面優(yōu)選地在之后被用溶液漂洗(rinse)。
[0073]鍵合表面還可以在拋光之前被蝕刻以改善平整性和/或表面粗糙度。通過使用例如標(biāo)準(zhǔn)光刻技術(shù)來選擇性地蝕刻高點(diǎn)(high spot)，蝕刻可以有效的移除鍵合表面上的高點(diǎn)。
[0074]鍵合技術(shù)可以包括活化工藝(activat1n process) ο該活化工藝可以包括蝕刻工藝，優(yōu)選地包括極輕度蝕刻(very slight etch, VSE)工藝。術(shù)語(yǔ)VSE是指極輕度蝕刻表面的均方根微粗糙度(RMS)近似保持在未蝕刻值上，一般〈0.5nm，優(yōu)選地在0.5nm到1.5nm的范圍內(nèi)。所移除材料的最優(yōu)量取決于該材料和移除所用的方法。所移除的典型量從埃量級(jí)到數(shù)納米不等。也可以移除更多的材料。
[0075]術(shù)語(yǔ)VSE還可以指從表面上移除不希望的有機(jī)污染物而不移除表面上有意沉積的材料、例如氧化硅。移除不必要的有機(jī)污染物可以因而減少RMS。
[0076]活化工藝可以是以不同模式進(jìn)行的等離子工藝。例如Ar或者O等離子體。反應(yīng)離子蝕刻(RIE)和等離子模式兩者都可以被使用，還有感應(yīng)耦合等離子模式(ICP)。也可以使用濺射。以下同時(shí)以RIE和等離子模式給出實(shí)例。
[0077]替代地，可以使用后VSE處理(post-VSE treatment)，其在后VSE工藝期間用所需終止物質(zhì)(terminating species)將表面活化和終止(terminate)。
[0078]在活化作用之后，表面可以用其優(yōu)選地對(duì)表面原子層形成臨時(shí)鍵(temporarybond)的所需物質(zhì)終止，以有效地終止原子層，直到隨后該表面可以被與由相同或另一鍵合物質(zhì)所終止的表面結(jié)合起來為止。表面上的所需物質(zhì)當(dāng)它們充分接近時(shí)還優(yōu)選地彼此將發(fā)生反應(yīng)，使得在低溫或室溫下表面之間發(fā)生化學(xué)鍵合，該鍵合可以由反應(yīng)了的所需物質(zhì)從鍵合界面的擴(kuò)散或離解(dissociat1n)和擴(kuò)散來增強(qiáng)。
[0079]終止工藝可以包括浸沒在包含選定化合物的溶液中，以發(fā)生導(dǎo)致用所需物質(zhì)終止鍵合表面的表面反應(yīng)?？梢允褂肗基溶液，諸如NH40H。優(yōu)選地在活化工藝后立即執(zhí)行浸沒。終止工藝也可以包括等離子、RIE、或者其它干法工藝，由此合適的氣體化學(xué)物質(zhì)被引入以導(dǎo)致用所需物質(zhì)終止鍵合表面。
[0080]可選地，表面被漂洗然后烘干。通過將兩個(gè)表面對(duì)準(zhǔn)(如果需要的話)并將它們結(jié)合到一起以形成鍵合界面來鍵合這兩個(gè)表面。這兩個(gè)表面通過例如可商用的鍵合裝置(未顯示)被結(jié)合到一起以引發(fā)(initiate)鍵合界面。
[0081]然后，自發(fā)鍵合(spontaneous bond) —般發(fā)生于鍵合界面中的某處并越過表面?zhèn)鞑?。因?yàn)槌跏兼I合(initial bond)開始傳播，所以當(dāng)表面充分接近時(shí)，諸如聚合作用的化學(xué)反應(yīng)導(dǎo)致化學(xué)鍵合發(fā)生于被用來終止表面的物質(zhì)之間。因而形成了強(qiáng)鍵，其所具有的鍵合能量被定義為在鍵合界面處通過插入楔(wedge)而被部分脫鍵(debond)的分離表面之一的特定表面能?；瘜W(xué)反應(yīng)的副產(chǎn)品可以從鍵合界面擴(kuò)散開并被吸收，一般是被吸收于周圍的材料中。副產(chǎn)品也可以被轉(zhuǎn)換為擴(kuò)散開的其它副產(chǎn)品并被吸收。通過被轉(zhuǎn)化物質(zhì)的移除可以增加共價(jià)鍵和/或離子鍵的量，導(dǎo)致鍵合強(qiáng)度的進(jìn)一步增加。
[0082]雖然在附圖2A中顯示了三個(gè)管芯被鍵合到單個(gè)襯底10，但是也可以將更多數(shù)量或者更少數(shù)量的管芯鍵合到襯底10。并且，可以鍵合另一個(gè)尺寸與襯底10相當(dāng)?shù)囊r底，如附圖2C中所示其中具有器件區(qū)23的襯底22被鍵合到晶片10，使得被間隔開的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)24大體上與導(dǎo)電結(jié)構(gòu)12對(duì)準(zhǔn)。襯底22可以在鍵合之前被減薄或移除以方便對(duì)準(zhǔn)。襯底22可以在鍵合之后被減薄，并且如果需要的話幾乎全部襯底22可以被移除。在下列附圖中所描述的程序也可以被應(yīng)用于附圖2B和2C所示的結(jié)構(gòu)，但是為了簡(jiǎn)潔省略單獨(dú)繪圖。
[0083]如附圖3A中所示，保形電介質(zhì)膜30被形成于襯底10的表面13和管芯14_16上方。該表面可以通過例如CVD、PVD或者PECVD來形成，并且優(yōu)選地包括典型厚度范圍為0.1到1.0微米的氧化物膜諸如氧化娃。并且，填料材料(filler material)諸如被沉積或旋涂的氧化物或者聚合物32，諸如聚酰亞胺或苯并環(huán)丁烯，可以被形成于管芯14-16上方和/或之間，如附圖3B中所示。材料32可以在該過程中的不同的點(diǎn)被形成。附圖3B顯示了一種實(shí)例，其中材料32在形成膜30和40之前被形成。填料材料也可以在如附圖3A中所示結(jié)構(gòu)形成之后，在形成硬掩模40之后(附圖4)，或者過程中不同的其它點(diǎn)形成，其取決于很多因素，諸如所選材料或者溫度考慮。其它技術(shù)可以被用于形成填料材料。例如電介質(zhì)填料，例如氧化硅，可以通過連續(xù)或反復(fù)的例如使用上述方法的電介質(zhì)形成和化學(xué)機(jī)械拋光步驟來被使用。替代地，導(dǎo)電填料，比方說通過例如電鍍形成的金屬，可以通過連續(xù)或反復(fù)的金屬形成和化學(xué)機(jī)械拋光步驟來被使用。具有平坦的表面可以增進(jìn)在表面上形成光致抗蝕劑和其它膜以及在這樣的膜中形成開口，例如附圖4中所示的開口 41。
[0084]接下來，硬掩模40被形成于電介質(zhì)膜30上并且被圖案化，以留下與結(jié)構(gòu)17大體上對(duì)準(zhǔn)的開口 41 (附圖4)。硬掩模優(yōu)選地由對(duì)后續(xù)的被用于將通孔蝕刻穿過減薄襯底21和器件區(qū)18和11到達(dá)接觸結(jié)構(gòu)12的一個(gè)或多個(gè)蝕刻工藝具有高蝕刻選擇性的材料組成。硬掩模的實(shí)例為鋁、鎢、鉑、鎳、和鉬，蝕刻工藝的實(shí)例是基于SFfJ^反應(yīng)離子蝕刻以蝕刻出穿過減薄硅襯底的通孔，以及基于0匕的反應(yīng)離子蝕刻以蝕刻出穿過器件區(qū)18和11到接觸結(jié)構(gòu)12的后續(xù)通孔。硬掩模40的厚度一般是0.1到1.0微米。開口 40的寬度取決于很多因素，包括減薄襯底21的厚度以及接觸結(jié)構(gòu)17間的縫隙，但一般為I到10微米。
[0085]開口 41使用硬掩模40和電介質(zhì)膜30的標(biāo)準(zhǔn)光刻圖案化和蝕刻技術(shù)來形成。例如，可以使用光刻將開口形成于光致抗蝕劑中。該開口可以與管芯14-16(或襯底22)或者襯底10上的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記對(duì)準(zhǔn)。光學(xué)或紅外成像(IR imaging)可被用于對(duì)準(zhǔn)。然后，硬掩模40可以被用合適的濕法化學(xué)溶液或者干法離子蝕刻工藝來蝕刻，這取決于硬掩模材料，并暴露出開口中的電介質(zhì)膜30。然后電介質(zhì)膜30可以以類似于硬掩模40的方式用合適的濕法化學(xué)溶液或者干法反應(yīng)離子蝕刻來蝕刻，這取決于電介質(zhì)膜材料。如果該硬掩模為鋁，那么用于硬掩模的濕法化學(xué)溶液實(shí)例是A型鋁蝕刻劑。如果該電介質(zhì)膜材料是氧化硅，那么用于電介質(zhì)膜材料的反應(yīng)離子蝕刻工藝的實(shí)例是基于CF4的反應(yīng)離子蝕刻。很多其它的濕法和干法蝕刻可以被用于這些和其它的硬掩模和電介質(zhì)膜材料。開口 41的寬度優(yōu)選地寬于結(jié)構(gòu)17間的間隔，如果開口被對(duì)準(zhǔn)管芯14-16(或襯底22)的話；或者，優(yōu)選地寬于結(jié)構(gòu)17間的間隔加上用于將管芯14-16(或襯底22)放置于襯底20上的方法之對(duì)準(zhǔn)精度，如果開口被對(duì)準(zhǔn)下方襯底20的話。
[0086]使用硬掩模40，管芯14-16的襯底部分被蝕刻以形成通孔50，如附圖5中所示。蝕刻繼續(xù)穿過與接觸結(jié)構(gòu)12和17相鄰的材料，該材料一般為電介質(zhì)材料，以暴露導(dǎo)電結(jié)構(gòu)17的背部和側(cè)部以及接觸結(jié)構(gòu)12的頂面。第一組氣體和條件(condit1ns)，例如基于SF6,可以被用于蝕刻穿過管芯14-16的襯底材料；而第二組氣體和條件，例如基于CF4，可以被用于蝕刻穿過圍繞著接觸結(jié)構(gòu)17的電介質(zhì)層。通過合適地切換氣體和條件，兩種蝕刻可以在一個(gè)室中進(jìn)行，而不必破壞真空。暴露導(dǎo)電結(jié)構(gòu)12的蝕刻如附圖6A中所示。蝕刻產(chǎn)生延伸穿過接觸結(jié)構(gòu)17的縫隙或開口到達(dá)接觸結(jié)構(gòu)12的通孔部分60。
[0087]用于暴露接觸結(jié)構(gòu)12和17的電介質(zhì)通孔蝕刻優(yōu)選地對(duì)接觸結(jié)構(gòu)17具有高蝕刻選擇性，以避免危害到接觸結(jié)構(gòu)17的蝕刻量。然而，可能有些電介質(zhì)通孔蝕刻和導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的組合導(dǎo)致蝕刻量危害到接觸結(jié)構(gòu)17。例如，當(dāng)導(dǎo)電結(jié)構(gòu)17足夠薄或者當(dāng)接觸結(jié)構(gòu)12和17之間的垂直距離足夠大時(shí)可能發(fā)生不利影響(detrimental effect) ο
[0088]蝕刻有害量的實(shí)例是由氧化硅電介質(zhì)所包圍的鋁接觸結(jié)構(gòu)17和一些基于反應(yīng)離子蝕刻的一些組合，其中鋁導(dǎo)電結(jié)構(gòu)蝕刻速率與氧化硅電介質(zhì)蝕刻速率之比相當(dāng)于或高于接觸結(jié)構(gòu)17的厚度與接觸結(jié)構(gòu)12和17之間的氧化硅電介質(zhì)厚度之比。
[0089]在蝕刻量會(huì)危害到接觸結(jié)構(gòu)17的情況中，可以增加接觸結(jié)構(gòu)17的厚度或加入中間步驟以保護(hù)接觸結(jié)構(gòu)17免受電介質(zhì)通孔蝕刻。中間處理步驟可以被用于避免以下的有害蝕刻。當(dāng)電介質(zhì)蝕刻首先暴露了上方接觸結(jié)構(gòu)17的背部和側(cè)部時(shí)，硬掩模，諸如金屬材料，可以在導(dǎo)致對(duì)接觸結(jié)構(gòu)17的有害蝕刻的電介質(zhì)蝕刻繼續(xù)之前，被選擇性地沉積于接觸結(jié)構(gòu)17的暴露部分上。在選擇性沉積硬掩模之后，電介質(zhì)蝕刻可以繼續(xù)而不會(huì)對(duì)接觸結(jié)構(gòu)17造成有害蝕刻。硬掩模選擇性沉積的實(shí)例是無電鍍镲(electroless nickel plating)。這例如在附圖6B中顯示了，其中在被暴露接觸結(jié)構(gòu)17之后并在任何明顯的有害蝕刻發(fā)生之前停止蝕刻。然后，使用例如無電鍍將接觸結(jié)構(gòu)17涂敷上保護(hù)性硬掩模材料61，例如鎳。在接觸結(jié)構(gòu)12和17的后續(xù)連接中，材料諸如鎳可以保留在器件中。替代地，如果需要的話，材料61可以在結(jié)構(gòu)12和17形成連接之前被移除。
[0090]要注意的是硬掩模61也可以被選擇性地沉積于硬掩模40上。一個(gè)例子是當(dāng)硬掩模40為導(dǎo)體并且保護(hù)性硬掩模61的沉積用無電鍍來完成時(shí)。這可能有利于降低硬掩模40所需厚度。在硬掩模40上沉積保護(hù)性硬掩模材料61的另一個(gè)優(yōu)點(diǎn)可以是，通孔50孔徑的制約導(dǎo)致遮蔽一部分接觸結(jié)構(gòu)17不受通孔60的各向異性蝕刻。附圖7A詳細(xì)顯示了管芯14-16之一以更清楚地闡釋后續(xù)步驟。保形絕緣膜70被形成于掩模40、接觸結(jié)構(gòu)12和17、以及通孔50和60的側(cè)壁上方，部分地填充通孔50和60。合適的絕緣膜的實(shí)例是氧化硅、氮化硅或聚對(duì)二甲苯(parylene)?？梢允褂么罅康湫偷某练e方法，包括但不只限于物理氣相沉積、化學(xué)氣相沉積、和氣相沉積，來形成絕緣膜。物理氣相沉積的實(shí)例是濺射；化學(xué)氣相沉積的實(shí)例是等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積；而氣相沉積的實(shí)例是固體蒸鍍，接著高溫分解然后沉積。
[0091]可以在形成保形絕緣膜70之前，通過例如蝕刻，移除硬掩模40或者硬掩模40和保形電介質(zhì)膜30。附圖7B顯示了硬掩模40被移除的情況。如果用來移除硬掩模40或者硬掩模40和膜30的蝕刻對(duì)由通孔50和60所暴露的材料是選擇性的，那么該蝕刻可以不用掩模就能完成。如果該蝕刻對(duì)由通孔50和60所暴露的材料是非選擇性的，那么通孔50和60中這些受到蝕刻的材料可以用合適材料來掩模。例如，如果硬掩模40，且接觸結(jié)構(gòu)12和17全部都是鋁，那么可以用易于移除的旋涂粘性液體材料將通孔部分地填充到一個(gè)深度，使得接觸結(jié)構(gòu)12和17被覆蓋。通過首先選擇適當(dāng)?shù)男磕ず穸纫灰辉摵穸葘⑦m當(dāng)?shù)仄秸杀回灤┬纬赏?0和60的硬掩模40所形成的表面一一通孔可以被用易于移除的旋涂粘性液體材料部分地填充。然后，涂敷該膜厚度將導(dǎo)致通孔內(nèi)部的膜厚度比通孔外部的厚得多。對(duì)整個(gè)表面的適當(dāng)蝕刻就從硬掩模40的表面移除了該材料，而在通孔50和60中留下覆蓋接觸結(jié)構(gòu)12和17的材料。易于移除的旋涂材料和適當(dāng)蝕刻的實(shí)例分別是光致抗蝕劑和02等離子體蝕刻。
[0092]保形膜70被各向異性蝕刻以被暴露接觸結(jié)構(gòu)12和17，而將膜70留在通孔50和60的側(cè)壁上。結(jié)構(gòu)17的背部表面優(yōu)選地被暴露以形成凸緣(ledge) 27用來增加接觸表面面積，使得接觸電阻值降低。為了最小化接觸電阻值，優(yōu)選地典型的凸緣27寬度超過I微米，但該距離根據(jù)器件和工藝參數(shù)會(huì)有所不同。附圖8A和SB描述了被蝕刻的保形膜70，分別為在形成保形絕緣膜70之前沒有移除和移除了掩模40的情況。膜30和40兩者都可以在形成層70之前被移除。這樣的話，蝕刻了保形層70之后，接著可以通過例如氧化或沉積，將另一絕緣層形成于襯底部分21 (或者器件區(qū)18，如果部分21被完全移除的話)上。
[0093]作為保形膜70的替代，保形膜也可以在暴露接觸結(jié)構(gòu)12的頂面之前被形成。例如，保形膜71可以在蝕刻穿過管芯14-16的襯底部分之后但在蝕刻進(jìn)入到與接觸結(jié)構(gòu)17相鄰的材料之前被形成，保形膜72可以在蝕刻進(jìn)入到與接觸結(jié)構(gòu)17相鄰的材料之后但在到達(dá)接觸結(jié)構(gòu)17之前被形成，保形膜73可以在到達(dá)導(dǎo)電結(jié)構(gòu)17之后但在形成通孔60之前被形成，或者保形膜74可以在到達(dá)導(dǎo)電結(jié)構(gòu)17并形成通孔60的一部分之后但在完全形成通孔60并到達(dá)接觸結(jié)構(gòu)12之前被形成，分別如附圖8C、8D、8E、和8F中所示。保形膜71、72、73、和74可以隨后被各向異性蝕刻，以在管芯14-16的襯底部分的通孔部分50上形成隔離側(cè)壁(isolating sidewall)。例如，保形膜71可以隨后被各向異性蝕刻，以在管芯14-16的襯底部分的通孔部分50上形成隔離側(cè)壁；保形膜72可以隨后被各向異性蝕刻，以在管芯14-16的襯底部分的通孔部分50上、以及在包含了與接觸結(jié)構(gòu)17相鄰的材料的通孔50上部形成隔離側(cè)壁；保形膜73可以隨后被各向異性蝕刻，以在通孔50的整個(gè)深度方向上形成隔離側(cè)壁；而保形膜74可以隨后被各向異性蝕刻，以在通孔50的整個(gè)深度方向上、以及通孔60的上部形成隔離側(cè)壁，分別如附圖8G、8H、81、和8J中所示。
[0094]作為通過膜70、71、72、或74的保形沉積以及隨后對(duì)所述膜的各向異性蝕刻所形成的側(cè)壁的替代，側(cè)壁75可以被選擇性地形成于通孔50中管芯14-16的襯底部分上，如附圖8K中所示在由所述通孔形成所述部分之后?？梢酝ㄟ^相對(duì)于與接觸結(jié)構(gòu)17相鄰的材料優(yōu)先(preferentially)與襯底部分發(fā)生反應(yīng)的工藝來形成側(cè)壁75。例如，如果管芯14-16的襯底部分是硅而與接觸結(jié)構(gòu)17相鄰的材料是氧化硅，那么可以使用相對(duì)于氧化硅優(yōu)先在硅上成核(nucleate)的電介質(zhì)沉積工藝，其中電介質(zhì)沉積包含側(cè)壁75，其中如附圖8K中所示，側(cè)壁75在結(jié)構(gòu)上類似于在保形膜71的各向異性蝕刻之后的通孔50中的保形膜71。這里，側(cè)壁75在蝕刻穿過管芯14-16的襯底部分之后但在蝕刻進(jìn)入到與接觸結(jié)構(gòu)17相鄰的材料之前被形成。
[0095]接觸結(jié)構(gòu)17的側(cè)表面也可以在各向異性蝕刻中被暴露以進(jìn)一步增加表面面積并降低接觸電阻值。這也在附圖8A和8B中所示。然后通孔50和60可以由金屬進(jìn)一步填充或完全填充。用金屬填充通孔50和60的方法包括但不限于物理氣相沉積(PVD)、化學(xué)氣相沉積(CVD)或電鍍。電鍍一般被用于沉積比PVD或CVD更厚的膜，并且一般在其之前進(jìn)行薄PVD或CVD種子層的沉積。由PVD所形成膜的實(shí)例是濺射的鋁、鈀、鈦、鎢、鈦鎢、或者銅，由CVD所形成膜的實(shí)例是鎢或者銅，而由電鍍(其包括無電鍍)所形成膜的實(shí)例是鎳、金、韋巴或銅。
[0096]附圖9A顯示了掩模電鍍法的實(shí)例，由此金屬種子層90被先沉積于該結(jié)構(gòu)上方，對(duì)接觸結(jié)構(gòu)12和17形成電接觸，接著使用例如光致抗蝕劑形成掩模91。種子層90可以通過上述的PVD、CVD、或電鍍來沉積。使用掩模91和到種子層90的電接觸，金屬接觸92填充通孔50和60。在附圖9B中，顯示了一種結(jié)構(gòu)，其中掩模40在形成保形絕緣膜70之前被形成；并且附圖9C顯示了一種結(jié)構(gòu)，其中沒有使用種子層。拋光步驟、例如化學(xué)機(jī)械拋光，可以隨后被用于移除在通孔50和60外面的金屬接觸92的多余部分。該拋光步驟也可以移除管芯14-16的暴露部分上的金屬種子層90。還可以移除管芯14-16暴露部分上的硬掩模40。如果硬掩模是導(dǎo)電的，如上述所給出的鋁的情況，那么為了將如此形成的金屬填充通孔彼此電隔離開，可以優(yōu)選地移除硬掩模40。該拋光步驟可以進(jìn)一步移除保形電介質(zhì)膜30，導(dǎo)致管芯14-16的暴露側(cè)上的大致平坦的表面和平坦的金屬結(jié)構(gòu)100，如附圖1OA和1B中所示，其中附圖1OB中的結(jié)構(gòu)有別于附圖10中的結(jié)構(gòu)之處在于在用金屬填充通孔之前沒有使用種子層。
[0097]作為用金屬填充通孔50和60接著CMP的替代，通孔50和60可以內(nèi)襯金屬93、填充電介質(zhì)94然后接著CMP，如附圖1OC中所示。通過用如上所述的PVD、電鍍或CVD中的至少一種進(jìn)行沉積，通孔50和60可以內(nèi)襯金屬93。金屬93的厚度一般是0.01到0.2微米，并且可以包括與保形絕緣膜70相鄰的阻擋層以防止污染接觸結(jié)構(gòu)12或17或者器件區(qū)18或11。阻擋層的實(shí)例包括氮化鉭、氮化鎢、和氮化鈦，并且可以在其之前加上一般厚度為0.005到0.02微米的鈦粘附層(adhes1n layer)。阻擋層的一般厚度是0.005到0.05微米。在沉積了初始厚度的金屬93之后，電鍍也可以被用于將金屬93的厚度保形地增加到所需厚度。對(duì)于通孔50而言，以足夠?qū)挼耐?0為條件，一般增加的厚度是0.5到2.0微米。電介質(zhì)94的實(shí)例是氧化硅，而填充的實(shí)例是用等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)。該替代方案的優(yōu)點(diǎn)是減少金屬沉積和金屬CMP并且可能使內(nèi)襯了復(fù)合金屬并填充了電介質(zhì)的通孔和管芯14-16周圍襯底部分之間的熱膨脹系數(shù)(CTE)匹配得更好。
[0098]將通孔50和60用金屬填充或者將通孔50和60用金屬93作襯里接著用電介質(zhì)94填充的另一替代是，將通孔60用金屬97填充或者作襯里以在接觸結(jié)構(gòu)12和17之間形成電互連而不接觸減薄襯底21，然后將通孔50和60用電介質(zhì)98填充，接著進(jìn)行如上所述的CMP，如附圖1OD中所示。利用通過鍍覆到足夠厚度優(yōu)先地鍍覆接觸結(jié)構(gòu)12和17的無電鍍，將接觸結(jié)構(gòu)12和17互連起來，可以形成金屬97以互連接觸結(jié)構(gòu)12和17而不接觸減薄襯底21?？梢员诲兏驳阶銐蚝穸鹊臒o電鍍的實(shí)例是無電鍍鎳。該替代方案的優(yōu)點(diǎn)是不需要在剩余的襯底管芯14-16的通孔50部分上的、將所述電互連與所述遺留襯底管芯電隔離開側(cè)壁60、71、72、73、74、或75，如附圖1OD中所示。
[0099]互連接觸結(jié)構(gòu)12和17的電互連可以通過將通孔51蝕刻穿過電介質(zhì)98到金屬97并將通孔51