施例1
[0063] 本實施例制備的有機(jī)電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)為：IT0/Cu20 :NPB/TPBi:Ir(ppy)3/ Bphen/LiF/Ag;其中，斜桿"/"表不層狀結(jié)構(gòu)，冒號"："表不摻雜，下同。
[0064] 該實施例的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備如下：
[0065] (1)將IT0玻璃基底依次用洗潔精，去離子水，超聲15min，去除玻璃表面的有機(jī)污 染物，IT0導(dǎo)電玻璃的方塊電阻為5Q/sq。
[0066] (2)在真空度為lXl(T5Pa的真空鍍膜系統(tǒng)中，在導(dǎo)電陽極IT0表面制備空穴傳輸 層，空穴傳輸層的材料包括有機(jī)空穴傳輸材料及摻雜在有機(jī)空穴傳輸材料中的摻雜材料， 有機(jī)空穴傳輸材料為NPB，摻雜材料為Cu20,Cu20與NPB的質(zhì)量比為5 :100,空穴傳輸層的 厚度為30nm，其中氧化亞銅采用電子束蒸發(fā)，蒸發(fā)速度為0.Olnm/s，NPB采用熱阻蒸發(fā)，蒸 發(fā)速度為〇. 2nm/s。
[0067] (3)在真空度為lXl(T5Pa的真空鍍膜系統(tǒng)中，采用熱阻蒸發(fā)技術(shù)在空穴傳輸層表 面制備發(fā)光層，材質(zhì)包括TPBi以及摻雜在TPBi中的Ir(ppy)3，Ir的質(zhì)量 比為10:100，發(fā)光層的厚度為30_，其中11'化口7)3的蒸發(fā)速度為0.111111/ 8，1?81的蒸發(fā)速 度為lnm/s。
[0068] (4)在真空度為lXl(T5Pa的真空鍍膜系統(tǒng)中，采用熱阻蒸發(fā)技術(shù)在發(fā)光層表面制 備電子傳輸層，材質(zhì)為Bphen，厚度為20nm，蒸發(fā)速度為0.lnm/s。
[0069] (5)在真空度為lXl(T5Pa的真空鍍膜系統(tǒng)中，采用熱阻蒸發(fā)技術(shù)在電子傳輸層上 制備陰極，陰極包括氟化物層及層疊于氟化物層表面的金屬層，氟化物層的材料為LiF，金 屬層的材料為Ag，氟化物層的厚度為0. 5nm，金屬層的厚度為70nm。制備氟化物層的蒸發(fā)速 度為0. 01nm/s,制備金屬層的蒸發(fā)速度為0.lnm/s,組成如LiF/Ag的疊層結(jié)構(gòu),LiF靠近電 子傳輸層。
[0070] 本實施例得到結(jié)構(gòu)為IT0/Cu20 :NPB/TPBi:Ir(ppy) 3/Bphen/LiF/Ag的有機(jī)電致發(fā) 光器件。
[0071] 對比例1
[0072] 對比例1的有機(jī)電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)為ITO/NPB/TPBi:Ir(ppy) 3/Bphen/LiF/Ag， 對比例1中各層的厚度及材料與實施例1相同，其不同在于對比例1中空穴傳輸層的材料 為NPB。
[0073] 請參閱圖3,圖3所示為實施例1制備的結(jié)構(gòu)為IT0/Cu20 :NPB/TPBi:Ir(ppy)3/Bphen/LiF/Ag的有機(jī)電致發(fā)光器件與對比例1結(jié)構(gòu)為：ITO/NPB/TPBi:Ir(ppy)3/Bphen/ LiF/Ag的器件的電壓-電流密度曲線圖。由圖3可以看出，在驅(qū)動電壓為5. 9V時，實施例 1的注入電流達(dá)到了 82. 24mA/cm2,而對比例1的注入電流只有50. 63mA/cm2,實施例1的注 入電流比對比例1的注入電流提高了 59%，說明實施例1制備的有機(jī)電致發(fā)光器件能夠提供 更多的載流子注入和傳輸，這也是提高發(fā)光效率的一個重要原因。
[0074] 實施例2
[0075] 本實施例制備的有機(jī)電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)為：IT0/CuF:Me〇-TPD/DPVBi/TPBi/ CsF/Al。
[0076] 該實施例的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備如下：
[0077] (1)將IT0玻璃基底依次用洗潔精，去離子水，超聲15min，去除玻璃表面的有機(jī)污 染物，IT0導(dǎo)電玻璃的方塊電阻為100Q/Sq。
[0078] (2)在真空度為lXl(T4Pa的真空鍍膜系統(tǒng)中，在導(dǎo)電陽極IT0表面制備空穴傳輸 層，空穴傳輸層的材料包括有機(jī)空穴傳輸材料及摻雜在有機(jī)空穴傳輸材料中的摻雜材料， 有機(jī)空穴傳輸材料為Me〇-TPD，摻雜材料為CuF，CuF與MeO-TH)的質(zhì)量比為30 :100,空穴傳 輸層的厚度為l〇〇nm，其中氟化亞銅采用電子束蒸發(fā)，蒸發(fā)速度為0.lnm/sJeO-TH)采用熱 阻蒸發(fā)，蒸發(fā)速度為〇. 33nm/s。
[0079] (3)在真空度為lXl(T3Pa的真空鍍膜系統(tǒng)中，采用熱阻蒸發(fā)技術(shù)在空穴傳輸層表 面制備發(fā)光層，材質(zhì)為DPVBi，發(fā)光層的厚度為5nm。其中DPVBi的蒸發(fā)速度為0.Olnm/s。
[0080] (4)在真空度為lXl(T3Pa的真空鍍膜系統(tǒng)中，采用熱阻蒸發(fā)技術(shù)在發(fā)光層表面制 備電子傳輸層，材質(zhì)為TPBi，厚度為60nm，蒸發(fā)速度為lnm/s。
[0081] (5)在真空度為lXl(T3Pa的真空鍍膜系統(tǒng)中，采用熱阻蒸發(fā)技術(shù)在發(fā)光層上制備 陰極，陰極包括氟化物層及層疊于氟化物層表面的金屬層，氟化物層的材料為CsF，金屬層 的材料為A1，其中氟化物層的厚度為2nm，金屬層的厚度為200nm。制備氟化物層的蒸發(fā)速 度為0.lnm/s，制備金屬層的蒸發(fā)速度為2nm/s。
[0082] 本實施例得到結(jié)構(gòu)為ITO/CuF:Me〇-TPD/DPVBi/TPBi/CsF/Al的有機(jī)電致發(fā)光器 件。
[0083] 對比例2
[0084] 對比例2的有機(jī)電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)為ITO/MeO-THVDPVBi/TPBi/CsF/Al，對比 例2中各層的厚度及材料與實施例2相同，其不同在于對比例2中空穴傳輸層的材料為 Me〇-TPD。
[0085] 實施例3
[0086] 本實施例制備的有機(jī)電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)為：IT0/CuF2 :TPD/ NPB:Ir(MDQ) 2 (acac) /BCP/CsF/Mg-Al。
[0087] 該實施例的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備如下：
[0088] (1)將IT0玻璃基底依次用洗潔精，去離子水，超聲15min，去除玻璃表面的有機(jī)污 染物，ITO導(dǎo)電玻璃的方塊電阻為20Q/sq。
[0089] (2)在真空度為lXl(T4Pa的真空鍍膜系統(tǒng)中，在導(dǎo)電陽極IT0表面制備空穴傳輸 層，空穴傳輸層的材料包括有機(jī)空穴傳輸材料及摻雜在有機(jī)空穴傳輸材料中的摻雜材料， 有機(jī)空穴傳輸材料為TPD，摻雜材料為CuF2，CuF2與TH)的質(zhì)量比為20 :100,空穴傳輸層的 厚度為50nm，其中氟化銅采用電子束蒸發(fā)，蒸發(fā)速度為0.lnm/s，TH)采用熱阻蒸發(fā)，蒸發(fā)速 度為 0. 5nm/s。
[0090] (3)在真空度為lXl(T4Pa的真空鍍膜系統(tǒng)中，采用熱阻蒸發(fā)技術(shù)在空穴傳輸層表 面制備發(fā)光層，材質(zhì)包括NPB以及摻雜在NPB中的Ir(MDQ)2(acac)，發(fā)光層的厚度為15nm， 其中Ir(MDQ)2(acac)與NPB的質(zhì)量比為 10:100,Ir(MDQ)2(acac)的蒸發(fā)速度為O.Olnm/ s,NPB的蒸發(fā)速度為0.lnm/s。
[0091] (4)在真空度為lXl(T4Pa的真空鍍膜系統(tǒng)中，采用熱阻蒸發(fā)技術(shù)在發(fā)光層表面制 備電子傳輸層，材質(zhì)為BCP，厚度為40nm，蒸發(fā)速度為0. 5nm/s。
[0092] (5)在真空度為lXl(T4Pa的真空鍍膜系統(tǒng)中，采用熱阻蒸發(fā)技術(shù)在電子傳輸層上 制備陰極，陰極包括氟化物層及層疊于氟化物層表面的金屬層，氟化物層的材料為CsF，金 屬層的材料為Mg-Al，其中氟化物層的厚度為lnm，金屬層的厚度為100nm。制備氟化物層的 蒸發(fā)速度為〇.lnm/s，制備金屬層的蒸發(fā)速度為lnm/s。
[0093] 本實施例得到結(jié)構(gòu)為IT0/CuF2 :TPD/NPB:Ir(MDQ) 2 (acac) /BCP/CsF/Mg-Al的有機(jī) 電致發(fā)光器件。
[0094] 對比例3
[0095] 對比例3的有機(jī)電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)為ITO/TPD/NPB:Ir(MDQ) 2 (acac) /BCP/CsF/ Mg-Al，對比例3中各層的厚度及材料與實施例3相同，其不同在于對比例3中空穴傳輸層 的材料為TPD。
[0096] 實施例4
[0097] 本實施例制備的有機(jī)電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)為：ITO/CuO:TAPC/CBP:FIrpic/ Bphen/CsF/Mg-Al。
[0098] 該實施例的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備如下：
[0099] (1)將IT0玻璃基底依次用洗潔精，去離子水，超聲15min，去除玻璃表面的有機(jī)污 染物，IT0導(dǎo)電玻璃的方塊電阻為20Q/sq。
[0100] (2)在真空度為lXl(T4Pa的真空鍍膜系統(tǒng)中，在導(dǎo)電陽極IT0表面制備空穴傳輸 層，空穴傳輸層的材料包括有機(jī)空穴傳輸材料及摻雜在有機(jī)空穴傳輸材料中的摻雜材料， 有機(jī)空穴傳輸材料為TAPC，摻雜材料為CuO，CuO與TAPC的質(zhì)量比為15 :100,空穴傳輸層的 厚度為40nm，其中CuO采用電子束蒸發(fā)，蒸發(fā)速度為0. 15nm/s，TAPC采用熱阻蒸發(fā)，蒸發(fā)速 度為lnm/s。
[0101] (3)在真空度為lXl(T4Pa的真空鍍膜系統(tǒng)中，采用熱阻蒸發(fā)技術(shù)在空穴傳輸層 表面制備發(fā)光層，材質(zhì)包括CBP以及摻雜在CBP中的FIrpic，發(fā)光層的厚度為20nm。其中 FIrpic與CBP的質(zhì)量比為5:100,FIrpic的蒸發(fā)速度為0? 05nm/s，CBP的蒸發(fā)速度為lnm/ So
[0102] (4)在真空度為lXl(T4Pa的真空鍍膜系統(tǒng)中，采用熱阻蒸發(fā)技術(shù)在發(fā)光層表面制 備電子傳輸層，材質(zhì)為Bphen，厚度為30nm，蒸發(fā)速度為0. 5nm/s。
[0103] (5)在真空度為lXl(T4Pa的真空鍍膜系統(tǒng)中，采用熱阻蒸發(fā)技術(shù)在電子傳輸層上 制備陰極，陰極包括氟化物層及層疊于氟化物層表面的金屬層，氟化物層的材料為CsF，金 屬層的材料為Mg-Al，其中氟化物層的厚度為lnm，金屬層的厚度為100nm。制備氟化物層的 蒸發(fā)速度為〇.lnm/s，制備金屬層的蒸發(fā)速度為lnm/s。
[0104] 本實施例得到結(jié)構(gòu)為ITO/CuO:TAPC/CBP:FIrpic/Bphen/CsF/Mg-Al的有機(jī)電致 發(fā)光器件。
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