段(B)描述。系統(tǒng)1300的階段(A)包含具有穿孔1301的支撐構(gòu)件1302，穿孔1301的尺寸設(shè)為容納半導(dǎo)體粒子70以便部分73從支撐構(gòu)件1302中突出。根據(jù)圖13中所示的實(shí)施例，支撐構(gòu)件1302包含一穿孔式傳送裝置(a perforated conveyor)。根據(jù)圖13中所描繪的實(shí)施例，半導(dǎo)體粒子70通過(guò)虹吸管1303擺放在支撐構(gòu)件1302上，該虹吸管1303連接于一料斗(圖中未示)。
[0100]抽吸裝置1304可操作地連接至支撐構(gòu)件1302并施加吸力至半導(dǎo)體粒子70的另一部分74以維持半導(dǎo)體粒子70在穿孔1301中。根據(jù)一些實(shí)施例，抽吸裝置1304包含真空裝置。
[0101]系統(tǒng)1300的階段(A)進(jìn)一步包含施加器(an applicator),其用于在支撐構(gòu)件1302上施加(applying)密封材料層76，以便半導(dǎo)體粒子70的部分73被密封材料層76覆蓋。根據(jù)一些實(shí)施例，用于施加密封材料層76的施加器包含以下其一:噴霧器(asprayer)、滾筒(a roller)及壓制器(a press)。如圖13中所描述的，系統(tǒng)1300中用于施加密封材料層76的施加器包含噴霧器1305。
[0102]根據(jù)一些實(shí)施例，加熱支撐構(gòu)件1302以輔助固化密封材料層76。
[0103]系統(tǒng)1300進(jìn)一步包含一用于將半導(dǎo)體粒子70及密封材料層76的組件77從支撐構(gòu)件1302上脫離的脫離裝置(a releasing apparatus)。根據(jù)圖13中描述的實(shí)施例,脫離裝置包含升降器1306 (lifter)，其隨著組件77朝著升降器1306橫穿支撐構(gòu)件1302可輕輕地從支撐構(gòu)件1302上升起組件77。
[0104]在系統(tǒng)1300的階段(B)，一平坦化裝置平坦化半導(dǎo)體粒子70的另一部分74。根據(jù)圖13中描述的實(shí)施方式,組件77在平坦化裝置研磨機(jī)1307下橫穿傳送帶(conveyor)1308，并形成半導(dǎo)體底板78。
[0105]直接注意圖14a至14d，其根據(jù)第二組實(shí)施例的第二子集，根據(jù)非限制實(shí)施例描繪了用于制作半導(dǎo)體底板的方法，且其中類(lèi)似的元件采用與圖7a至13類(lèi)似的數(shù)字標(biāo)記。襯底140具有穿孔141a、141b、141c、141d、141e及141f，此處也稱(chēng)為穿孔141。穿孔141類(lèi)似于圖7a至13中所描述的實(shí)施方式在抽吸，這可理解為由氣壓梯度力142(此處也稱(chēng)為氣壓梯度力142a、142b、142c、142d、142e及142f)產(chǎn)生。術(shù)語(yǔ)“吸力”及“氣壓梯度力”在此處可以互換使用。氣壓梯度力142或吸力142由穿孔141所限定的區(qū)域及與穿孔141的流體連通的低壓區(qū)域之間的壓力差生產(chǎn)。例如，所述低壓區(qū)域可以為真空裝置中的低壓室，其可操作地連接至襯底140和/或穿孔141。
[0106]在半導(dǎo)體底板中，襯底140支撐并與半導(dǎo)體粒子70連接在一起(例如彼此結(jié)合(incooperat1n with each other))。根據(jù)一些實(shí)施例,襯底140可為透光或不透明的。根據(jù)一些實(shí)施例，襯底140被分為具有不同透光性和/或成分的若干分區(qū)或區(qū)域。如上描述，根據(jù)一些實(shí)施例，多重器件可用同一半導(dǎo)體底板(the same sem1-conducting backplane)制作且分成為獨(dú)立器件的分區(qū)或區(qū)域。在該類(lèi)實(shí)施例中，襯底140的性質(zhì)(characteristics)也根據(jù)這些區(qū)域變化，包括成分、透光性和/或厚度。
[0107]襯底140可采用多種形式，如襯底材料的薄片。襯底薄片140可以通過(guò)噴涂或沉積(depositing)襯底材料于滾筒或傳送帶的表面上的方式形成于一滾筒或傳送帶上。如果需要，襯底材料可被熔化或聚合。襯底140也包含幾種物質(zhì)(substances)。根據(jù)一些實(shí)施例，襯底140包含以下其一:玻璃、塑料、柔性玻璃及塑料(flex-glass and plastic)。例如,襯底140可包含一柔性玻璃薄片。
[0108]襯底140的形式及成分可基于半導(dǎo)體底板期望的特性進(jìn)行變化?？扇∫蝗犴g的半導(dǎo)體底板以方便地運(yùn)輸。例如，根據(jù)一些實(shí)施例，半導(dǎo)體底板足夠柔韌可以被卷起。在卷起形式下，半導(dǎo)體底板每單元表面區(qū)域相比傳統(tǒng)剛性面板可占用更少的空間，因此更易于運(yùn)輸。根據(jù)一些實(shí)施例，可通過(guò)制作相對(duì)其他襯底140的尺寸(例如長(zhǎng)度及寬度)較薄的襯底140和/或選擇促進(jìn)柔韌性的襯底，例如柔韌的聚合物制作襯底140以促進(jìn)半導(dǎo)體底板中的柔韌性。根據(jù)一些實(shí)施例，襯底140包含柔韌的玻璃薄片，厚度大約為100??m。根據(jù)一些實(shí)施例，作為后續(xù)處理的一部分，一個(gè)或多個(gè)襯底140及半導(dǎo)體底板147制作成卷筒。
[0109]根據(jù)一些實(shí)施方式，半導(dǎo)體底板147形成顯示器的部分，該顯示器在彎曲表面內(nèi)部之上形成。根據(jù)這些實(shí)施方式，襯底140可為可在加工過(guò)程中變形的足夠柔韌的薄片，以便襯底140稍后松弛成為彎曲狀(例如非平面形狀)。根據(jù)一些實(shí)施例，半導(dǎo)體底板147及所附的電子器件，使用平坦化工藝如光刻形成。因此，根據(jù)一些實(shí)施例，在一個(gè)大球體上制作顯示器過(guò)程中，半導(dǎo)體底板147及襯底140作為該球體的一個(gè)平面投影制造，隨后環(huán)繞該球包裹或加工成該球的形狀。
[0110]如圖14b中所描繪的，半導(dǎo)體粒子70設(shè)置在穿孔141中以便半導(dǎo)體粒子的部分145 (這里也稱(chēng)為部分145a、145b、145c、145d、145e、145f及145g)從襯底140突出。根據(jù)一些實(shí)施例，半導(dǎo)體粒子70可以通過(guò)襯底140的機(jī)械振動(dòng)設(shè)置在穿孔141中。半導(dǎo)體粒子也可通過(guò)分別放置每個(gè)半導(dǎo)體粒子70a、70b、70c、70d、70e及70f在各自的穿孔141a、141b、141c、141d、141e及141f中而設(shè)置在穿孔141中。然而，該列表并不詳盡，任何合適的在穿孔141中設(shè)置半導(dǎo)體粒子70的方法均可想到。
[0111]穿孔141大小設(shè)為接收半導(dǎo)體粒子70，使半導(dǎo)體粒子不會(huì)穿過(guò)穿孔141。在所描述的實(shí)施例中，襯底140大小設(shè)為半導(dǎo)體粒子70的部分145及部分146從襯底140突出。根據(jù)一些實(shí)施例，部分145及部分146中僅有一個(gè)從襯底140突出。
[0112]部分145和/或部分146從襯底140突出的量，例如距離(d)或(e)，可取決于半導(dǎo)體底板的應(yīng)用、使用該半導(dǎo)體底板的器件的設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)和/或設(shè)計(jì)要求。
[0113]進(jìn)一步地，橫跨襯底140的穿孔141的數(shù)量及排列是可以變化的。根據(jù)一些實(shí)施方式，穿孔141包含一單個(gè)穿孔(例如穿孔141a)。根據(jù)一些實(shí)施例，穿孔141在整個(gè)襯底140上均勻間隔。根據(jù)一些實(shí)施例，穿孔141在整個(gè)襯底140上非均勻排列。根據(jù)一些實(shí)施例，穿孔141設(shè)置在整個(gè)襯底140的預(yù)定位置處。例如，如果半導(dǎo)體底板將用于制作顯示器，則穿孔141將置于與半導(dǎo)體粒子70連接的晶體管或其他電子連接處。
[0114]穿孔141可制造在襯底140上或?yàn)橐r底140固有的。根據(jù)一些實(shí)施例，穿孔141可通過(guò)切割或沖孔襯底140以機(jī)械方式形成。根據(jù)一些實(shí)施例，穿孔141作為用來(lái)創(chuàng)制襯底140的鑄造過(guò)程的一部分形成。根據(jù)一些實(shí)施例，通過(guò)化學(xué)蝕刻形成穿孔141。根據(jù)一些實(shí)施例，穿孔141包含襯底140中固有的孔或凹坑(pits)。
[0115]根據(jù)一些實(shí)施例，穿孔141具有各種大小及形狀。穿孔141以任何適合應(yīng)用、制作和/或運(yùn)輸半導(dǎo)體底板的方式排列。根據(jù)一些實(shí)施例，多重器件由同一半導(dǎo)體底板制作。在這類(lèi)實(shí)施例中，半導(dǎo)體底板可分為若干代表每個(gè)獨(dú)立的器件的分區(qū)或區(qū)域。如果器件為不同器件(例如不同尺寸、福射要求(emiss1n requirements)、電源要求(powerrequirements)等)，每個(gè)分區(qū)或區(qū)域可能需要不同大小、結(jié)構(gòu)和/或形狀的半導(dǎo)體粒子。因此，在這些實(shí)施例中，穿孔141可在每個(gè)區(qū)域不同地排列。之后半導(dǎo)體底板可能根據(jù)每個(gè)分區(qū)或區(qū)域例如通過(guò)切割半導(dǎo)體底板，以進(jìn)一步制作各自的器件。
[0116]半導(dǎo)體粒子70通過(guò)氣壓梯度力142保留在穿孔141中。如圖14a及14b所描述的，氣壓梯度力142吸引或迫使半導(dǎo)體粒子70朝向并進(jìn)入穿孔141，這有助于防止半導(dǎo)體粒子70從各自的穿孔141a、141b、141c、141d、141e及141f中脫落或移出。
[0117]襯底140粘附在半導(dǎo)體粒子70上形成襯底140及半導(dǎo)體粒子70的組件143 (圖14c中描繪)。任何適合在穿孔141位置處將半導(dǎo)體粒子70黏附在襯底140的方式均可預(yù)期。根據(jù)一些實(shí)施例，將襯底140粘附在半導(dǎo)體粒子70上包括以下一個(gè)或多個(gè):在穿孔141上施加(applying)粘合劑；在半導(dǎo)體粒子70上施加(applying)粘合劑；加熱襯底140 ;及固化襯底140。根據(jù)一些實(shí)施例，襯底140及半導(dǎo)體粒子70中的一個(gè)或多個(gè)被處理以促進(jìn)粘合至半導(dǎo)體粒子70。例如，粘合劑如膠或環(huán)氧樹(shù)脂被施加至穿孔141及的內(nèi)壁和半導(dǎo)體粒子70的一個(gè)或多個(gè)。如另一示例，襯底140可加熱以在半導(dǎo)體粒子70周?chē)浕r底140。
[0118]如圖14d中所描繪，半導(dǎo)體粒子70的部分145的至少一部分被平坦化處理以形成半導(dǎo)體底板147。通過(guò)平坦化移除的另一部分145的移除部分量，記為145’，可能取決于半導(dǎo)體底板的應(yīng)用，包括可制作至半導(dǎo)體粒子70的電連接。各種平坦化技術(shù)均可利用。根據(jù)一些實(shí)施例，平坦化包含化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)。根據(jù)一些實(shí)施例，平坦化包含打磨或磨削半導(dǎo)體粒子70。根據(jù)一些實(shí)施例，半導(dǎo)體粒子在平坦化后通過(guò)激光再結(jié)晶進(jìn)一步處理。
[0119]根據(jù)一些實(shí)施例，平坦化的部分位于以下其一:平行于襯底140的平面及襯底140的平面面內(nèi)(例如共面)。例如，如圖14d中所描繪的，半導(dǎo)體粒子沿著平面144進(jìn)行平坦化處理，該平面144至少與襯底140的表面140’及140’’之一平行。根據(jù)一些實(shí)施例，半導(dǎo)體粒子沿著兩個(gè)平面進(jìn)行平坦化處理，第一平面平行于或與表面140’共面，第二平面平行于或與表面140’’共面。在兩側(cè)平坦化半導(dǎo)體粒子70，在襯底140的兩表面上顯露半導(dǎo)體粒子70的半導(dǎo)體表面，允許器件，連接及電氣過(guò)孔(electrical vias)在器件兩側(cè)制造。例如，電子器件可置于半導(dǎo)體粒子70的一個(gè)平坦化表面上，同時(shí)激活接觸焊盤(pán)(例如帶有ESD保護(hù)及驅(qū)動(dòng)晶體管的接觸焊盤(pán))設(shè)置在半導(dǎo)體粒子的另一平坦化表面上，這兩平坦化表面通過(guò)制作在半導(dǎo)體中或圍繞在襯底140周?chē)碾姎膺^(guò)孔連接。得到的整個(gè)器件更為緊湊，這是由于通常用于連接焊盤(pán)的區(qū)域，現(xiàn)在用于電子線(xiàn)路(circuitry)。
[0120]進(jìn)一步地，電器件可以切成小塊形成單個(gè)芯片(individual die)。接觸焊盤(pán)不必為引線(xiàn)接合焊盤(pán)，但可用于芯片貼裝、球形鍵合或其他直接貼裝至印刷電路板(PCB)上的標(biāo)準(zhǔn)方法。
[0121]根據(jù)一有關(guān)實(shí)施例，使用半導(dǎo)體底板147的電器件可以分成小塊形成獨(dú)立的芯片，并在貼裝至PCB或其他載體后，襯底140隨后可通過(guò)任何方便的方式被移除，例如溶解或熔化襯底，留下現(xiàn)在較小的，安裝好的且電氣連接的器件。
[0122]根據(jù)一些實(shí)施例，電氣芯片或半導(dǎo)體底板可以堆疊。
[0123]如圖15中所描繪，其中類(lèi)似元件以圖7a至14中類(lèi)似的標(biāo)號(hào)標(biāo)記，可提供襯底140至支撐構(gòu)件152。支撐構(gòu)件152配置為施加吸力142至襯底140的穿孔141，經(jīng)由一可操作地連接至支撐構(gòu)件152中的穿孔153的真空裝置。當(dāng)支撐構(gòu)件152旋轉(zhuǎn)時(shí)，半導(dǎo)體粒子70通過(guò)虹吸管151設(shè)置進(jìn)入穿孔141,虹吸管151結(jié)合至一料斗(圖中未示)。
[0124]支撐構(gòu)件152用作襯底140的支撐結(jié)構(gòu)并提供吸力142至穿孔142以維持半導(dǎo)體粒子70在穿孔141中。與支撐構(gòu)件72，82a、82b、82c、92及1302類(lèi)似，支撐構(gòu)件152可包含各種形狀、構(gòu)造及尺寸。根據(jù)一些實(shí)施例，支撐構(gòu)件152包括以下其一:中空柱體或滾筒、基本實(shí)心的柱體或滾筒、平面構(gòu)件、曲面構(gòu)件及傳送構(gòu)件。根據(jù)一些實(shí)施例，支撐構(gòu)件152包括以下之一:支撐構(gòu)件72、82a、82b、82c、92及1302。
[0125]支撐構(gòu)件152可包含各種材料。例如，支撐構(gòu)件可包含鋼鐵及陶瓷中的一種。半導(dǎo)體底板的應(yīng)用、特殊制作條件及“熱量收支”或用于形成半導(dǎo)體底板的材料的溫度限制很可能影響(inform)支撐構(gòu)件152的材料。
[0126]例如，根據(jù)一些實(shí)施例，支撐構(gòu)件152可被加熱以熔化襯底140使襯底140粘附在半導(dǎo)體粒子70上形成組件143。在該類(lèi)實(shí)施例中，支撐構(gòu)件152可能包含一熱導(dǎo)元件。
[0127]根據(jù)一些實(shí)施例，襯底140中的穿孔141及支撐構(gòu)件152中的穿孔153并不彼此對(duì)準(zhǔn)或相對(duì)于彼此偏移(are offset with respect to each other)。根據(jù)一些實(shí)施例，穿孔153包含溝(channels)或槽。根據(jù)一些實(shí)施例，穿孔153大小設(shè)為比襯底140中的穿孔141更大。例如，在一些實(shí)施例中，襯底140足夠厚以在穿孔153上方自支撐懸掛(suspens1nover)以便襯底140不會(huì)由于吸力142大幅彎曲或變形。如圖15中所描繪的，根據(jù)一些實(shí)施例，穿孔153大小設(shè)為比襯底140中的穿孔141更小。支撐構(gòu)件152的任何能夠使支撐構(gòu)件152提供吸力142至襯底140的穿孔141的配置均可預(yù)期。
[0128]包含襯底140及半導(dǎo)體粒子70的組件143可從支撐構(gòu)件152上脫離。如所描述的關(guān)于脫離支撐構(gòu)件72，“脫離”可包含從組件143上分離支撐構(gòu)件152或者與之相反(從支撐構(gòu)件152上分離組件143)。例如，如