技術(shù)編號：6820168
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及半導體器件，特別涉及配有半導體存儲器的半導體器件，在構(gòu)成存儲器單元陣列的擴散層圖形中，存儲器在該擴散層的圖形密度低的區(qū)域配置形成虛擬(dummy)圖形。一般來說，在配備常規(guī)的半導體存儲器的半導體器件中，大多通過重復配置有同一形狀或同一尺寸的圖形，來構(gòu)成作為形成該半導體存儲器的存儲器單元陣列。作為其一例，圖3表示平面型掩模ROM的平面圖。圖3中，在半導體存儲器內(nèi)的存儲器單元部分11和存儲器單元部分13中，按同一線寬且等間隔地反復敷設的狀態(tài)配置N+擴...
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