或更小的橫向尺寸最小值一般是由將管芯114-116鍵合到表面113的對準(zhǔn)精度的至少兩倍所決定的。例如，如果將管芯114-116鍵合到表面113中的對準(zhǔn)精度是I微米，那么為了接觸結(jié)構(gòu)123的周界被包含于接觸結(jié)構(gòu)122的周界內(nèi)，接觸結(jié)構(gòu)122優(yōu)選地至少比接觸結(jié)構(gòu)123大兩微米。
[0120]接觸結(jié)構(gòu)122對接觸結(jié)構(gòu)123的最大內(nèi)部壓力——其可以產(chǎn)生自圍繞接觸結(jié)構(gòu)123的管芯114-116表面部分與圍繞接觸結(jié)構(gòu)122的表面113部分之間的鍵合或者由鍵合后溫度增加提供一一取決于管芯114-116表面的這部分與表面113的這部分的鍵合面積和接觸結(jié)構(gòu)123的面積對著接觸結(jié)構(gòu)122的面積。這兩個(gè)面積之和一般小于由于與表面113非接觸結(jié)構(gòu)122部分對準(zhǔn)的接觸結(jié)構(gòu)123之剩余面積和與管芯114-116表面非接觸結(jié)構(gòu)123部分對準(zhǔn)的接觸結(jié)構(gòu)122之剩余面積所導(dǎo)致的管芯114-116對表面113的整個(gè)面積，其原因是接觸結(jié)構(gòu)123和122之間的橫向尺寸差以及管芯114-116的表面與表面113之間的鍵合失準(zhǔn)(bond misalignment)。鍵合所能產(chǎn)生的或者鍵合后溫度增加所能提供的最大內(nèi)部壓力可以由管芯114-116表面部分與表面113部分之間鍵合的斷裂強(qiáng)度(fracturestrength)乘以該鍵合的面積與接觸結(jié)構(gòu)123的面積對著接觸結(jié)構(gòu)122的面積的比值來估算。例如，如果管芯114-116表面部分和表面113部分是由斷裂強(qiáng)度為16，OOOpsi的氧化硅組成的并且這些部分的被對準(zhǔn)部分之間的直接鍵合具有約為氧化硅一半的斷裂強(qiáng)度、即8，OOOpsi，并且接觸結(jié)構(gòu)123和122是節(jié)距10微米、直徑為4微米的圓形，并被完美對準(zhǔn)，那么接觸結(jié)構(gòu)123和122之間的最大內(nèi)部壓力可以超過60，OOOpsi。該內(nèi)部壓力一般明顯大于由鍵合后溫度增加所產(chǎn)生的內(nèi)部壓力。例如，如果接觸結(jié)構(gòu)123和122是由具有17ppmCTE和6，400，OOOpsi剪切模量的銅組成的并且管芯114-116表面部分和表面113部分是由CTE為0.5的氧化硅組成的，并且接觸結(jié)構(gòu)123與管芯114-116部分共平面而接觸結(jié)構(gòu)122與表面113部分共平面，那么在鍵合后溫度增加350°C下，預(yù)期在接觸結(jié)構(gòu)123和122之間實(shí)現(xiàn)約為37，OOOpsi的應(yīng)力。
[0121]接觸結(jié)構(gòu)123和122 —般不是完美對準(zhǔn)并且不具有相同橫向尺寸。這可能導(dǎo)致部分的接觸結(jié)構(gòu)123與圍繞接觸結(jié)構(gòu)122的表面113的一部分接觸或者接觸結(jié)構(gòu)122的一部分與圍繞結(jié)構(gòu)123的管芯114-116表面部分接觸。如果部分接觸結(jié)構(gòu)123與這部分表面113接觸，并且如果接觸結(jié)構(gòu)122低于表面113、或者替代地、如果部分接觸結(jié)構(gòu)122與這部分管芯114-116表面接觸，并且如果接觸結(jié)構(gòu)123低于管芯114-116的表面，那么鍵合后溫度增加可能導(dǎo)致內(nèi)部壓力優(yōu)先地在接觸結(jié)構(gòu)122和這部分管芯114-116表面之間或者接觸結(jié)構(gòu)123和這部分表面113之間增加，并導(dǎo)致在給定的鍵合后溫度增加下，接觸結(jié)構(gòu)123和122之間理應(yīng)獲得的內(nèi)部壓力減少了。為了避免在接觸結(jié)構(gòu)123和122之間內(nèi)部壓力增加上的這種減少，優(yōu)選地，如果接觸結(jié)構(gòu)123低于管芯114-116表面，那么通過留一定余量(諸如對準(zhǔn)公差的兩倍)來容納接觸結(jié)構(gòu)123和接觸結(jié)構(gòu)122的尺寸和形狀上的失準(zhǔn)和失配，在鍵合之后接觸結(jié)構(gòu)122的周界被包含于接觸結(jié)構(gòu)123的周界內(nèi)，使得內(nèi)部壓力增加將主要位于接觸結(jié)構(gòu)123和接觸結(jié)構(gòu)122之間。替代地，優(yōu)選地，如果接觸結(jié)構(gòu)122低于表面113，那么通過留一定余量(諸如對準(zhǔn)公差的兩倍)來容納接觸結(jié)構(gòu)123和接觸結(jié)構(gòu)122的尺寸和形狀上的失準(zhǔn)和失配，在鍵合之后接觸結(jié)構(gòu)123的周界被包含于接觸結(jié)構(gòu)122的周界內(nèi)，使得內(nèi)部壓力增加將主要位于接觸結(jié)構(gòu)123和接觸結(jié)構(gòu)122之間。作為又一個(gè)替代，如果接觸結(jié)構(gòu)123低于管芯114-116表面并且接觸結(jié)構(gòu)122低于表面113，那么通過留一定余量(諸如對準(zhǔn)公差的兩倍)容納接觸結(jié)構(gòu)123和接觸結(jié)構(gòu)122的尺寸和形狀上的失準(zhǔn)和失配，被接觸結(jié)構(gòu)CTE規(guī)格化的低于表面最少的接觸結(jié)構(gòu)在鍵合之后其周界被包含于對立接觸結(jié)構(gòu)的周界內(nèi)，使得內(nèi)部壓力增加將主要位于接觸結(jié)構(gòu)123和接觸結(jié)構(gòu)122之間。
[0122]接觸結(jié)構(gòu)123和接觸結(jié)構(gòu)122的溫度可以在減薄管芯114-116的襯底之前或之后增加以形成減薄的管芯襯底121。接觸結(jié)構(gòu)123和接觸結(jié)構(gòu)122的溫度可以在用各種類型的加熱、包括但不限于熱力(thermal)、紅外、和感應(yīng)來鍵合之后增加。熱力加熱的實(shí)例包括烤箱(oven)、帶式爐(belt furnace)、和熱板(hot plate) ο紅外加熱的實(shí)例是快速熱退火。紅外加熱源可以被濾波以用具有優(yōu)選能量的光子來優(yōu)先加熱接觸結(jié)構(gòu)123和122。例如，如果襯底110、管芯114-116襯底，被減薄的管芯襯底121、器件區(qū)111、或器件區(qū)118是由半導(dǎo)體、例如硅組成的，那么紅外加熱源可以被濾波以防止能量超過半導(dǎo)體能帶隙的光子被半導(dǎo)體吸收，導(dǎo)致半導(dǎo)體的溫度增加相對于接觸結(jié)構(gòu)123或接觸結(jié)構(gòu)122的溫度增加減少。當(dāng)接觸結(jié)構(gòu)123或接觸結(jié)構(gòu)122是有磁性的例如由鎳組成時(shí)，感應(yīng)加熱的實(shí)例是感應(yīng)石茲共振(inductive magnetic resonance)。
[0123]多個(gè)接觸結(jié)構(gòu)123可以接觸單個(gè)接觸結(jié)構(gòu)122而不覆蓋單個(gè)接觸結(jié)構(gòu)122的整體，如附圖18中所示。替代地，單個(gè)接觸結(jié)構(gòu)123可以部分地或全部地接觸單個(gè)接觸結(jié)構(gòu)122，單個(gè)接觸結(jié)構(gòu)122可以部分地或全部地接觸單個(gè)接觸結(jié)構(gòu)123，或者單個(gè)接觸結(jié)構(gòu)123可以接觸多個(gè)接觸結(jié)構(gòu)122。
[0124]在前述實(shí)施方案所述的單一掩模工藝之后，接著，當(dāng)多個(gè)接觸結(jié)構(gòu)123接觸單個(gè)接觸結(jié)構(gòu)122而不覆蓋單個(gè)接觸結(jié)構(gòu)122的整體時(shí)，附圖19A中所示結(jié)構(gòu)被產(chǎn)生，其中金屬種子層90形成對接觸結(jié)構(gòu)122和123兩者的電連接。替代地，金屬種子層90可以只接觸接觸結(jié)構(gòu)123，尤其是如果接觸結(jié)構(gòu)123覆蓋整個(gè)接觸結(jié)構(gòu)122的話。附圖19A中所示結(jié)構(gòu)可以被進(jìn)一步處理以形成類似于附圖18中表面113的表面，如早先在該實(shí)施方案中所述并如附圖19B中所示，其中結(jié)構(gòu)59類似于接觸結(jié)構(gòu)122而平整化的材料58類似于表面113的非接觸結(jié)構(gòu)122部分。另外的具有暴露的接觸結(jié)構(gòu)123的管芯可以在之后被鍵合并互連到具有暴露的接觸結(jié)構(gòu)59的表面，其類似于將具有暴露的接觸結(jié)構(gòu)123的管芯114-116鍵合到暴露的接觸結(jié)構(gòu)122。附圖19C顯示了具有接觸124而沒有開口或縫隙的填充通孔。
[0125]在該第四實(shí)施方案中，通孔蝕刻接著金屬互連對在接觸結(jié)構(gòu)123和122之間制造電互連是不需要的。然而，可能需要如附圖19A中所示的通孔蝕刻接著金屬互連來提供來自管芯114-116暴露側(cè)的電通路(electrical access) ο可能需要這樣的應(yīng)用實(shí)例是管芯114-116暴露側(cè)被倒裝片凸點(diǎn)鍵合(flip-chip bump bonding)到封裝、電路板、或集成電路以在接觸結(jié)構(gòu)123或122與該封裝、電路板、或集成電路之間制造電連接。也有不需要為此目的通孔的應(yīng)用，例如在某些類型的凝視焦平面陣列(Staring Focal Plane Array)的制造中。對于這些應(yīng)用，如附圖18中所示的包括但不限于上述的衍生物的方法和由此所制造的器件足可滿足。
[0126]附圖20A-20H中所示為第五實(shí)施方案。該實(shí)施方案在形成通孔50之前與前述實(shí)施方案相似，只是管芯17、108、117、或123中的具有開口或與通孔50重合(overlap)的邊沿的接觸結(jié)構(gòu)被替換為沒有開口或重合邊沿的接觸結(jié)構(gòu)87。在該實(shí)施方案中，管芯84-86中的具有襯底部分89、器件區(qū)88的接觸結(jié)構(gòu)87被鍵合到具有器件區(qū)81、襯底80、和接觸結(jié)構(gòu)82的表面83。接觸結(jié)構(gòu)87被放置于接觸結(jié)構(gòu)82上方，如附圖20A中所示。管芯84-86也可以被鍵合到具有與附圖16和17中所示類似的暴露的接觸結(jié)構(gòu)112或者與附圖18和19中所示類似的接觸結(jié)構(gòu)122的表面113。要注意的是接觸結(jié)構(gòu)87可以被鍵合成與接觸結(jié)構(gòu)82直接接觸，其如器件86中所示。管芯84-86也可以具有相同的接觸結(jié)構(gòu)構(gòu)造。附圖20A和20B被用來顯示兩種接觸結(jié)構(gòu)構(gòu)造，為了簡潔在這兩種構(gòu)造之間有刪除部分。一般地，每個(gè)被鍵合到襯底的管芯會(huì)具有相同的接觸結(jié)構(gòu)構(gòu)造。如果具有不同接觸結(jié)構(gòu)的管芯被鍵合到相同襯底，那么可能需要某些工藝變化諸如調(diào)整蝕刻參數(shù)或分開蝕刻通孔。附圖被繪制以解釋在襯底上存在相同或不同結(jié)構(gòu)情況下的本發(fā)明，而不需要顯示這樣的變化。
[0127]如第一實(shí)施方案中所述那樣形成圖案化的硬掩模40和開口 41，如附圖20B中所示。然后，通過順序地各向異性蝕刻管芯84-86中的剩余襯底部分89、管芯84-86中到接觸結(jié)構(gòu)87的器件區(qū)88部分、創(chuàng)建側(cè)表面79的接觸結(jié)構(gòu)87、到表面83的器件區(qū)88的剩余部分(如果需要的話)、以及到接觸結(jié)構(gòu)12的器件區(qū)81 (如果需要的話)，來形成通孔55。除了蝕刻接觸結(jié)構(gòu)87之外，這些各向異性蝕刻可以如第一實(shí)施方案中所述那樣來完成。關(guān)于接觸結(jié)構(gòu)87的各向異性蝕刻，可以使用RIE蝕刻，其蝕刻導(dǎo)電結(jié)構(gòu)87而對硬掩模40是選擇性的。如果硬掩模40和導(dǎo)電結(jié)構(gòu)87具有相似的蝕刻速率，那么硬掩模40可以被形成得實(shí)質(zhì)上厚于接觸結(jié)構(gòu)87以使得被暴露的接觸結(jié)構(gòu)87，連同襯底部分89、器件區(qū)88、接觸結(jié)構(gòu)87、和到接觸結(jié)構(gòu)82的器件區(qū)81 (如果需要的話)，被蝕刻而不徹底地蝕刻硬掩模40。用于接觸結(jié)構(gòu)87的蝕刻可以實(shí)質(zhì)上不同于用于管芯84-86中的剩余襯底部分89和器件區(qū)88以及器件區(qū)81的蝕刻。例如，如果剩余襯底部分89由硅組成，而器件區(qū)88和81的被蝕刻部分由氧化娃組成，并且接觸結(jié)構(gòu)87由Al組成，那么非基于氯(non-chlorine-based)的RIE蝕刻可以被用于蝕刻剩余的襯底部分89和器件區(qū)88和81，而基于氯的RIE蝕刻可以被用于蝕刻接觸結(jié)構(gòu)87。
[0128]側(cè)壁76優(yōu)選地在接觸結(jié)構(gòu)87的蝕刻之前形成。具體地說，結(jié)構(gòu)被各向異性蝕刻穿過襯底部分89并能在到達(dá)器件區(qū)88之后停止，或者繼續(xù)進(jìn)入到器件區(qū)88中停止而不達(dá)到接觸結(jié)構(gòu)87。然后，如附圖20C中所示對于這兩種情況，對于分離的接觸結(jié)構(gòu)和直接鍵合的接觸結(jié)構(gòu)，形成層76。通過在通孔55中沉積絕緣層諸如氧化硅接著通過例如各向異性蝕刻從通孔55的底部移除該層，可以形成層76。器件區(qū)88的剩余部分和接觸結(jié)構(gòu)87被蝕刻穿以暴露接觸結(jié)構(gòu)82，如附圖20D中所示(左側(cè))，而器件區(qū)88的剩余部分被蝕刻穿以暴露接觸87，如附圖20D中所示(右側(cè))。
[0129]如前述實(shí)施方案中所述那樣進(jìn)行側(cè)壁形成、接觸結(jié)構(gòu)82和87之間的電互連、以及通孔裝襯(lining)和/或填充等后續(xù)步驟，其主要不同之處在于到接觸結(jié)構(gòu)87的電互連被限于由各向異性蝕刻穿過接觸結(jié)構(gòu)87所暴露的側(cè)表面79。第二個(gè)不同在于側(cè)壁的形成類似于附圖8A或SB中所示的側(cè)壁70 ;或者附圖8J中所示的側(cè)壁74，其中側(cè)壁延伸于接觸結(jié)構(gòu)17之下并會(huì)抑制到接觸結(jié)構(gòu)87的側(cè)表面79的電互連。附圖20D(左側(cè))詳細(xì)圖釋了管芯84-86之一，以更清楚地圖釋側(cè)壁76的實(shí)例沒有阻止到側(cè)表面79的電互連。
[0130]附圖20D中側(cè)壁形成的實(shí)例類似于之前在附圖8H所給出的例子，其中側(cè)壁72延伸于被減薄管芯襯底21之下，但在接觸結(jié)構(gòu)17上方。穿過接觸結(jié)構(gòu)87、或穿過接觸結(jié)構(gòu)87和接觸結(jié)構(gòu)82之間區(qū)域的通孔55的蝕刻也可以在接觸結(jié)構(gòu)87上方為輕微各向同性(slightly isotropic)的，以在接觸結(jié)構(gòu)87的頂面上形成非常小的自對準(zhǔn)的凸緣28以減少后續(xù)在接觸結(jié)構(gòu)82和87之間形成的電互連的互連電阻值而不增加通孔55的橫截面，如附圖20E中所示。與如附圖8K中所示的所形成側(cè)壁75類似的選擇性側(cè)壁77也可以被形成于接觸結(jié)構(gòu)87的蝕刻之前(附圖20F，左側(cè)或右側(cè))或者接觸結(jié)構(gòu)87的蝕刻之后(附圖20F，左側(cè))。在接觸結(jié)構(gòu)87的蝕刻之后形成選擇性側(cè)壁77懸于暴露的側(cè)表面79上方并能使暴露的側(cè)表面79和接觸結(jié)構(gòu)82之間的電互連的形成變得復(fù)雜。通過用類似于附圖1OD中所示的將接觸結(jié)構(gòu)12與17電互連但不接觸減薄襯底21形成電互連97的方式，在暴露的側(cè)表面79和接觸結(jié)構(gòu)87之間形成電互連99，該復(fù)雜化可以被避免?；ミB99可以延伸于接觸結(jié)構(gòu)87上方但低于88或89中的任何導(dǎo)電材料。
[0131]電互連99形成之后，接著，如附圖20G中所示，可以形成側(cè)壁79其覆蓋著暴露于通孔55的襯底部分89，類似于附圖8A或SB中的側(cè)壁70，其中假設(shè)側(cè)壁厚度與互連99的厚度相當(dāng)。替代地，可以形成類似于附圖8K中的側(cè)壁75的選擇性側(cè)壁，如附圖20H中所示。通孔55的剩余部分可以在之后如前述實(shí)施方案所述那樣被用金屬填充或者用金屬作襯里并用電介質(zhì)填充。
[0132]這些所得結(jié)構(gòu)也適合于后續(xù)處理，其包括但不限于基于光刻的互連布線或者凸點(diǎn)下金屬化層，以支持引線鍵合或者倒裝片封裝，如前述實(shí)施方案所述。要注意的是附圖20C-20F中所示結(jié)構(gòu)也可以包括如管芯86中所示構(gòu)造的接觸結(jié)構(gòu)。
[0133]附圖21A-21E所示為第六實(shí)施方案，其中整個(gè)管芯襯底部分127，或者大致所有的部分127，類似于前述實(shí)施方案中的19、21、89、109、121，可以被移除而留下器件層、電路、或電路層。在該實(shí)施方案中，襯底130擁有具有接觸結(jié)構(gòu)132的器件區(qū)131。管芯134-136每個(gè)具有器件區(qū)138、接觸結(jié)構(gòu)137、和對于正常操作(proper operat1n)而言非必須的襯底部分127。接觸137被顯示為在管芯134中具有開口，并且接觸137在管芯135中是單體的(unitary)并且開口可以被蝕刻從其穿過，如第五實(shí)施方案中那樣。管芯134-136在表面133上被鍵合到襯底130，如附圖21A中所示。通過例如研磨和/或拋光，將管芯襯底127整個(gè)移除，暴露出器件區(qū)138，如附圖21B中所示。由于缺少襯底部分127，所以對于該實(shí)施方案相對于前述實(shí)施方案而言，蝕刻通孔以暴露出接觸結(jié)構(gòu)并在接觸結(jié)構(gòu)之間形成電互連的后續(xù)所需步驟數(shù)目被實(shí)質(zhì)上減少和簡化。
[0134]例如，在附圖21C中，其中只顯示了管芯134-136中的一個(gè)，蝕刻通孔129以暴露出接觸結(jié)構(gòu)132和137的步驟被簡化，因?yàn)闆]有要被蝕刻穿過的襯底部分127的通孔。通孔129可以因此實(shí)質(zhì)上淺于前述實(shí)施方案中所述的通孔，導(dǎo)致通孔橫截面的實(shí)質(zhì)上減少和通孔密度的相應(yīng)增加。在另一個(gè)實(shí)例中，在附圖21D中，其中只顯示了管芯134-136中的一個(gè)，在暴露的接觸結(jié)構(gòu)132和137之間形成電互連128的步驟被簡化，因?yàn)椴恍枰獋?cè)壁來對電連接128電隔離的襯底部分127。附圖21E顯示了該實(shí)施方案，其包括以直接接觸的方式被鍵合的接觸結(jié)構(gòu)。要注意的是附圖21E中所示結(jié)構(gòu)也可以包括如管芯135中所示構(gòu)造的接觸結(jié)構(gòu)以及類似于附圖19C中接觸結(jié)構(gòu)124和122的接觸結(jié)構(gòu)。
[0135]可以移除整個(gè)管芯襯底部分的應(yīng)用實(shí)例包括一些絕緣體上硅和II1-V族1C，其中所述IC的管芯襯底部分不用于有源晶體管或其它IC器件的制造。
[0136]由第六實(shí)施方案產(chǎn)生的結(jié)構(gòu)也適合于后續(xù)處理，包括但不限于基于光刻的互連布線或者凸點(diǎn)下金屬化層，以支持引線鍵合或者倒裝片封裝，如前述實(shí)施方案中所述。
[0137]附圖21A-21E中所示那些的其它變化包括但不限于那些在前述實(shí)施方案中所述的，例如；如附圖10和附圖14中所示的通孔填充或者通孔裝襯并填充；如附圖15中所示的互連到管芯接觸結(jié)構(gòu)邊沿；將管芯與如附圖17和附圖18中所示的暴露的晶片接觸結(jié)構(gòu)、或者與如附圖19中所示的管芯和暴露的晶片接觸結(jié)構(gòu)鍵合起來；如附圖20中所示的接觸到管芯接觸結(jié)構(gòu)的暴露的側(cè)表面也是可以的。
[0138]附圖22A-L和附圖23A-K中所示為本發(fā)明的第七實(shí)施方案。要注意的是表面接觸結(jié)構(gòu)構(gòu)造由管芯146圖示。在襯底中，所有管芯可以具有相同或不同的接觸結(jié)構(gòu)構(gòu)造，而當(dāng)不同的接觸結(jié)構(gòu)被鍵合到相同的襯底時(shí)可能需要某些工藝變化，如上所述。襯底140可以包含被劃片槽(scribe alley) 38分離的管芯諸如144-146(用虛線表示)。每個(gè)管芯144-146具有位于器件區(qū)148中的接觸結(jié)構(gòu)147。要注意的是為了易于解釋，接觸結(jié)構(gòu)不是按比例繪制。接觸結(jié)構(gòu)147可以是分立部件或者可以包括一個(gè)具有貫穿通孔的部件。
[0139]接觸結(jié)構(gòu)147可以通過金屬沉積和剝離(liftoff)或者金屬沉積和蝕刻的傳統(tǒng)方法被形成。替代地，通過圖案化和蝕刻穿過預(yù)先存在的導(dǎo)電層或者在導(dǎo)電層的開口內(nèi)圖案化和金屬沉積的結(jié)合，可以形成接觸結(jié)構(gòu)147。在接觸結(jié)構(gòu)147的形成之后，優(yōu)選地接著進(jìn)行與器件區(qū)148中接觸結(jié)構(gòu)147下面的類似的電隔離電介質(zhì)材料151的平整化層的沉積。典型的平整化材料是氧化硅，其通過等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積來形成，如附圖22A中的層151所示。當(dāng)需要表面接觸時(shí)，如在器件146中，層151可以不被形成、不被形成于襯底140的特定區(qū)域中、或者可以稍后被移除。
[0140]通孔可以被形成于管芯144-146中。通孔的蝕刻優(yōu)選地在晶片級(wafer_scale)、在沿著劃片槽38將管芯144-146分切成獨(dú)立管芯之前被完成，使得晶片上的所有管芯上的所有通孔可以同時(shí)被蝕刻。管芯144-146可以因此讓它們所有的通孔被同時(shí)蝕刻；或者替代地，在分開的時(shí)間被蝕刻，如果管芯144-146源自不同晶片的話。這些通孔優(yōu)選地被各向異性蝕刻以消耗最小量的器件區(qū)材料148和襯底140。
[0141]管芯144-146中的接觸結(jié)構(gòu)也可以用類似于前面第五實(shí)施方案中所述的方式來形成。例如，平整化材料151被圖案化和蝕刻以形成穿過平整化材料151到導(dǎo)電材料154的通孔152，如附圖22B中所示，接著蝕刻出穿過導(dǎo)電材料154的通孔以形成具有暴露的側(cè)表面153的接觸結(jié)構(gòu)147(154)，接著進(jìn)一步蝕刻穿過器件區(qū)148并進(jìn)入到襯底1