專利名稱：半導(dǎo)體器件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件，特別涉及配有半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的半導(dǎo)體器件，在構(gòu)成存儲(chǔ)器單元陣列的擴(kuò)散層圖形中，存儲(chǔ)器在該擴(kuò)散層的圖形密度低的區(qū)域配置形成虛擬(dummy)圖形。
一般來(lái)說(shuō)，在配備常規(guī)的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的半導(dǎo)體器件中，大多通過(guò)重復(fù)配置有同一形狀或同一尺寸的圖形，來(lái)構(gòu)成作為形成該半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)器單元陣列。作為其一例，圖3表示平面型掩模ROM的平面圖。圖3中，在半導(dǎo)體存儲(chǔ)器內(nèi)的存儲(chǔ)器單元部分11和存儲(chǔ)器單元部分13中，按同一線寬且等間隔地反復(fù)敷設(shè)的狀態(tài)配置N+擴(kuò)散層14和柵極線15。此外，在另一面，在選擇器部分12中，不象存儲(chǔ)器單元部分11和13那樣以等間隔的關(guān)系配置N+擴(kuò)散層14和柵極線15。因此，在配置形成常規(guī)的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的半導(dǎo)體器件中，如圖3的一個(gè)常規(guī)例所示，與存儲(chǔ)器單元部分11和13相比，存儲(chǔ)器單元陣列內(nèi)的選擇器部分12的圖形密度，通常處于相對(duì)低的圖形密度配置狀態(tài)。在形成這樣的存儲(chǔ)器單元陣列的圖形時(shí)，例如，在形成N+擴(kuò)散層14的情況下，相對(duì)于抗蝕劑，把與這些N+擴(kuò)散層14形狀一致的該抗蝕劑進(jìn)行曝光處理，然后，通過(guò)對(duì)該曝光部位進(jìn)行顯影處理，進(jìn)行清除抗蝕劑的加工，形成所期望的N+擴(kuò)散層14。
再有，圖3中，由于與本發(fā)明的內(nèi)容無(wú)直接關(guān)系，所以省略了應(yīng)該包括的通孔和鋁布線等的敘述，此外，還省略了由所述N+擴(kuò)散層形成的存儲(chǔ)器單元和晶體管，或選擇器和晶體管等的敘述，但并不因此有損于作為本發(fā)明背景的常規(guī)例說(shuō)明的一般性。
在形成作為上述以往的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的半導(dǎo)體器件中，在半導(dǎo)體存儲(chǔ)器內(nèi)的選擇器部分12中，為了不按等間隔關(guān)系配置N+擴(kuò)散層14和柵極線15，所以不采用反復(fù)敷設(shè)狀態(tài)那樣的配置關(guān)系。因此，與存儲(chǔ)器單元部分11和13的區(qū)域比較，一般形成圖形密度低的區(qū)域。
圖4是表示提取圖3所示的存儲(chǔ)器單元部分11和選擇器部分12的一部分區(qū)域的局部放大圖。如上所述，作為造成選擇器部分12的圖形密度低的原因，是未配置N+擴(kuò)散層14的抗蝕劑殘留區(qū)域的占有面積相對(duì)較大，與之而來(lái)的，在除去抗蝕劑加工時(shí)，通過(guò)顯影處理時(shí)的加熱，該抗蝕劑的殘留區(qū)域作為與其面積之比相對(duì)較大的收縮狀態(tài)，如圖4所示，比生成原來(lái)設(shè)計(jì)上的N+擴(kuò)散層14的圖形形狀還要膨脹的去除圖形17a、17b和17c。
其中，在本現(xiàn)有技術(shù)例中，作為最初的設(shè)計(jì)圖形結(jié)構(gòu)，在圖4的特定場(chǎng)所A、C和E中，把各自兩側(cè)的N+擴(kuò)散層14作為源或漏，把對(duì)應(yīng)的柵極線15作為媒介，形成MOS晶體管(1)，此外，在特定場(chǎng)所B、D和F中，把各自兩側(cè)的N+擴(kuò)散層14作為源或漏，把對(duì)應(yīng)的柵極線15作為媒介，形成與所述MOS晶體管(1)有相同特性的MOS晶體管(2)。但是，如上述，在相關(guān)的N+擴(kuò)散層14中，因各自圖形密度稀疏，所以生成各自抗蝕劑去除圖形17a、17b和17c，形成偏離最初設(shè)計(jì)圖形的圖形。因此，作為形成在所述特定場(chǎng)所A、C和E上的MOS晶體管(1)，在設(shè)計(jì)上，盡管應(yīng)該有與形成在特定場(chǎng)所B、D和F上的MOS晶體管(2)有同一特性，但由于上述抗蝕劑除去圖形17a膨脹，所以形成不同特性的MOS晶體管，存在偏離原來(lái)設(shè)計(jì)思想的缺陷。
為了解決上述缺陷，本發(fā)明的目的在于在存儲(chǔ)器單元和陣列內(nèi)，使所有N+擴(kuò)散層能夠按本來(lái)的設(shè)計(jì)圖形那樣形成，因此提供配有能夠分別使在存儲(chǔ)器單元部分和選擇器部分形成的晶體管特性均勻化的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的半導(dǎo)體器件。
本發(fā)明的半導(dǎo)體器件，在把包括作為一結(jié)構(gòu)要素的單位存儲(chǔ)器單元和陣列多個(gè)連續(xù)配置的存儲(chǔ)器單元和陣列的占有區(qū)域內(nèi)，使通過(guò)離子注入形成的任意數(shù)的掩模圖形存在于該單位存儲(chǔ)器單元和陣列之間，至少在沒(méi)有存儲(chǔ)器功能的特定區(qū)域中，配有作為半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的配置形成所述掩模圖形的虛擬圖形的所述存儲(chǔ)器單元和陣列。
再有，最好形成作為N+擴(kuò)散層的所述掩模圖形，形成作為該N+擴(kuò)散層的虛擬N+擴(kuò)散層的所述虛擬圖形，此外，最好形成作為在所述單位存儲(chǔ)器單元和陣列之間存在的選擇器功能區(qū)域的所述特定區(qū)域，或者在所述單位存儲(chǔ)器單元和陣列和所述特定區(qū)域中，配置分別與所述掩模圖形垂直的柵極線，在所述單位存儲(chǔ)器單元和陣列區(qū)域內(nèi)，最好使所述掩模圖形分別有同一寬度并按等間隔配置，此外，在所述單位存儲(chǔ)器單元和陣列的區(qū)域內(nèi)，最好使所述柵極線分別有同一寬度并按等間隔配置。
圖1是表示本發(fā)明實(shí)施例中存儲(chǔ)器單元陣列的一個(gè)實(shí)施例的包括存儲(chǔ)器單元部分和選擇器部分的配置圖。
圖2是表示所述實(shí)施例的局部放大圖。
圖3是表示以往例中包括存儲(chǔ)器單元陣列的存儲(chǔ)器單元部分和選擇器部分的配置圖。
圖4是表示所述以往例的局部放大圖。
下面，參照


本發(fā)明。
圖1是展示作為本發(fā)明實(shí)施例中的一個(gè)實(shí)施例的平面型掩模ROM存儲(chǔ)器單元陣列的平面圖，是表示對(duì)于圖3所示的存儲(chǔ)器單元陣列采用了本發(fā)明，從而得到的存儲(chǔ)器單元陣列的平面圖。此外，圖2是表示抽取圖1所示的存儲(chǔ)器單元部分11和選擇器部分12的一部分區(qū)域的局部放大圖，是表示相對(duì)于圖4的局部放大圖，采用本發(fā)明進(jìn)行改善的本實(shí)施例的N+擴(kuò)散層14、虛擬N+擴(kuò)散層16a和16b的配置關(guān)系的局部放大圖。
如圖1所示，在本實(shí)施例中，在包括存儲(chǔ)器單元陣列的存儲(chǔ)器單元部分11和存儲(chǔ)器單元部分13中，按同一線寬度且等間隔地反復(fù)敷設(shè)的狀態(tài)配置N+擴(kuò)散層14和柵極線15。此外，在選擇器部分12中，不象存儲(chǔ)器單元部分11和12那樣按等間隔關(guān)系配置N+擴(kuò)散層14和柵極線15，但與以往例的情況也不同，在作為圖形密度低的區(qū)域形成的該選擇器部分12中，在N+擴(kuò)散層14的終端，配置新附加的分別相對(duì)應(yīng)的虛擬N+擴(kuò)散層16a，此外，在選擇器部分12中，在作為相對(duì)于存儲(chǔ)器單元部分11和13的N+擴(kuò)散層14的空區(qū)域存在的區(qū)域中，附加配置新的虛擬N+擴(kuò)散層16b。
這樣，通過(guò)在上述空區(qū)域中附加虛擬N+擴(kuò)散層16a和虛擬N+擴(kuò)散層16b，使選擇器部分12中對(duì)應(yīng)抗蝕劑殘留區(qū)域的空區(qū)域不存在，因此，選擇器部分12的圖形密度與存儲(chǔ)器單元部分11和13的圖形密度同樣充足。于是，通過(guò)附加虛擬N+擴(kuò)散層16a和虛擬N+擴(kuò)散層16b，使包括選擇器部分12的所述空區(qū)域的圖形密度充足，在除去抗蝕劑的顯影處理時(shí)可使抗蝕劑殘留區(qū)域的收縮均勻，形成與最初設(shè)計(jì)圖形一樣的N+擴(kuò)散層14，同時(shí)表示作為包括存儲(chǔ)器單元和晶體管或選擇器和晶體管等的MOS晶體管的形成母體，分別附加在虛擬N+擴(kuò)散層14中，分別設(shè)定新的虛擬N+擴(kuò)散層16a。但是，不把附加的虛擬N+擴(kuò)散層16b作為所述MOS晶體管的形成母體來(lái)設(shè)定。因此，通過(guò)使選擇器部分12的所述空區(qū)域的圖形密度充分地均勻化，在除去抗蝕劑的顯影處理時(shí)的抗蝕劑殘留區(qū)域的收縮被均勻化，可防止在所述以往例中作為問(wèn)題的N+擴(kuò)散層的去除抗蝕劑圖形的生成(參照?qǐng)D4的17a～17c)，在存儲(chǔ)器單元陣列內(nèi)，可把N+擴(kuò)散層按預(yù)定的設(shè)計(jì)圖形那樣形成，能夠分別使形成在N+擴(kuò)散層和柵極上的所述MOS晶體管的特性均勻化。
再有，在圖1和圖2中，與所述以往例的情況一樣，由于與本發(fā)明的內(nèi)容無(wú)直接關(guān)系，所以當(dāng)然省略了應(yīng)該包括的通孔和鋁布線等的敘述，此外，還省略了由所述N+擴(kuò)散層或虛擬N+擴(kuò)散層形成的所述MOS晶體管的敘述，但并不因此有損于作為本發(fā)明說(shuō)明的一般性。
在圖2的局部放大圖中，與圖4的以往例相比可知，在以往例中，在不存在選擇器部分12的掩模圖形的抗蝕劑殘留區(qū)域，附加配置虛擬N+擴(kuò)散層16a和虛擬N+擴(kuò)散層16b，由此，如上所述，使抗蝕劑殘留區(qū)域中的熱收縮均勻化，由圖2可知，按與設(shè)計(jì)圖形一樣地形成成為包括存儲(chǔ)器單元和晶體管或選擇器和晶體管等的MOS晶體管的形成母體的N+擴(kuò)散層14的抗蝕劑和圖形。因此，與所述以往例的情況不同，在本發(fā)明中，在特定場(chǎng)所A、C和E中形成的MOS晶體管，形成為與在特定場(chǎng)所B、D和F中形成的MOS晶體管有樣同特性的MOS晶體管，象上述那樣分別被均勻化。
如以上說(shuō)明，在不存在掩模圖形的空區(qū)域，通過(guò)附加配置虛擬N+擴(kuò)散層，使包括該空區(qū)域的區(qū)域圖形密度充足，因而具有把N+擴(kuò)散層的抗蝕劑和圖形作為存儲(chǔ)器單元和晶體管或選擇器和晶體管的形成母體來(lái)形成，從而達(dá)到能夠與設(shè)計(jì)圖形相同地形成的效果。
權(quán)利要求
1．一種半導(dǎo)體器件，其特征在于，在把包括作為一結(jié)構(gòu)要素的單位存儲(chǔ)器單元和陣列多個(gè)連續(xù)配置的存儲(chǔ)器單元和陣列的占有區(qū)域內(nèi)，使通過(guò)離子注入形成的任意數(shù)的掩模圖形存在于該單位存儲(chǔ)器單元和陣列之間，至少在沒(méi)有存儲(chǔ)器功能的特定區(qū)域中，配有作為半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的配置形成所述掩模圖形的虛擬圖形的所述存儲(chǔ)器單元和陣列。
2．如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，形成作為N+擴(kuò)散層的所述掩模圖形，形成作為該N+擴(kuò)散層的虛擬N+擴(kuò)散層的所述虛擬圖形。
3．如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，形成作為在所述單位存儲(chǔ)器單元和陣列之間存在的選擇器功能區(qū)域的所述特定區(qū)域。
4．如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，在所述單位存儲(chǔ)器單元和陣列以及所述特定區(qū)域，配置分別與所述掩模圖形垂直的柵極線，在所述存儲(chǔ)器單元和陣列的區(qū)域內(nèi)，使所述掩模圖形分別有同一寬度，且按等間隔配置。
5．如權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，在所述單位存儲(chǔ)器單元和陣列的區(qū)域內(nèi)，使所述柵極線分別有同一寬度，且按等間隔配置。
全文摘要
在存儲(chǔ)器單元陣列的存儲(chǔ)器單元部分11和13中,使N
文檔編號(hào)H01L27/108GK1213181SQ9812006
公開(kāi)日1999年4月7日 申請(qǐng)日期1998年9月29日 優(yōu)先權(quán)日1997年9月30日
發(fā)明者小槻一貴 申請(qǐng)人:日本電氣株式會(huì)社