襯底2中固定LED管芯4。當(dāng)然，在這種情況下，也有可能，為了實現(xiàn)具有特定曲率的邊界表面33并且因此的特定光學(xué)元件或透鏡(未示出)，給出在LED頂表面5的區(qū)域中的襯底頂側(cè)9的特定形狀。
[0105]圖12示出如何制造具有嵌在襯底2中的LED管芯4的LED封裝I。首先，在平坦輔助支撐27上固定LED管芯4，其中LED底表面6面對輔助支撐27。然后，在輔助支撐27上設(shè)置輔助架30，輔助架30對于化合物19為不滲透的。因此，輔助架30圍繞LED封裝I的所有LED管芯4，并且劃定襯底2的橫向尺寸。在下一步驟中，在LED管芯4之間填充化合物19，以便通過化合物19圍繞所有LED管芯4。在示出的實例(圖12)中，也通過化合物19覆蓋LED頂表面5。當(dāng)通過化合物19圍繞LED管芯4時，避免形成氣泡是重要的。為了去除氣泡，施加真空脫氣(未示出)。
[0106]在輔助架30可以被去除和具有嵌入的LED管芯4的襯底2可以被剝離輔助支撐27之前，化合物19必須被固化。取決于化合物材料，可以以不同方式進(jìn)行固化，例如，通過施加熱或通過暴露到UV光。
[0107]制造具有嵌在襯底2中的LED管芯4的LED封裝I的這種方式允許這樣的LED底表面6，其與襯底底側(cè)10完美地共面。后者促進(jìn)用于形成接觸電極11的導(dǎo)電材料22的膜的沉積。
[0108]可以以不同方式進(jìn)行導(dǎo)電材料22的膜的沉積。一種方式為通過掩模20的開口 21蒸發(fā)金屬。掩模20需要與LED管芯4的各自的接觸區(qū)域與陽極7/陰極8對準(zhǔn)。掩模20開口 21對應(yīng)于要形成的接觸電極11的橫向形狀。在圖6中示出的實例中，掩模開口 21不僅類似于接觸電極11的直接圖像，而且類似于電路3的直接圖像。因此，當(dāng)通過掩模開口21蒸發(fā)金屬時，不僅形成用于LED封裝I的所有LED管芯4的接觸電極11，而且同時形成電路3，參見圖7。
[0109]掩模20典型地由具有幾十微米的厚度(例如，50μπι)的不銹鋼板組成。例如，可以使用激光切割制造掩模開口 21。
[0110]通過蒸發(fā)工藝，可以沉積諸如鉻、銅、鋁或鎳的金屬的單層23或多層。原則上，具有不同金屬的層的順序可以為被任意選擇，包括周期性的和交替的順序。
[0111]優(yōu)選使用至少一個熱蒸發(fā)器和/或至少一個磁控濺射源極和/或至少一個電弧蒸發(fā)器來進(jìn)行金屬層23的蒸發(fā)，其中在真空室(未示出)中執(zhí)行蒸發(fā)。后者典型地暗示具有大約10~-6毫巴或以下的典型的壓力的高真空條件。
[0112]相似地，通過首先蒸發(fā)金屬層23并且連續(xù)地施加光刻可以完成導(dǎo)電材料22的膜的沉積，光刻包括接觸和投影光刻-用于分別形成接觸電極11和電路3的部分或整個電路3。圖8示出具有LED管芯4的LED封裝I的切口，在基于接觸光刻的示例性光刻工藝的步驟期間，在各自凹陷14中設(shè)置該LED管芯4。在這種情況下，金屬層23或金屬多層(如上文詳細(xì)描述)已經(jīng)被蒸發(fā)到整個襯底底側(cè)10和整個LED底表面6上。然后，用光致抗蝕劑24涂覆整個金屬層23。然后，具有掩模開口 21的掩模20與LED管芯4的陽極7/陰極8對準(zhǔn)。然后，使用UV光，通過掩模開口 21暴露光致抗蝕劑24。
[0113]取決于正性或負(fù)性光致抗蝕劑24是否被使用，形成類似接觸電極11以及電路3的負(fù)性或直接圖像的掩模開口 21。在圖8示出的實例中，使用負(fù)性光致抗蝕劑，其中未暴露的區(qū)域被顯影劑溶解，并且因此在連續(xù)地顯影工藝中被洗掉。因此，形成類似接觸電極11和電路3的直接圖像的在圖8中的掩模開口 21。光致抗蝕劑24的暴露區(qū)域在顯影工藝中被保留，并且保護(hù)下面的金屬層23不受連續(xù)的蝕刻工藝的損害。最后，接觸電極11和電路3如圖9所示的那樣而留下。
[0114]為了提供相對于彼此為基本上共面的接觸電極，可以施加介電層34用于平面化，參見圖14。在該介電層34中，例如，由聚(對-亞二甲苯基(p-xylylene))聚合物制成，還被已知為商品名聚對二甲苯，形成開口 35。這些開口 35類似于要被形成的接觸電極11的平面形狀的直接圖像，并且相應(yīng)地與LED管芯4的各自的接觸區(qū)域和陽極7/陰極8對準(zhǔn)。金屬被通過這些介電層開口 35蒸發(fā)到介電層34上，從而，分別地在介電層開口 35中、在介電層34中以及在其之間形成連續(xù)的導(dǎo)電材料22的膜和金屬層23。在最后步驟中，在不屬于接觸電極11和/或電路3以及共面的接觸電極11和/或在介電層34上剩下的電路3的區(qū)域中，從介質(zhì)層34去除金屬層23，參見圖14。如上文所述，通過光刻使用掩模20執(zhí)行該最后步驟。
[0115]沒有使用真空室的必要性，同樣進(jìn)行導(dǎo)電材料22的膜的沉積。這通過使用導(dǎo)電膏25作為導(dǎo)電材料22能夠達(dá)到，參見圖11。在這樣的情況下，掩模20 (具有類似于要被形成的接觸電極11和電路3的各自的直接圖像的掩模開口 21)與管芯4的陽極7和陰極8對準(zhǔn)，并且被分別放置到襯底底側(cè)10和LED底表面6上。然后，簡單地通過使用刮刀29施加導(dǎo)電膏25。在圖11的開口中示出在掩模20之上如何移動刮刀29，以便通過掩模開口 21施加導(dǎo)電膏25并且去除過量的導(dǎo)電膏25。箭頭表明刮刀29的移動的方向。
[0116]在施加導(dǎo)電膏25之后，去除掩模20并且固化剩余的導(dǎo)電膏25。取決于導(dǎo)電膏組分，固化可以被以不同方式而進(jìn)行，并且典型地涉及膏的聚合。例如，導(dǎo)電膏25為填充有小導(dǎo)電顆粒(例如，銀粉)的聚合物溶液。在這種情況下，通過溫度，或?qū)τ谔囟愋偷母?，隨著時間推移通過溶劑的蒸發(fā)，可以典型地觸發(fā)聚合。
[0117]如果使用光敏導(dǎo)電膏，涉及類似于光刻的進(jìn)一步步驟，如結(jié)合上文所述的圖8。代替于金屬層23，將光敏導(dǎo)電膏25施加到整個襯底底側(cè)10和LED底表面6。在這樣的情況下，不需要光致抗蝕劑24。代替地，掩模20與LED管芯4的陽極7和陰極8對準(zhǔn)，掩模20直接在光敏導(dǎo)電膏25的上方。
[0118]類似于光刻，存在這樣的導(dǎo)電膏25，其表現(xiàn)與負(fù)性光致抗蝕劑24或正性光致抗蝕劑24相類似。這意味著取決于導(dǎo)電膏25的特定類型，到UV光的暴露可以觸發(fā)或阻止導(dǎo)電膏25的固化。在前一種情況下，使用具有類似于要被形成的接觸電極11和電路3的各自的直接圖像的開口 21的掩模20。在下文中，“負(fù)性”光敏導(dǎo)電膏25被暴露到UV光，并且固化光敏導(dǎo)電膏25的暴露的區(qū)域。然后，去除掩模20并且使用適當(dāng)?shù)娜軇┫吹粑幢┞兜墓饷魧?dǎo)電膏25，例如，諸如碳酸鈉(Na2CO3)溶液的堿性溶液。
[0119]如果采用“正性”導(dǎo)電膏25，使用具有類似于接觸電極11和電路3的各自的負(fù)性圖像的開口 21的掩模20，像圖15中所示的。在下文中，“正性”光敏導(dǎo)電膏25被暴露到UV光，并且僅僅固化光敏導(dǎo)電膏25的未暴露的區(qū)域。然后，去除掩模20并且使用適當(dāng)?shù)娜軇┫吹舯┞兜墓饷魧?dǎo)電膏25，例如，諸如碳酸鈉(Na2CO3)溶液的堿性溶液。
[0120]附圖標(biāo)記列表
[0121]I LED 封裝
[0122]2 襯底
[0123]3 電路
[0124]4 LED 管芯
[0125]5 LED 頂表面
[0126]6 LED 底表面
[0127]7 陽極
[0128]8 陰極
[0129]9襯底頂側(cè)
[0130]10襯底底側(cè)
[0131]11接觸電極
[0132]12接觸區(qū)域的部分
[0133]13襯底底側(cè)的部分
[0134]14在襯底中的凹陷
[0135]15在襯底中的孔
[0136]16凹陷的內(nèi)表面
[0137]17在襯底頂側(cè)的涂覆的部分
[0138]18孔的內(nèi)表面
[0139]19化合物
[0140]20 掩模
[0141]21掩模開口
[0142]22導(dǎo)電材料
[0143]23金屬層
[0144]24光致抗蝕劑
[0145]25導(dǎo)電膏
[0146]26 透鏡
[0147]27輔助支撐
[0148]28金屬涂層
[0149]29 刮刀
[0150]30輔助架
[0151]31線結(jié)合
[0152]32環(huán)氧樹脂殼
[0153]33化合物的邊界表面
[0154]34介電層
[0155]35介電層開口
[0156]36在孔的內(nèi)表面上的涂覆的部分
【主權(quán)項】
1.一種LED( “發(fā)光二級管”)封裝