057]F、用工裝夾具夾持基座，使基座與噴膠設(shè)備垂直并延注膠方向旋轉(zhuǎn)，將灌封膠灌注在兩側(cè)的圍壩膠中間，將LED芯片完全包覆在內(nèi)。
[0058]優(yōu)選地，步驟B中的芯片通過絕緣膠或?qū)щ娔z粘貼在基座上。
[0059]優(yōu)選地，步驟C的金屬漿體通過壓焊連接LED芯片。
[0060]優(yōu)選地，步驟D的金屬漿體通過回焊方式連接到金屬線路層上。
[0061]優(yōu)選地，在步驟E和F之間，將熒光粉加入灌封膠中混合均勻。
[0062]優(yōu)選地，灌封膠的厚度大于兩側(cè)圍壩膠的厚度。
[0063]以上對本發(fā)明的具體實(shí)施例進(jìn)行了描述。需要理解的是，本發(fā)明并不局限于上述特定實(shí)施方式，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以在權(quán)利要求的范圍內(nèi)做出各種變形或修改，這并不影響本發(fā)明的實(shí)質(zhì)內(nèi)容。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種LED發(fā)光體，其特征在于，包括:基座、LED芯片、金屬線路層、封裝膠以及圍壩膠；所述基座包括發(fā)光面，所述發(fā)光面為與基座軸向呈一定角度的傾斜面，所述金屬線路層和LED芯片直接設(shè)置在基座發(fā)光面上，所述封裝膠包覆所述LED芯片，所述圍壩膠設(shè)置于封裝膠兩側(cè)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LED發(fā)光體，其特征在于，所述基座為軸向?qū)ΨQ的立體部件，所述一定角度是指大于零度且小于90度的角度，所述圍壩膠設(shè)置于封裝膠在基座徑向方向上的兩側(cè)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LED發(fā)光體，其特征在于，所述發(fā)光面為沿基座軸向旋轉(zhuǎn)形成的錐形弧面。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LED發(fā)光體，其特征在于，所述發(fā)光面為沿基座軸面旋轉(zhuǎn)形成的多平面連續(xù)面。
5.根據(jù)權(quán)利要求1、2、3或4所述的LED發(fā)光體，其特征在于，所述基座是陶瓷基座。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的LED發(fā)光體，其特征在于，所述基座中間沿軸向有一通孔。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LED發(fā)光體，其特征在于，所述LED芯片用絕緣膠或?qū)щ娔z固定在基座發(fā)光面上。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LED發(fā)光體，其特征在于，所述LED芯片的數(shù)量為多個(gè)，所述LED芯片在基座發(fā)光面上呈與基座軸向垂直的圈帶形式排列。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的LED發(fā)光體，其特征在于，多個(gè)LED芯片沿基座周向分布形成至少一圈光帶。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的LED發(fā)光體，其特征在于，所述基座在貼LED芯片的對應(yīng)位置形成階梯狀，以承載LED芯片。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LED發(fā)光體，其特征在于，所述LED芯片的數(shù)量為多個(gè)，所述LED芯片在基座發(fā)光面上呈沿基座軸向縱向多列形式排列。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LED發(fā)光體，其特征在于，所述LED芯片之間由金屬漿體或者金絲實(shí)現(xiàn)電氣連接，金屬漿體或者金絲再連接到金屬線路層上。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LED發(fā)光體，其特征在于，所述金屬線路層涂覆在基座發(fā)光面上。
14.根據(jù)權(quán)利要求12或13所述的LED發(fā)光體，其特征在于，所述金屬漿體或金屬線路層為銀。
15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LED發(fā)光體，其特征在于，所述封裝膠為硅膠。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的LED發(fā)光體，其特征在于，所述硅膠中包括熒光粉。
17.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LED發(fā)光體，其特征在于，所述兩側(cè)圍壩膠之間的寬度為2 — 6mm ο
18.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LED發(fā)光體，其特征在于，所述封裝膠的寬度與兩側(cè)圍壩膠之間的寬度相適應(yīng)。
19.一種如權(quán)利要求1?18中任一項(xiàng)所述的LED發(fā)光體的制備方法，其特征在于，所述方法包括如下步驟: A、在基座的發(fā)光面上涂覆金屬線路層，高溫烘烤至干燥； B、將LED芯片直接固定在基座的發(fā)光面上； C、用金屬漿體將LED芯片以串聯(lián)方式實(shí)現(xiàn)電氣連接； D、通過金屬漿體將串聯(lián)的LED芯片在金屬線路層電氣連接形成回路； E、在LED芯片兩側(cè)粘貼圍壩膠； F、將封裝膠設(shè)置在兩側(cè)的圍壩膠中間，將LED芯片完全包覆在內(nèi)。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的LED發(fā)光體的制備方法，其特征在于，在步驟B中，將LED芯片通過絕緣膠或?qū)щ娔z粘貼在基座發(fā)光面上。
21.根據(jù)權(quán)利要求19所述的LED發(fā)光體的制備方法，其特征在于，在步驟C中，將金屬漿體通過壓焊連接LED芯片。
22.根據(jù)權(quán)利要求19所述的LED發(fā)光體的制備方法，其特征在于，在步驟D中，將金屬漿體通過回焊方式連接到金屬線路層上。
23.根據(jù)權(quán)利要求19所述的LED發(fā)光體的制備方法，其特征在于，在步驟E和F之間，還包括步驟:將熒光粉加入封裝膠中混合均勻。
24.根據(jù)權(quán)利要求19所述的LED發(fā)光體的制備方法，其特征在于，封裝膠的厚度大于兩側(cè)圍壩膠的厚度。
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種LED發(fā)光體，包括：基座、LED芯片、金屬線路層、封裝膠以及圍壩膠；所述基座包括發(fā)光面，所述發(fā)光面為與基座軸向呈一定角度的傾斜面，所述金屬線路層和LED芯片直接設(shè)置在基座發(fā)光面上，所述封裝膠包覆所述LED芯片，所述圍壩膠設(shè)置于封裝膠兩側(cè)。本發(fā)明還提供相應(yīng)的制備方法。本發(fā)明中LED芯片產(chǎn)生的熱量通過膠體直接傳導(dǎo)到基座上，提高了散熱速度和效果，并且封裝膠在圍壩膠之間利用表面張力的作用不隨意流動(dòng)，進(jìn)而固化從而達(dá)到封裝LED芯片的作用，而且整個(gè)LED發(fā)光體的制備工藝簡單，成本低廉。通過該方法制作的LED發(fā)光體出光均勻，眩光較小。
【IPC分類】H01L33-54, H01L33-48, H01L25-075, H01L33-64
【公開號(hào)】CN104659027
【申請?zhí)枴緾N201510067981
【發(fā)明人】陳必壽, 何孝亮, 程愛群, 葛立斌
【申請人】上海三思電子工程有限公司, 上海三思科技發(fā)展有限公司, 嘉善三思光電技術(shù)有限公司, 三思光電科技（上海）有限公司
【公開日】2015年5月27日
【申請日】2015年2月9日