105] 對比例4
[0106] 對比例4的有機(jī)電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)為ITO/TAPC/CBP:FIrpic/Bphen/CsF/ Mg-Al，對比例4中各層的厚度及材料與實(shí)施例4相同，其不同在于對比例4中空穴傳輸層 的材料為TAPC。
[0107] 實(shí)施例5
[0108] 本實(shí)施例制備的有機(jī)電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)為：ITO/CuF:CuF2 :TCTA/CBP: FCNIrpic/TPBi/CsF/Mg-Al〇
[0109] 該實(shí)施例的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備如下：
[0110] (1)將IT0玻璃基底依次用洗潔精，去離子水，超聲15min，去除玻璃表面的有機(jī)污 染物，IT0導(dǎo)電玻璃的方塊電阻為30Q/sq。
[0111] (2)在真空度為lXl(T4Pa的真空鍍膜系統(tǒng)中，在導(dǎo)電陽極IT0表面制備空穴傳輸 層，空穴傳輸層的材料包括有機(jī)空穴傳輸材料及摻雜在有機(jī)空穴傳輸材料中的摻雜材料， 有機(jī)空穴傳輸材料為TAPC，摻雜材料為CuF和CuF2的混合物，CuF和CuF2的質(zhì)量比為1: 1， 摻雜材料與TAPC的質(zhì)量比為30 :100,空穴傳輸層的厚度為40nm，其中CuF，CuF2采用電子 束蒸發(fā)，蒸發(fā)速度均為〇. 〇15nm/s，TCTA采用熱阻蒸發(fā)，蒸發(fā)速度為0.lnm/s。
[0112] (3)在真空度為lXl(T4Pa的真空鍍膜系統(tǒng)中，采用熱阻蒸發(fā)技術(shù)在空穴傳輸層表 面制備發(fā)光層，材質(zhì)包括CBP以及摻雜在CBP中的FCNIrpic，發(fā)光層的厚度為20nm。其中 FCNIrpic與CBP的質(zhì)量比為30:100，F(xiàn)CNIrpic的蒸發(fā)速度為0. 03nm/s，CBP的蒸發(fā)速度為 0?lnm/s〇
[0113] (4)在真空度為lXl(T4Pa的真空鍍膜系統(tǒng)中，采用熱阻蒸發(fā)技術(shù)在發(fā)光層表面制 備電子傳輸層，材質(zhì)為TPBi，厚度為30nm，蒸發(fā)速度為0. 5nm/s。
[0114] (5)在真空度為lXl(T4Pa的真空鍍膜系統(tǒng)中，采用熱阻蒸發(fā)技術(shù)在電子傳輸層上 制備陰極，陰極包括氟化物層及層疊于氟化物層表面的金屬層，氟化物層的材料為CsF，金 屬層的材料為Mg-Al，其中氟化物層的厚度為lnm，金屬層的厚度為100nm。制備氟化物層的 蒸發(fā)速度為〇.lnm/s，制備金屬層的蒸發(fā)速度為lnm/s。
[0115] 本實(shí)施例得到結(jié)構(gòu)為：IT0/CuF:CuF2 :TCTA/CBP:FCNIrpic/TPBi/CsF/Mg-Al的有 機(jī)電致發(fā)光器件。
[0116] 對比例5
[0117] 對比例5的有機(jī)電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)為：IT0/TCTA/CBP:FCNIrpic/TPBi/CsF/ Mg-Al，對比例5中各層的厚度及材料與實(shí)施例1相同，其不同在于對比例5不設(shè)置空穴注 入層。
[0118]采用四探針測試儀測試實(shí)施例1?5的有機(jī)電致發(fā)光器件及對比例1?5的有機(jī) 電致發(fā)光器件中空穴傳輸層的電導(dǎo)率（即在空穴傳輸層上制備發(fā)光層之前進(jìn)行測試空穴傳 輸層的電導(dǎo)率)，其結(jié)果見表1。
[0119] 表 1
[0120]
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種有機(jī)電致發(fā)光器件，包括導(dǎo)電陽極基底，w及依次層疊在導(dǎo)電陽極基底的陽極 層上的空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層和陰極，所述陽極層的材料為鋼錫氧化物，其特征 在于，所述空穴傳輸層的材料包括有機(jī)空穴傳輸材料及慘雜在所述有機(jī)空穴傳輸材料中的 慘雜材料，所述慘雜材料為銅的氧化物或銅的氣化物，所述銅的氧化物選自氧化銅及氧化 亞銅中的至少一種，所述銅的氣化物選自氣化銅及氣化亞銅中的至少一種，所述有機(jī)空穴 傳輸材料的HOMO能級為5. OeV?5. 4eV，所述慘雜材料與所述有機(jī)空穴傳輸材料的質(zhì)量比 為 5:100 ?30:100。
2. 如權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述空穴傳輸層的厚度為 30nm ?lOOnm。
3. 如權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述有機(jī)空穴傳輸材料選自 N，N'-二苯基-N，N'-二（1-蔡基）-1，1'-聯(lián)苯-4,4'-二胺、4,4'，4''-H (N-3-甲基苯 基-N-苯基氨基）H苯胺、N，N' -二苯基-N，N' -二（3-甲基苯基）-1，1' -聯(lián)苯-4, 4' -二 胺、N，N，N'，N'-四甲氧基苯基）-對二氨基聯(lián)苯、4, 4'，4' ' - H (巧哇-9-基）H苯胺及1， 1-二（4-(N，N'-二（P-甲苯基）氨基）苯基）環(huán)己焼中的至少一種。
4. 如權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述發(fā)光層的材料為磯光材 料與主體材料混合而成的混合物，所述磯光材料選自雙（4, 6-二氣苯基化巧-N, C2)化巧 甲醜合鑲、雙（4, 6-二氣苯基化巧）-四（1-化哇基）測酸合鑲、雙（4, 6-二氣-5-氯基苯基 化巧-N，C2)化巧甲酸合鑲、二（2' ,4'-二氣苯基）化巧](四哇化巧）合鑲、二（2-甲 基-二苯基[f，h]唾喔晰）（己醜丙麗）合鑲、二（1-苯基異唾晰）（己醜丙麗）合鑲、己醜丙 麗酸二（2-苯基化巧)鑲、H( 1-苯基-異唾晰)合鑲及H(2-苯基化巧)合鑲中的至少一種， 所述主體材料選自（4, 4'-二（9-巧哇）聯(lián)苯)、8-輕基唾晰鉛、1，3, 5-H (1-苯基-1H-苯 并咪哇-2-基）苯及N, N'-二苯基-N, N'-二（1-蔡基）-1, r -聯(lián)苯-4, 4' -二胺中的至少 一種，所述磯光材料與所述主體材料的質(zhì)量比為5:100?30:100 ;或 所述發(fā)光層的材料為英光材料，所述英光材料選自4-(二膳甲基）-2-下 基-6- (1，1，7, 7-四甲基久洛呢巧-9-己帰基)-4H-化喃、二甲基唾嚇巧麗、5, 6, 11，12-四 苯基蔡并蔡、2, 3, 6, 7-四氨-1，1，7, 7-四甲基-1H，5H，llH-10-(2-苯并喔哇基）-唾嗦并 [9, 9A，1G田香豆素、4, 4' -二化2-二苯己帰基）-1，1' -聯(lián)苯，4, 4' -雙[4-(二對甲苯基氨 基）苯己帰基]聯(lián)苯及4,4'-雙巧-己基-3-巧哇己帰基）-i，r-聯(lián)苯中的至少一種。
5. 如權(quán)利要求4所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述陰極包括層疊于所述電 子傳輸層上的氣化物層及層疊于所述氣化物層表面的金屬層，所述氣化物層的材料為CsF 或LiF，所述金屬層的材料選自Ag、Al、Mg-Al合金及Mg-Ag合金中的至少一種，所述氣化物 層的厚度為0. 5?2皿，所述金屬層的厚度為70?200皿。
6. -種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，包括W下步驟： 采用蒸鍛技術(shù)，在導(dǎo)電陽極基底的陽極層的表面依次層疊蒸鍛制備空穴傳輸層、發(fā)光 層、電子傳輸層及陰極，得到有機(jī)電致發(fā)光器件；其中，所述陽極層的材料為鋼錫氧化物， 所述空穴傳輸層的材料包括有機(jī)空穴傳輸材料及慘雜在所述有機(jī)空穴傳輸材料中的慘雜 材料，所述慘雜材料為銅的氧化物或銅的氣化物，所述銅的氧化物選自氧化銅及氧化亞銅 中的至少一種，所述銅的氣化物選自氣化銅及氣化亞銅中的至少一種，所述有機(jī)空穴傳輸 材料的HOMO能級為5. OeV?5. 4eV，所述慘雜材料與所述有機(jī)空穴傳輸材料的值量比為 5:100 ?30:100。
7. 如權(quán)利要求6所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述空穴傳輸層 的厚度為30nm?lOOnm。
8. 如權(quán)利要求6所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述有機(jī)空穴 傳輸材料選自 N，N' -二苯基-N，N' -二（1-蔡基）-1，1' -聯(lián)苯-4, 4' -二胺、4, 4'，4' ' - H (N-3-甲基苯基-N-苯基氨基）H苯胺、N，N' -二苯基-N，N' -二（3-甲基苯基）-1，1' -聯(lián) 苯-4, 4' -二胺、N，N，N'，N'-四甲氧基苯基）-對二氨基聯(lián)苯、4, 4'，4' ' - H (巧哇-9-基） H苯胺及1,1-二（4-(N，N'-二（P-甲苯基）氨基）苯基）環(huán)己焼中的至少一種。
9. 如權(quán)利要求6所述有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，蒸鍛制備所述空 穴傳輸層時的真空度為1 X 1(T5?1 X 10可3,所述有機(jī)空穴傳輸材料采用熱阻蒸鍛，蒸發(fā) 速度為0. Inm/s?0. 5nm/s，所述慘雜材料采用電子束蒸鍛制備，蒸發(fā)速度為0. Olnm/s? 0.Inm/s。
10. 如權(quán)利要求6所述有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述陰極包括層疊 于所述電子傳輸層上的氣化物層及層疊于所述氣化物層表面的金屬層，所述氣化物層的材 料為CsF或LiF，所述金屬層的材料選自Ag、Al、Mg-Al合金及Mg-Ag合金中的至少一種，蒸 鍛制備所述陰極時的真空度為IX 1(T5?IX l(T3pa，蒸鍛制備所述氣化物層的蒸發(fā)速度為 0. Olnm/s?0. Inm/s，蒸鍛制備所述金屬層的蒸發(fā)速度為0. Inm/s?2nm/s。
【專利摘要】一種有機(jī)電致發(fā)光器件，包括導(dǎo)電陽極基底，以及依次層疊在導(dǎo)電陽極基底的陽極層上的空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層和陰極，所述陽極層的材料為銦錫氧化物，所述空穴傳輸層的材料包括有機(jī)空穴傳輸材料及摻雜在所述有機(jī)空穴傳輸材料中的摻雜材料，所述摻雜材料為銅的氧化物或銅的氟化物，所述銅的氧化物選自氧化銅及氧化亞銅中的至少一種，所述銅的氟化物選自氟化銅及氟化亞銅中的至少一種，所述有機(jī)空穴傳輸材料的HOMO能級為5.0eV～5.4eV，所述摻雜材料與所述有機(jī)空穴傳輸材料的質(zhì)量比為5:100～30:100。上述有機(jī)電致發(fā)光器件的發(fā)光效率較高。本發(fā)明還提供一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法。
【IPC分類】H01L51-54, H01L51-56, H01L51-52
【公開號】CN104576955
【申請?zhí)枴緾N201310489242
【發(fā)明人】周明杰, 馮小明, 鐘鐵濤, 王平
【申請人】海洋王照明科技股份有限公司, 深圳市海洋王照明技術(shù)有限公司, 深圳市海洋王照明工程有限公司
【公開日】2015年4月29日
【申請日】2013年10月17日