薄膜晶體管結(jié)構(gòu)及其制備方法、陣列基板、掩膜板的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種薄膜晶體管結(jié)構(gòu)及其制備方法、陣列基 板、掩膜板。
【背景技術(shù)】
[0002] 隨著顯示技術(shù)的發(fā)展，人們對各項顯示性能的要求也越來越高。在影響薄膜晶體 管的顯示性能的參數(shù)中，上升電流備受關(guān)注，提高上升電流能夠有效提高薄膜晶體管結(jié)構(gòu)
【主權(quán)項】
1. 一種薄膜晶體管結(jié)構(gòu)，包括：同層設(shè)置的源極和漏極，其特征在于，所述源極包括第 一連續(xù)彎折部，所述漏極包括第二連續(xù)彎折部，所述第一連續(xù)彎折部與所述第二連續(xù)彎折 部交錯間隔，且所述第一連續(xù)彎折部在所述第二連續(xù)彎折部上的投影覆蓋所述第二連續(xù)彎 折部的至少部分結(jié)構(gòu)。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一連續(xù)彎折部和所述 第二連續(xù)彎折部均為螺旋狀。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的薄膜晶體管結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一連續(xù)彎折部和所述 第二連續(xù)彎折部的形狀為下述任一種；正方形螺旋狀、任意多邊形螺旋狀、圓形螺旋狀或楠 圓形螺旋狀。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一連續(xù)彎折部和所述 第二連續(xù)彎折部均為銀齒狀。
5. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的薄膜晶體管結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一連續(xù)彎折部和所述 第二連續(xù)彎折部的形狀為下述任一種；方形銀齒狀、=角形銀齒狀或圓弧形銀齒狀。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述薄膜晶體管結(jié)構(gòu)還包括 柵極層，W及設(shè)于所述柵極層上的有源層，所述有源層上設(shè)有所述源極和所述漏極，所述柵 極層和所述有源層均為圓形結(jié)構(gòu)。
7. -種陣列基板，其特征在于，包括：權(quán)利要求1至6任一項所述的薄膜晶體管結(jié)構(gòu)。
8. -種掩膜板，其特征在于，包括掩膜板主體，所述掩膜板主體包括透光區(qū)和不透光 區(qū)，所述不透光區(qū)包括第一不透光區(qū)和第二不透光區(qū)，所述第一不透光區(qū)用于掩膜包括第 一連續(xù)彎折部的源極，所述第二不透光區(qū)用于掩膜包括第二連續(xù)彎折部的漏極，所述第一 連續(xù)彎折部與所述第二連續(xù)彎折部交錯間隔，且所述第一連續(xù)彎折部在所述第二連續(xù)彎折 部上的投影覆蓋所述第二連續(xù)彎折部的至少部分結(jié)構(gòu)。
9. 一種薄膜晶體管結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，包括： 形成有源層； 通過構(gòu)圖工藝在所述有源層上形成包括源極和漏極的圖形，所述源極包括第一連續(xù)彎 折部，所述漏極包括第二連續(xù)彎折部，所述第一連續(xù)彎折部與所述第二連續(xù)彎折部交錯間 隔，且所述第一連續(xù)彎折部在所述第二連續(xù)彎折部上的投影覆蓋所述第二連續(xù)彎折部的至 少部分結(jié)構(gòu)。
10. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的制備方法，其特征在于，所述第一連續(xù)彎折部和所述第二連 續(xù)彎折部均為螺旋狀；所述第一連續(xù)彎折部和所述第二連續(xù)彎折部的形狀為下述任一種： 正方形螺旋狀、任意多邊形螺旋狀、圓形螺旋狀或楠圓形螺旋狀。
11. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的制備方法，其特征在于，所述第一連續(xù)彎折部和所述第二連 續(xù)彎折部均為銀齒狀；所述第一連續(xù)彎折部和所述第二連續(xù)彎折部的形狀為下述任一種： 方形銀齒狀、=角形銀齒狀或圓弧形銀齒狀。
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種薄膜晶體管結(jié)構(gòu)及其制備方法、陣列基板、掩膜板，涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，為解決薄膜晶體管結(jié)構(gòu)的充電效率較低的問題。所述薄膜晶體管結(jié)構(gòu)包括：同層設(shè)置的源極和漏極，所述源極包括連續(xù)彎折設(shè)置的第一連續(xù)彎折部，所述漏極包括連續(xù)彎折設(shè)置的第二連續(xù)彎折部，所述第一連續(xù)彎折部與所述第二連續(xù)彎折部交錯間隔，且所述第一連續(xù)彎折部在所述第二連續(xù)彎折部上的投影覆蓋所述第二連續(xù)彎折部的至少部分結(jié)構(gòu)。所述陣列基板包括上述技術(shù)方案所提的薄膜晶體管結(jié)構(gòu)，本發(fā)明提供的薄膜晶體管結(jié)構(gòu)、陣列基板及顯示裝置用于實現(xiàn)顯示功能。
【IPC分類】H01L29-786, H01L29-08, H01L21-336, G03F1-26
【公開號】CN104600124
【申請?zhí)枴緾N201510030108
【發(fā)明人】李哲, 尚飛, 邱海軍
【申請人】重慶京東方光電科技有限公司, 京東方科技集團股份有限公司
【公開日】2015年5月6日
【申請日】2015年1月21日