專利名稱：基片處理裝置,基片支承裝置,基片處理方法和基片制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種基片處理裝置，基片支承裝置，基片處理方法和基片制造方法。更具體地說，是將兩個(gè)基片重疊在一起并接觸的基片處理裝置，基片支承裝置，基片處理方法，和使用上述裝置和方法的基片制造方法。
使兩個(gè)基片(晶片)接觸，和通過例如陽極氧化，加壓，或熱處理使接觸的基片粘合的方法對于有SOI結(jié)構(gòu)或類似結(jié)構(gòu)的基片的制造是合適的。
圖25A和25B示意地顯示了粘合基片方法的一部分。在該粘合方法中，如圖25A所示，一第一基片1設(shè)置在基片支承夾具201上，第一基片1的粘合表面向上，和一第二基片2平緩地交疊于第一基片1，使第二基片2的粘合表面向下。在這種狀態(tài)，如圖25A所示，由兩基片之間的氣體(例如空氣或惰性氣體)使上基片漂浮。
然后，如圖25B所示，在基片1和2之間的氣體完全排出之前，一加壓銷202壓上基片2的中部和附近部分。于是，在基片中央部分的之間的空氣向邊緣部分推，先使基片1和2的中央部分接觸。然后，在基片之間的空氣逐漸推向邊緣部分，以增加接觸部分的面積。最后，兩個(gè)基片完全接觸。
這種方法作為通過簡單的夾具使兩個(gè)基片接觸是有用的，并且也作為已用于大直徑基片的基本技術(shù)。
通常，隨著基片直徑的增加，基片的平面均勻性而難于保證。當(dāng)上述方法用于大直徑基片時(shí)，也希望其能解決平面均勻性的問題。然而，需要一種用于大直徑基片的技術(shù)。
本發(fā)明的一個(gè)目的是提供一種使大直徑基片容易接觸的裝置和方法。
本發(fā)明提供了一種使兩個(gè)基片重疊和接觸的基片處理裝置，包括一用于支承第一基片的支承裝置；一加壓裝置用于將第二基片壓在由所述支承裝置的支承的第一基片上，其特征在于在第一基片的預(yù)定部分被彎曲與第二基片分離和第一基片不被彎曲的同時(shí)，所述支承裝置能支承第一基片。
在上述基片處理裝置中，所述加壓裝置壓住與由所述支承裝置支承的第一基片對置的第二基片的背面。
在上述基片處理裝置中，在第一基片的周邊部分被彎曲與第二基片分離和第一基片不被彎曲的同時(shí)，所述支承裝置能支承第一基片，并且所述加壓裝置壓住與由所述支承裝置支承的第一基片對置的第二基片的大致中央部分。
在上述基片處理裝置中，在所述加壓裝置開始壓住第二基片背面之后，所述支承裝置在彎曲狀態(tài)支承第一基片，直到經(jīng)過一預(yù)定時(shí)間，并在之后以一非彎曲狀態(tài)支承第一基片。
在上述基片處理裝置中，所述支承裝置在彎曲狀態(tài)支承第一基片，直到所述加壓裝置開始壓第二基片的背面之后第一基片和第二基片的接觸部分?jǐn)U展到一預(yù)定區(qū)域，并在之后以一非彎曲狀態(tài)支承第一基片。
在上述基片處理裝置中，所述支承裝置包括一調(diào)整裝置，用于調(diào)整第一基片的彎曲度，使第一和第二基片的接觸部分從中央部分逐步擴(kuò)展到其周邊部分。
在上述基片處理裝置中，所述調(diào)整裝置調(diào)整第一基片的彎曲度，以逐步同心地?cái)U(kuò)展第一和第二基片的接觸部分。
在上述基片處理裝置中，所述支承裝置包括一吸盤裝置，用于通過吸住第一基片背面而使第一基片彎曲。
在上述基片處理裝置中，所述支承裝置包括一支承臺(tái)，其周邊部分低于中央部分，所述支承臺(tái)吸住第一基片。
在上述基片處理裝置中，所述支承臺(tái)包括一盤形的中央部分，一或多個(gè)環(huán)形圓周部分。
在上述基片處理裝置中，所述支承臺(tái)包括一盤形的中央部分，和一環(huán)形圓周部分，所述圓周部分的一個(gè)吸盤表面相對于所述中央部分的吸盤表面傾斜。
在上述基片處理裝置中，所述中央部分的吸盤表面和所述周邊部分的吸盤表面具有用于抽吸第一基片的抽吸機(jī)構(gòu)。
在上述基片處理裝置中，在所述中央部分和/或周邊部分的吸盤表面上有叉形的銷，用于支承第一基片，通過抽銷之間的空間為真空而吸住第一基片。
在上述基片處理裝置中，僅所述支承臺(tái)周邊部分的吸盤表面有用于吸住第一基片的吸盤機(jī)構(gòu)。
在上述基片處理裝置中，所述支承裝置的支承臺(tái)僅吸住第一基片的周邊部分，使所述第一基片的中央部分與所述支承臺(tái)的中央部分分離。
在上述基片處理裝置中，還包括一基片控制裝置，用于支承第二基片，使第二基片與由所述支承裝置支承的第一基片對置，并松開第二基片，其中，當(dāng)所述基片控制裝置松開第二基片時(shí)，所述加壓裝置壓第二基片。
在上述基片處理裝置中，所述支承裝置大致水平地支承第一基片，所述基片控制裝置大致水平地將第二基片支承在第一基片之上，并松開第二基片。
和一種基片支承裝置，當(dāng)兩個(gè)基片重疊和接觸時(shí)用于支承兩個(gè)基片中的一個(gè)，包括能在一彎曲狀態(tài)和一非彎曲狀態(tài)支承基片的支承裝置。
在所述基片支承裝置中，所述支承裝置能在基片周邊相對于基片中央部分彎曲或不彎曲的同時(shí)支承基片。
在所述基片支承裝置中，所述支承裝置先在一彎曲狀態(tài)然后在一非彎曲狀態(tài)支承基片。
在所述基片支承裝置中，所述支承裝置包括一調(diào)整裝置，用于調(diào)整基片的彎曲度，以從中心向周邊逐步地?cái)U(kuò)展支承的基片和要與其接觸的另一基片的的接觸部分。
在所述基片支承裝置中，所述調(diào)整裝置調(diào)整支承的基片的彎曲度，以逐步同心地?cái)U(kuò)展接觸部分。
在所述基片支承裝置中，所述支承裝置通過抽吸基片的背面使基片彎曲。
在所述基片支承裝置中，所述支承裝置包括一支承臺(tái)，其周邊部分低于中央部分，所述支承臺(tái)吸住第一基片。
在所述基片支承裝置中，所述支承臺(tái)包括一盤形的中央部分，一或多個(gè)環(huán)形圓周部分。
在所述基片支承裝置中，所述支承臺(tái)包括一盤形的中央部分，和一環(huán)形圓周部分，所述圓周部分的一個(gè)吸盤表面相對于所述中央部分的吸盤表面傾斜。
在所述基片支承裝置中，所述中央部分的吸盤表面和所述周邊部分的吸盤表面具有用于抽吸基片的抽吸機(jī)構(gòu)。
在所述基片支承裝置中，僅所述支承臺(tái)的周邊部分的吸盤表面有用于吸住基片的吸盤機(jī)構(gòu)。
在所述基片支承裝置中，所述支承裝置的支承臺(tái)僅吸住基片的周邊部分，使基片的中央部分與所述支承臺(tái)的中央部分分離。
和一種使兩個(gè)基片重合和接觸的基片處理方法，包括下列步驟使第一基片和第二基片相互對置；在第一基片的周邊彎曲與第二基片周邊分離的同時(shí)壓第二基片；在經(jīng)過一定時(shí)間后，將第一基片調(diào)整為非彎曲狀態(tài)。
根據(jù)本發(fā)明的基片處理方法，使第一基片和第二基片相互對置；在第一基片的周邊彎曲與第二基片周邊分離的同時(shí)壓第二基片；在第一和第二基片的接觸部分?jǐn)U展到一預(yù)定區(qū)域之后，將第一基片調(diào)整為非彎曲狀態(tài)。
根據(jù)本發(fā)明的基片處理方法，使第一基片和第二基片相互對置；在第一基片的周邊彎曲與第二基片周邊分離的同時(shí)壓第二基片；調(diào)整第一基片的彎曲度，從其中心向周邊逐步地?cái)U(kuò)展第一和第二基片的接觸部分。
根據(jù)本發(fā)明的基片處理方法，使第一基片和第二基片相互對置；在第一基片的周邊彎曲與第二基片周邊分離的同時(shí)壓第二基片；調(diào)整第一基片的彎曲度，從其中心向周邊同心地逐步擴(kuò)展第一和第二基片的接觸部分。
根據(jù)本發(fā)明的基片處理方法，使第一基片和第二基片相互對置；在第一基片的預(yù)定部分彎曲與第二基片分離的同時(shí)壓第二基片；在經(jīng)過一定時(shí)間后，將第一基片調(diào)整為非彎曲狀態(tài)。
根據(jù)本發(fā)明的基片處理方法，使第一基片和第二基片相互對置；在第一基片的預(yù)定部分彎曲與第二基片分離的同時(shí)壓第二基片；在第一和第二基片的接觸部分?jǐn)U展到一預(yù)定區(qū)域后，將第一基片調(diào)整為非彎曲狀態(tài)。
根據(jù)本發(fā)明的基片處理方法，使第一基片和第二基片相互對置；在第一基片的預(yù)定部分彎曲與第二基片分離的同時(shí)壓第二基片；調(diào)整第一基片的彎曲度，從其中心向周邊逐步擴(kuò)展第一和第二基片的接觸部分。
根據(jù)本發(fā)明的基片處理方法，第二基片的背面受壓。
下面通過實(shí)施例并參照附圖對本發(fā)明進(jìn)行描述。


圖1是本發(fā)明最佳實(shí)施例的基片處理裝置的整體布置的示意透視圖；圖2是圖1一個(gè)部分的放大圖；圖3是在一基片支承臺(tái)上形成的真空吸盤機(jī)構(gòu)的一個(gè)實(shí)施例的視圖；圖4是在一基片支承臺(tái)上形成的真空吸盤機(jī)構(gòu)的一個(gè)實(shí)施例的視圖；圖5A-5F是當(dāng)基片處理裝置使兩個(gè)基片接觸時(shí)接觸部分展開方式的概念圖；圖6A-6F是當(dāng)普通的基片處理裝置使兩個(gè)基片接觸時(shí)接觸部分展開方式的概念圖；圖7-12是圖1和2中所示的基片處理裝置沿A-A’線的剖視圖；圖13是一基片處理裝置控制系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)方框圖；圖14是基片處理裝置控制程序的流程圖；圖15是本發(fā)明第二實(shí)施例的基片支承臺(tái)布置的剖視圖；圖16是第三實(shí)施例的的基片支承臺(tái)布置的剖視圖；圖17是第四實(shí)施例的的基片支承臺(tái)布置的剖視圖；圖18是第四實(shí)施例的的基片支承臺(tái)布置的剖視圖；圖19顯示了使兩個(gè)基片接觸的過程完成的狀態(tài)；
圖20示意地顯示了接觸部分已達(dá)到一接觸邊界b1的狀態(tài)；圖21示意地顯示了接觸部分已達(dá)到一接觸邊界b2的狀態(tài)；圖22示意地顯示了接觸部分已達(dá)到一接觸邊界b3的狀態(tài)；圖23示意地顯示了兩個(gè)基片的整個(gè)表面接觸的狀態(tài)；圖24A-24F示意地顯示了制造有SOI結(jié)構(gòu)或類似結(jié)構(gòu)的基片的過程的一實(shí)施例；圖25A-25B示意地顯示了粘合基片的過程的一部分。
第一實(shí)施例基片處理裝置100是用于使兩個(gè)基片重疊和接觸的裝置，適于通過粘合兩個(gè)基片實(shí)現(xiàn)制造有SOI結(jié)構(gòu)或類似結(jié)構(gòu)的基片的方法。
基片處理裝置100包括一基片支承臺(tái)3和一基片移動(dòng)裝置4?；С信_(tái)3支承第一基片1的背面(圖3)?；苿?dòng)裝置4夾住第二基片2的背面(圖3)，并使第二基片2基本平行地與第一基片1對置。
基片支承臺(tái)3的結(jié)構(gòu)最好使之僅與第一基片1的背面接觸。這防止了第一基片1被微粒污染和其邊緣被損壞?；С信_(tái)3有一真空吸盤機(jī)構(gòu)用于吸住第一基片1。圖3和4顯示了一基片支承機(jī)構(gòu)，其用加壓銷6a壓基片2的中間部分。
基片移動(dòng)機(jī)構(gòu)4的結(jié)構(gòu)使之最好僅與第二基片2的背面接觸。在本實(shí)施例中，基片移動(dòng)機(jī)構(gòu)4有一槽4a用于真空吸住一基片。為了吸住第二基片2，其僅需要抽空槽4a之間的空間。在一基片吸盤裝置4c吸住第二基片2背面的同時(shí)，基片移動(dòng)裝置4使第二基片2繞軸4b轉(zhuǎn)動(dòng)180°并大致平行地與第一基片1對置。軸4bd大致設(shè)置在基片支承臺(tái)3和基片吸盤裝置4c之間的中間的位置。
基片處理裝置100還包括移動(dòng)檢測器12和15，和一Z軸臺(tái)5(圖7)，作為一調(diào)整兩個(gè)基片1和2之間間隙的機(jī)構(gòu)。在第一基片1設(shè)置于基片支承臺(tái)3上之后，移動(dòng)檢測器15測量第一基片1的厚度。當(dāng)?shù)诙?由基片吸盤裝置4c吸住之后，移動(dòng)檢測器12檢測第二基片2的厚度。在兩個(gè)移動(dòng)檢測器12和15檢測的結(jié)果基礎(chǔ)上，Z軸臺(tái)5(圖5)使基片支承臺(tái)3垂直移動(dòng)，以將兩個(gè)基片1和2之間的間隙調(diào)整到一預(yù)定值。
基片處理裝置100還包括一加壓機(jī)構(gòu)6，用于在兩個(gè)基片1和2在面對面被支承的同時(shí)，壓住上基片2的大致中央部分。在兩個(gè)基片1和2面對面被支承之后，加壓機(jī)構(gòu)6的加壓銷6a繞軸6b樞轉(zhuǎn)到上基片2背面附近。當(dāng)基片移動(dòng)機(jī)構(gòu)4的基片吸盤裝置4c放松上基片2時(shí)，加壓機(jī)構(gòu)6加壓銷6a靠在上基片2的背面推壓該背面。兩個(gè)基片1和2從加壓部分向周邊部分逐漸接觸。所以，在基片1和2之間的空氣向周邊排出，而防止存留在基片1和2之間。
最好在基片吸盤裝置4c放松基片2的大致同時(shí)，加壓銷6a將基片2壓住。在這種情況下，在兩個(gè)基片之間的間隙調(diào)整到一預(yù)定值時(shí)加壓操作開始。所以，接觸的基片能保持一均勻的質(zhì)量。其也能防止任何氣體存留在基片1和2之間，并防止基片1和2之間發(fā)生偏斜。
加壓機(jī)構(gòu)6包括一振動(dòng)器(即一壓電元件)用于振動(dòng)加壓銷6a。加壓機(jī)構(gòu)6能有效地通過在壓住基片2的同時(shí)使加壓銷6a振動(dòng)而將基片1和2之間的空氣排出。
由加壓銷6a壓住基片2也能由另一定時(shí)控制。例如，在基片2被放松之后，在基片1和2之間的預(yù)定量或更多的空氣被排出之前，當(dāng)一預(yù)定的時(shí)間開始計(jì)算時(shí)，其能被加壓到一預(yù)定的定時(shí)，或通過基片2和類似物的重量在基片1和2之間的距離減少到一預(yù)定距離或更少時(shí)，加壓至一預(yù)定的定時(shí)。
基片處理裝置100還包括一基片傳遞機(jī)械手10和一基片對齊裝置11。基片傳遞機(jī)械手10將基片1和2分別設(shè)置在基片支承臺(tái)3和基片吸盤裝置4c上，并從基片支承臺(tái)3上接收接觸的基片。
在這種基片處理裝置100中，分別容納未處理的基片1和2的基片盒7和8，和容納已處理的基片的基片盒9布置于各自預(yù)定位置。在本實(shí)施例中，未處理的基片1和2容納在基片盒7和8中，其背面向下。
當(dāng)一操作板上的操作鈕16b被啟動(dòng)而開始接觸基片的過程時(shí)，基片傳遞機(jī)械手10吸住容納在基片盒7中的未處理的基片1的背面，并將其傳遞到基片對齊裝置11?；瑢R裝置11通過使用傳感器檢測所傳遞的基片1的中心位置和方向(例如方位平整和槽的位置)，并調(diào)整所檢測的中央位置和方向?；瑢R裝置11的結(jié)構(gòu)最好使其僅接觸基片1的背面。
然后，基片傳遞機(jī)械手10接收完全對齊的基片1，并將其裝載在從基片支承臺(tái)3向上伸出的裝載銷13的預(yù)定位置。在基片1已用這種方式裝在裝載銷13上之后，基片支承臺(tái)3向上移動(dòng)并支承基片1?；?已由基片對齊裝置11對齊，并在基片1保持對齊的同時(shí)裝在基片支承臺(tái)3上。所以，不需要再調(diào)整在基片支承臺(tái)3上的基片1的中心位置和方向。然而，也能使用一種裝置，使基片1在基片支承臺(tái)3上對齊。
然后，基片傳遞機(jī)械手10從基片盒8中撿起一未處理的基片2。按如上述相同的步驟，基片對齊裝置11調(diào)整基片2的中心位置和方向，并將基片2裝在從基片吸盤裝置4c上向上伸出的裝載銷14的預(yù)定位置上。在基片2裝在裝載銷14上之后，基片吸盤裝置4c繞軸4b轉(zhuǎn)動(dòng)與基片2的背面接觸。基片吸盤裝置4c通過抽出槽4a中的空氣而吸住基片2。如上述相同的程序，基片2已由基片對齊裝置11對齊，并在保持對齊的同時(shí)由基片吸盤裝置4c吸住。這就避免了在基片被吸住時(shí)再調(diào)整基片2的中心位置和方向。當(dāng)基片2被吸住時(shí)，代替基片吸盤裝置4c的轉(zhuǎn)動(dòng)，裝載銷14向下縮回也是有效的。
當(dāng)基片1和2如上所述由基片支承臺(tái)3和基片吸盤裝置4c支承的同時(shí)，位移檢測器15和12檢測基片1和2的厚度。更具體地說，位移檢測器15和12使傳感器15a和12a移動(dòng)到基片1和2上方的位置，發(fā)射光線在基片1和2上，并在反射光的基礎(chǔ)上檢測基片1和2的厚度。
當(dāng)基片1和2的厚度檢測完成之后，基片吸盤裝置4c繞軸4b轉(zhuǎn)動(dòng)180°，使基片2大致平行地與基片1對置。然后，Z軸臺(tái)5調(diào)整基片1和2之間的間隙，并且加壓銷6a壓基片2以完成接觸過程。
當(dāng)接觸過程完成時(shí)，Z軸臺(tái)5使基片支承臺(tái)3向下移動(dòng)，使裝載銷13支承已處理的基片?；瑐鬟f機(jī)械手10接收已處理的基片，并將其放入基片盒9中。
通過重復(fù)上述過程，容納在基片盒7和8中的一組基片能順序地進(jìn)行處理。
下面描述基片支承臺(tái)3的布置。基片支承臺(tái)3有一盤形的中央部分3c和一環(huán)形的圓周部分3d。在中央部分3c和周邊部分3d的吸盤表面(吸住基片1的表面)上分別形成有吸槽3a和3b，用于通過真空吸住基片1。在圖3和4所示的實(shí)施例中，吸槽3a是9個(gè)同心環(huán)槽，吸槽3b是4個(gè)同心環(huán)槽。
吸槽3a和3b分別連接于吸孔18a和18b，并分別與閥19a和19b相連。閥19a和19b通過管18連接于真空泵20。通過能分別打開和關(guān)閉的閥19a和19b和吸槽3a和3b能獨(dú)立地控制基片的吸住作業(yè)。
用于基片1的吸盤機(jī)構(gòu)能采用各種形式。一最佳形式是通過以分叉形式布置的銷支承基片1，并抽吸銷之間的空間將基片1吸住在基片支承臺(tái)3抽吸表面上的機(jī)構(gòu)。這種抽吸機(jī)構(gòu)消除了基片1和基片支承臺(tái)3之間顆粒或類似物的影響(例如基片1的差的平整度)。當(dāng)基片的尺寸是8英寸時(shí)，抽吸機(jī)構(gòu)的一個(gè)例子是各銷的直徑是大約0.2mm，并且銷之間的距離(間距)是大約2.2mm。在這一例子中，基片和基片支承臺(tái)之間的接觸率是大約1.2％。
為了用加壓銷6a壓住基片2，閥19a和19b都打開，通過兩個(gè)吸槽3a和3b吸住基片1。于是，如圖3所示，基片1的周邊部分3d彎曲以致從基片2上離開，即，基片1變形成一傘形。
在這種狀態(tài)下，基片2的中央部分被加壓，如圖3所示。于是，基片1和2的中央部分接觸，并且接觸部分逐漸向周邊伸展。當(dāng)接觸部分大致均勻地伸展到中央部分3c周邊整個(gè)圓周附近時(shí)，接觸部分的擴(kuò)展停止了。這是因?yàn)榛?被支承同時(shí)彎曲為一傘形。
接觸部分從基片中央向周邊的擴(kuò)展在整個(gè)圓周上不總是以一相同速率進(jìn)行的。這是因?yàn)槔缁?和2的粘合面是不均勻的。并且作用于基片1和2接觸方向的力從中央向周邊減少，這就增加了基片在從中心向周邊方向的不均勻性的影響。
如果接觸部分的擴(kuò)展不以相同速率進(jìn)行，即，如果接觸部分不同心地?cái)U(kuò)展，氣體(例如空氣)就存留在基片之間。隨著基片直徑的增加，這種現(xiàn)象就更為嚴(yán)重。
然而，當(dāng)基片1在加壓的同時(shí)彎曲為一如圖3所示的傘形時(shí)，兩個(gè)基片1和2接觸部分的擴(kuò)展在中央部分3c邊緣附近停止了。所以，接觸部分?jǐn)U展速率的不均勻性在中央部分3c周邊附近被吸收了。于是，接觸部分基本形成一圓形。
在接觸部分基本形成為一圓形后(即，當(dāng)加壓開始后經(jīng)過一預(yù)定時(shí)間時(shí))，將閥19b關(guān)閉，從而停止吸槽3b的抽吸。于是，已彎曲為傘形的基片1變平，如圖4所示。所以，接觸部分再從中央部分3c向周邊擴(kuò)展。
如上所述，接觸部分從中央部分到周邊所有方向(整個(gè)圓周)的擴(kuò)展速率之間的差在基片接觸過程的中間被吸收了。在接觸部分以此方式形成為大致圓形之后，該工序繼續(xù)進(jìn)行。于是，即使大直徑的基片也能更均勻地接觸。
圖5A-5F概念地顯示了當(dāng)基片處理裝置100使兩個(gè)基片接觸時(shí)接觸部分伸展的方式。參照圖5A-5F，接觸部分的伸展以5A→5B→5C→5D→5E→5F的順序進(jìn)行。在圖5A-5F中，各陰影部分表示兩個(gè)基片接觸的部分。
當(dāng)加壓銷6a開始壓基片2的中央部分，同時(shí)下基片(基片1)的整個(gè)表面被吸住時(shí)，如圖3所示，在基片的中央部分首先形成一個(gè)如圖5A所示的接觸部分，并逐漸地?cái)U(kuò)展如圖5B和5A所示。接觸部分的形狀不是一個(gè)完整的圓形。即，如圖5C所示，接觸部分的周邊常常是不規(guī)則的。
當(dāng)擴(kuò)展進(jìn)行到基片支承臺(tái)3中央部分3c周邊附近時(shí)(即接觸部分的擴(kuò)展停止的位置，在后面稱為接觸邊界)，接觸部分的擴(kuò)展停止，如圖5D所示的狀態(tài)。此因，通過吸槽3b在周邊部分3d繼續(xù)地吸住基片，接觸部分能基本形成一圓形，直到接觸部分在整個(gè)圓周上達(dá)到接觸邊界。
然后，如圖4所示，連接于周邊部分吸槽3b的閥19b關(guān)閉從而放松基片的周邊。于是，下基片(基片1)變平了。所以，如圖5E所示，接觸部分的擴(kuò)展繼續(xù)進(jìn)行。最后，如圖5F所示，兩個(gè)基片的整個(gè)表面都接觸了。
圖6A-6F概念地顯示了當(dāng)使用圖25A和25B所示的基片支承夾具201使兩個(gè)基片接觸時(shí)接觸部分?jǐn)U展的方式。參照圖6A-6F，接觸部分?jǐn)U展以6A→6B→6C→6D→6E→6F的順序進(jìn)行。
在該過程中，當(dāng)接觸部分徑向擴(kuò)展時(shí)，在所有方向的擴(kuò)展速率之間的差不能在擴(kuò)展過程中間被吸收。特別是在靠近基片周邊，速率差的影響變得嚴(yán)重。所以，如圖6所示，基片之間的任何氣體可能會(huì)留下而不被排出，而形成非接觸部分601。然而，圖6A-6F所示的例子顯示了在與基片處理裝置100相同的條件下基片接觸的結(jié)果，只是支承基片1的方法不同。所以，非接觸部分601的形成可以通過改變接觸方法的條件而抑制。
在隨后的步驟中，非接觸部分601自然有一個(gè)不利的影響。例如，當(dāng)基片處理裝置100應(yīng)用于SOI基片制造步驟時(shí)(后面將要描述)，在非接觸部分601會(huì)出現(xiàn)缺陷，所以這些區(qū)域不能使用。這就不可避免地降低了產(chǎn)量。
下面參照圖7-12描述當(dāng)兩個(gè)基片接觸時(shí)基片處理裝置100的操作。
當(dāng)基片傳遞機(jī)械手10將基片1和2分別裝在裝載銷13和14上時(shí)，如圖7所示，Z形臺(tái)5使基片支承臺(tái)3向上運(yùn)動(dòng)到達(dá)一支承基片的預(yù)定位置。并且，基片移動(dòng)機(jī)構(gòu)4使基片吸盤裝置4c在軸4b上樞轉(zhuǎn)到達(dá)一能吸住基片2的位置。
然后，如圖8所示，位移檢測器15和12的傳感器15a和12a移動(dòng)至基片1和2上方的位置，并分別檢測基片1和2的厚度。在基片1和2的厚度檢測完之后，傳感器15a和15b回到圖7所示的初始位置。
如圖9所示，基片移動(dòng)機(jī)構(gòu)4使基片吸盤裝置4c繞軸4b轉(zhuǎn)動(dòng)180°，使基片1和2相互大致水平地對置。在前面測量基片1和2厚度的基礎(chǔ)上，Z軸臺(tái)5調(diào)整基片支承臺(tái)3的高度，以調(diào)整基片1和2之間的間隙至一預(yù)定值。該間隙最好為大約20-100μm，更好地是在基片中央部分為大約30-60μm。并且，閥19a和19b打開將基片1的整個(gè)表面吸在基片支承臺(tái)3的抽吸表面上。于是，基片1變形成為前面所述的傘形。
如圖10所示，加壓銷6a在軸6b上轉(zhuǎn)動(dòng)到達(dá)基片2背面附近(即，加壓銷6a基本能與基片2背面接觸的位置)。
然后，如圖11所示，在基片吸盤裝置4c放松基片2的同時(shí)，加壓銷6a壓基片2的背面。于是，基片1和2從中央到接觸邊界逐漸接觸，而形成圖5D所示的狀態(tài)，即，接觸部分形成一大致圓形的狀態(tài)。在加壓過程中，加壓銷6a的振動(dòng)能使基片1和2之間的空氣有效地排出。
如圖12所示，基片1的周邊被放松。于是，基片1和2的接觸部分?jǐn)U展到接觸邊界之外到達(dá)周邊。要注意到基片1的周邊可以通過關(guān)閉閥19b而在吸槽3b中通入大氣壓力而釋放。釋放是在加壓銷6a開始加壓操作后接觸部分?jǐn)U展到接觸邊界并形成大致圓形之后進(jìn)行的。更具體地說，當(dāng)加壓操作開始后，經(jīng)過一段預(yù)定時(shí)間(其足夠長以使接觸部分在整個(gè)圓周上擴(kuò)展到接觸邊界)后停止抽吸。另一方面，可以通過傳感器15a檢測基片2的變形確定接觸部分已擴(kuò)展到接觸邊界之后停止抽吸。
當(dāng)加壓機(jī)構(gòu)6已返回到其原始位置(如圖2所示)之后，基片吸盤裝置4c返回到其初始位置(如圖2所示)。將閥19a關(guān)閉，使吸槽3a中的壓力回到大氣壓力(松開基片1)?；С信_(tái)3向下移動(dòng)，使裝載銷13能支承接觸的基片。在這種情況下，基片傳遞機(jī)械手10夾住接觸的基片的下部將基片傳遞到基片盒9，并將基片放入基片盒9中。
圖13是一方框圖，顯示了基片處理裝置100的控制系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)。一在控制器17的程序17b基礎(chǔ)上操作的CPU17a控制基片傳遞機(jī)械手10，基片對齊裝置11，位移檢測器12和15,Z軸臺(tái)5，基片移動(dòng)機(jī)構(gòu)4，加壓機(jī)構(gòu)6，操縱板16和閥控制器19。
圖14是一流程圖，顯示了在程序17b基礎(chǔ)上進(jìn)行的控制過程。下面參照該流程圖描述基片處理裝置100的控制系統(tǒng)的操作。
當(dāng)通過控制操縱板16而使接觸工序開始時(shí)，在步驟S101中，CPU17a使與控制器17相連的各個(gè)元件預(yù)置。在該預(yù)置步驟中，CPU17a也檢查基片盒7,8和9的存在和位置。如果準(zhǔn)備不完善，CPU17a在顯示板16a上顯示資料通知操作者。
在步驟S102中，CPU17a控制基片傳遞機(jī)械手10吸住在基片盒7中的基片1。在步驟S103中，CPU17a將吸住的基片1傳遞到基片對齊裝置11，并對齊基片1(調(diào)整其中心位置和方向)。在步驟S104中，CPU17a控制基片傳遞機(jī)械手10將基片1裝在從基片支承臺(tái)3向上伸出的裝載銷13上的預(yù)定位置上。CPU17a也控制Z軸臺(tái)5使基片支承臺(tái)3向上移動(dòng)到一預(yù)定位置。CPU17a打開閥19a以吸住基片1的中央部分。
在步驟S105中，CPU17a控制基片傳遞機(jī)械手10吸住基片盒8中的基片。在步驟S106中，CPU17a將基片2傳遞到基片對齊裝置11，并對齊基片2(調(diào)整其中央位置和方向)。在步驟S107中，CPU17a控制基片傳遞機(jī)械手10將基片2裝在從基片吸盤裝置4c上伸出的裝載銷14上預(yù)定位置上。CPU17a也控制基片移動(dòng)機(jī)構(gòu)4的旋轉(zhuǎn)電機(jī)4d使基片吸盤裝置4c繞軸4b轉(zhuǎn)動(dòng)一預(yù)定角度，并使基片吸盤裝置4c吸住基片2。
在步驟S108中，CPU17a控制位移檢測器15的驅(qū)動(dòng)器15b使傳感器15a移動(dòng)到基片1上的預(yù)定位置，并通過傳感器15a檢測基片1的厚度。
在步驟S109中，CPU17a控制位移檢測器12的驅(qū)動(dòng)器12b使傳感器12a移動(dòng)到基片2上的預(yù)定位置，并通過傳感器12a檢測基片2的厚度。
在步驟S110中，CPU17a控制基片移動(dòng)機(jī)構(gòu)4的旋轉(zhuǎn)電機(jī)4d，使基片吸盤裝置4c在軸4b上樞轉(zhuǎn)一大致180°的角度，使基片1和2大致水平地對置。
在步驟S111中，在測量基片1和2厚度的基礎(chǔ)上，CPU17a產(chǎn)生將基片1和2之間間隙調(diào)整到一預(yù)定值的數(shù)據(jù)。在該數(shù)據(jù)的基礎(chǔ)上，CPU17a控制Z軸臺(tái)5以調(diào)整基片1和2之間的間隙。
在步驟S112中，CPU17a控制加壓機(jī)構(gòu)6的旋轉(zhuǎn)電機(jī)6d使加壓銷6a在軸6d上轉(zhuǎn)動(dòng)，例如使加壓銷6a的尖端基本與基片2的背面接觸。
在步驟S113中，CPU17a打開閥19b，以將基片1的整個(gè)表面吸在基片支承臺(tái)3的抽吸表面上。于是，基片1彎曲呈一傘形。
在步驟S114中，CPU17a通過基片吸盤裝置4c放松基片2。在步驟S115中，CPU17a控制旋轉(zhuǎn)電機(jī)6d和加壓機(jī)構(gòu)6的振動(dòng)器6c，通過加壓銷6a壓基片2的背面，并使加壓銷6a振動(dòng)。通過在步驟S114之后立即進(jìn)行步驟S115，基片2能基本在同時(shí)被釋放和壓住。然而，也能在進(jìn)行步驟S114完的一預(yù)定時(shí)間之后開始加壓。
在步驟S115開始后達(dá)到一預(yù)定時(shí)間時(shí)，就進(jìn)入步驟S116。在步驟S116中，CPU17a關(guān)閉閥19b，使吸槽3b中的壓力返回到大氣壓力，并松開基片1的周邊。于是，基片1變平，并且接觸部分向周邊伸展。
當(dāng)基片1和2完全接觸時(shí)，就進(jìn)入步驟S117。在步驟S117中，CPU17a控制加壓機(jī)構(gòu)6的轉(zhuǎn)動(dòng)電機(jī)6d，使加壓銷6a返回到其初始位置。在步驟S118中，CPU17a控制基片移動(dòng)機(jī)構(gòu)4的旋轉(zhuǎn)電機(jī)4d使基片吸盤裝置4c返回到其初始位置。
在步驟S119中，CPU17a關(guān)閉閥19a，完全地松開基片1。在步驟S120中，CPU17a控制Z軸臺(tái)5使基片支承臺(tái)3向下移動(dòng)到其初始位置。于是，接觸的基片由裝載銷13支承。
在步驟S121中，CPU17a控制基片傳遞機(jī)械手10將接觸的基片傳送基片盒9，并將其放在基片盒9中。
在步驟S122中，CPU17a檢查是否基片盒7和8中的所有基片都完成了接觸程序。如果有未完成的基片存在。流程返回到步驟S102，重復(fù)該過程。如果在步驟S122中，CPU17a已確定所有的基片都已進(jìn)行了接觸作業(yè)，則CPU17a已完成了整個(gè)加工過程。CPU17a最好通過在顯示板16a上顯示資料或通過一蜂嗚器通知操作者。
在上述的基片處理裝置中，兩個(gè)基片的周邊以一環(huán)形方式分離，并且，基本上一個(gè)基片的中心被壓。當(dāng)兩個(gè)基片的接觸部分為一大致圓形時(shí)，接觸部分的擴(kuò)展一度停止。這就吸收了接觸部分?jǐn)U展率的不均勻性。所以，在兩個(gè)基片之間的氣體能有效地和可靠地排出。
基片處理裝置100也達(dá)到下列作用。(1)因?yàn)榧訅菏窃谏匣?放松的同時(shí)開始，基片1和2之間的氣體能可靠地向周邊排出。(2)當(dāng)上和下基片1和2相互對置時(shí)，因?yàn)樯匣?不會(huì)滑動(dòng)，兩個(gè)基片能準(zhǔn)確地對齊。(3)基片1和2之間的距離能調(diào)整到一適當(dāng)?shù)木嚯x。所以，其能使制造的基片有均勻的質(zhì)量，并避免了要預(yù)先對基片分類。(4)基片1和2的表面能防止被顆粒污染。(5)能防止基片邊緣的破損。(6)當(dāng)對基片加壓時(shí)，對基片進(jìn)行振動(dòng)，存留在基片之間的任何氣體能進(jìn)一步減少。
第二實(shí)施例本實(shí)施例對第一實(shí)施例的基片支承臺(tái)3提出了另一種布置。圖15顯示了根據(jù)本實(shí)施例的基片支承臺(tái)3’的結(jié)構(gòu)的剖視圖。請注意，在本實(shí)施例中，與第一實(shí)施例基本相同的部件標(biāo)以相同的標(biāo)號(hào)。
在基片支承臺(tái)3’中，基片抽吸表面的中央部分是一圓形的中央表面3f，其垂直于軸向(圖15中的方向Z)。基片抽吸表面的周邊部分是一與中央表面3f傾斜的環(huán)形圓周面3e。
在基片支承臺(tái)3的位置裝有基片支承臺(tái)3’的基片處理裝置也能達(dá)到與第一實(shí)施例相同的作用。
第三實(shí)施例本實(shí)施例對第一實(shí)施例的基片支承臺(tái)3提供了另一種布置。圖16顯示了根據(jù)本實(shí)施例的基片支承臺(tái)3”的結(jié)構(gòu)的剖視圖。請注意，在本實(shí)施例中，與第一實(shí)施例基本相同的部件標(biāo)以相同的標(biāo)號(hào)。
基片支承臺(tái)3”基本與第一實(shí)施例的基片支承臺(tái)3相同，只是在中央部分的吸槽省略了。當(dāng)基片支承臺(tái)3”吸住基片時(shí)，如圖16所示，基片的中央部分浮起。于是，即使在基片支承臺(tái)3”的抽吸表面和基片之間存在有外部物體，其操作也不易被外部物體所影響。
第四實(shí)施例本實(shí)施例提供了基片處理裝置的另一種例子。在上述的實(shí)施例中，在使兩個(gè)基片接觸的過程中接觸部分僅一次形成。然而，為了使有大直徑的基片能適當(dāng)?shù)慕佑|，接觸部分的兩次或多次成形是有效的。
本實(shí)施例是有關(guān)三次調(diào)整接觸部分形狀的基片處理裝置。
圖17和18是根據(jù)本實(shí)施例的基片處理裝置一部分的剖視圖。在本實(shí)施例中，與第一實(shí)施例基本相同的部件標(biāo)以相同的標(biāo)號(hào)。在圖17和18中，省略了例如用于真空抽吸基片的吸孔和閥等元件。在圖17和18中未示的部件與第一實(shí)施例的基片處理裝置100的相同。即，本實(shí)施例的基片處理裝置是通過更換第一實(shí)施例的基片處理裝置100的Z軸臺(tái)5上的結(jié)構(gòu)(基片支承臺(tái)3)而得到的。
在本實(shí)施例中，基片支承臺(tái)300包括第一支承件31，一第二支承件32，一第三支承件33和一第四支承件34。第一支承件31為盤形，通過一連接件35連接于支承臺(tái)51。支承臺(tái)51固定于Z軸臺(tái)5。第二支承件32為一環(huán)形，其圍繞第一支承件31的周邊，并連接于滑動(dòng)件36。第三支承件33為一環(huán)形，其圍繞第二支承件32的周邊，并連接于滑動(dòng)件37。第四支承件34為一環(huán)形，其圍繞第三支承件33的周邊，并通過連接件35連接于第一支承件31。
連接于第二支承件32的滑動(dòng)件36有滑動(dòng)銷36a和36b，其分別與齒條38和39上的導(dǎo)槽38a和39a嚙合。連接于第三支承件33的滑動(dòng)件37有滑動(dòng)銷37a和37b，其分別與齒條38和39上的導(dǎo)槽38a和39a嚙合。
通過電機(jī)40和41的轉(zhuǎn)動(dòng)，齒條38和39分別在相反方向(A和B)移動(dòng)。當(dāng)齒條38和39分別在箭頭A和B的方向移動(dòng)時(shí)，在圖18所示的狀態(tài)，第二和第三支承件32和33以其順序向上移動(dòng)。更具體地說，電機(jī)40和41的轉(zhuǎn)動(dòng)使齒條38和39分別在方向A和B水平移動(dòng)。于是，與導(dǎo)槽38a和39a嚙合的滑動(dòng)銷36a和36b向上移動(dòng)并向上推第二支承件32。順序地，與導(dǎo)槽38a和39a嚙合的滑動(dòng)銷37a和37b向上移動(dòng)并向上推動(dòng)第三支承件33。
當(dāng)?shù)诙偷谌С屑?2和33如上所述被向上推動(dòng)時(shí)，第一至第三支承件31至33的抽吸面形成一大致平的面。
另一方面，通過使齒條38和39分別在相反方向A和B水平移動(dòng)，能使第二和第三支承件32和33下降至圖17和18所示的狀態(tài)。
下面描述通過這種基片處理裝置使兩個(gè)基片接觸的方法。首先，一基片傳遞機(jī)械手10(圖1)將一基片1裝在裝載銷13上。然后，Z軸臺(tái)被驅(qū)動(dòng)使第一支承件31的抽吸面與基片1的背面接觸。在步驟中，第二和第三支承件32和33的位置如此控制，使第二至第四支承件32至43的抽吸面形成一大致平的表面。
在這種情況下，位移檢測器15檢測基片1的厚度。并且，位移檢測器12檢測由基片吸盤裝置4c吸住的基片2的厚度。然后，基片移動(dòng)裝置41繞軸4b轉(zhuǎn)動(dòng)大約180°，使基片1和2大致水平地對置。在前面測量基片1和2厚度的基礎(chǔ)上，X軸臺(tái)5調(diào)整基片支承臺(tái)3的高度，以將基片1和2之間的間隙調(diào)整到一預(yù)定值。
然后，在第一至第四支承件31至34的吸盤面上形成的吸槽中的空間被抽真空，以吸住基片1的整個(gè)表面。然后，一加壓銷6a在軸6b上轉(zhuǎn)動(dòng)到基片2的背面附近(例如加壓銷6a基本能與基片2背面接觸的位置)。以此方式，使兩個(gè)基片接觸的方法的準(zhǔn)備工作完成了。圖19顯示了兩個(gè)基片接觸的準(zhǔn)備工作完成的狀態(tài)。
當(dāng)加壓銷6a開始加壓時(shí)，基片1和2的中央部分首先接觸。接觸部分逐漸向周邊擴(kuò)展。當(dāng)?shù)竭_(dá)第一接觸邊界b1時(shí)(即，第一支承件31周邊附近)，擴(kuò)展停止了。第一接觸邊界b1吸收了接觸部分?jǐn)U展率的任何不均勻性。然后，接觸部分成為大致圓形。圖20示意地顯示了接觸部分已到達(dá)第一接觸邊界b1時(shí)的狀態(tài)。
然后，第二支承件32向上移動(dòng)進(jìn)一步向周邊擴(kuò)展接觸部分。當(dāng)?shù)竭_(dá)第二接觸邊界b2(即，第二支承件32外周邊附近)時(shí)擴(kuò)展停止了。第二接觸邊界b2吸收了接觸部分?jǐn)U展率的任何不均勻性。然后，接觸部分成為大致圓形。圖21示意地顯示了接觸部分已到達(dá)第二接觸邊界b2時(shí)的狀態(tài)。
然后，第三支承件33向上移動(dòng)，進(jìn)一步向周邊擴(kuò)展接觸部分。當(dāng)?shù)竭_(dá)第三接觸邊界b3(即，第三支承件33外周邊附近)時(shí)擴(kuò)展停止了。第三接觸邊界b3吸收了接觸部分?jǐn)U展率的任何不均勻性。然后，接觸部分成為大致圓形。圖22示意地顯示了接觸部分已到達(dá)第三接觸邊界b3時(shí)的狀態(tài)。
然后，形成于第四支承件34的吸盤表面上的吸槽松開基片1。于是，接觸部分進(jìn)一步向周邊擴(kuò)展。最后，基片1的整個(gè)表面與基片2接觸。圖23示意地顯示了基片1和2的整個(gè)表面相互接觸的狀態(tài)。
在加壓機(jī)構(gòu)6已返回至其初始狀態(tài)后，基片吸盤裝置4c也返回到其初始狀態(tài)。由第一至第三支承件31至33上的吸槽的抽吸也停止了。然后，基片支承臺(tái)30向下移動(dòng)到允許裝載銷13支承接觸的基片?；瑐鬟f機(jī)械手10吸住接觸的基片的下部，將其傳送至基片盒9，并將其放入基片盒9中。
如上所述，通過使接觸部分多次成形，即使大直徑的基片也能進(jìn)行高質(zhì)量的接觸作業(yè)。
其他實(shí)施例上面的各實(shí)施例中的用于使兩個(gè)基片接觸的裝置和方法是從中央向周邊一步步進(jìn)行的。然后，本發(fā)明也適用于這樣的裝置和方法，可以使基片的任意部分(例如，周邊部分)先接觸，并且接觸部分的區(qū)域逐步增加，最后使兩個(gè)基片的整個(gè)表面接觸。
基片處理裝置的應(yīng)用下面描述這種基片處理裝置的應(yīng)用。圖24A-24F顯示了有SOI結(jié)構(gòu)的基片制造方法的一個(gè)實(shí)例。
首先，制備一單晶Si基片501，用于形成第一基片1，在基片501的主面形成一多孔的Si層502(圖24A)。然后，在多孔的Si層502上形成至少一無孔層503(圖24B)。無孔層503的一個(gè)最佳例子是一單晶Si層，一多孔Si層，一非晶體Si層，一金屬膜層，一復(fù)合的半導(dǎo)體層，一超導(dǎo)體層。在非多孔層503上形成一例如MOSFET的裝置。
在非多孔層503上形成一SiO2層504，以得到一第一基片1(圖24A)。第一基片1放在基片盒7中，使SiO2層504朝上。
一第二基片2分別制備，并放入基片盒8中，使其前表面朝上。
當(dāng)以這種狀態(tài)操作基片處理裝置時(shí)，第一和第二基片1和2如此接觸，使SiO2層504在基片支承臺(tái)上夾在它們之間(圖24D)。接觸的基片放入基片盒9中。
在處理之后，可對接觸的基片進(jìn)行陽極氧化，加壓，或如果必要，熱處理，或它們的組合(圖24D)，以加強(qiáng)粘合。
第二基片2的最佳的例子是Si基片，通過在Si基片上形成SiO2層所得到的基片，一導(dǎo)光的基片，例如一石英基片，和蘭寶石基片。然而，如果要粘合的表面是足夠地平，第二基片2也可以是其他種類的基片。
然后，將第一基片1從第二基片2的多孔Si層502上取下(圖24E)，并且多孔Si層502被有選擇地蝕刻掉。圖24F中示意地顯示了通過上述制造方法所得到的基片。
因?yàn)槭窃诨g的任何氣體被充分排出的同時(shí)使兩個(gè)基片接觸，所以這種制造方法能制造高質(zhì)量的基片。
在本發(fā)明中，大直徑的基片能容易地進(jìn)行接觸處理。
本發(fā)明有許多變型，都在本發(fā)明精神范圍之中。
權(quán)利要求
1．一種使兩個(gè)基片重疊和接觸的基片處理裝置，包括一用于支承第一基片的支承裝置；一加壓裝置用于將第二基片壓在由所述支承裝置支承的第一基片上，其特征在于在第一基片的預(yù)定部分被彎曲與第二基片分離和第一基片不被彎曲的同時(shí)，所述支承裝置能支承第一基片。
2．如權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于所述加壓裝置壓住與由所述支承裝置支承的第一基片對置的第二基片的背面。
3．如權(quán)利要求1或2所述的裝置，其特征在于在第一基片的周邊部分被彎曲與第二基片分離和第一基片不被彎曲的同時(shí)，所述支承裝置能支承第一基片，并且所述加壓裝置壓住與由所述支承裝置支承的第一基片對置的第二基片的大致中央部分。
4．如權(quán)利要求1-3所述的裝置，其特征在于在所述加壓裝置開始壓住第二基片背面之后，所述支承裝置在彎曲狀態(tài)支承第一基片，直到經(jīng)過一預(yù)定時(shí)間，并在之后以一非彎曲狀態(tài)支承第一基片。
5．如權(quán)利要求1-3中任一所述的裝置，其特征在于所述支承裝置在彎曲狀態(tài)支承第一基片，直到所述加壓裝置開始壓第二基片的背面之后第一基片和第二基片的接觸部分?jǐn)U展到一預(yù)定區(qū)域，并在之后以一非彎曲狀態(tài)支承第一基片。
6．如權(quán)利要求3所述的裝置，其特征在于所述支承裝置包括一調(diào)整裝置，用于調(diào)整第一基片的彎曲度，使第一和第二基片的接觸部分從中央部分逐步擴(kuò)展到其周邊部分。
7．如權(quán)利要求6所述的裝置，其特征在于所述調(diào)整裝置調(diào)整第一基片的彎曲度，以逐步同心地?cái)U(kuò)展第一和第二基片的接觸部分。
8．如權(quán)利要求1-3中任一所述的裝置，其特征在于所述支承裝置包括一吸盤裝置，用于通過吸住第一基片背面而使第一基片彎曲。
9．如權(quán)利要求3所述的裝置，其特征在于所述支承裝置包括一支承臺(tái)，其周邊部分低于中央部分，所述支承臺(tái)吸住第一基片。
10．如權(quán)利要求9所述的裝置，其特征在于所述支承臺(tái)包括一盤形的中央部分，和一或多個(gè)環(huán)形圓周部分。
11．如權(quán)利要求9所述的裝置，其特征在于所述支承臺(tái)包括一盤形的中央部分，和一環(huán)形圓周部分，所述圓周部分的一個(gè)吸盤表面相對于所述中央部分的吸盤表面傾斜。
12．如權(quán)利要求10或11所述的裝置，其特征在于所述中央部分的吸盤表面和所述周邊部分的吸盤表面具有用于抽吸第一基片的抽吸機(jī)構(gòu)。
13．如權(quán)利要求12所述的裝置，其特征在于在所述中央部分和/或周邊部分的吸盤表面上有叉形的銷，用于支承第一基片，通過對銷之間的空間抽氣而吸住第一基片。
14．如權(quán)利要求10或11所述的裝置，其特征在于僅所述支承臺(tái)周邊部分的吸盤表面有用于吸住第一基片的吸盤機(jī)構(gòu)。
15．如權(quán)利要求9所述的裝置，其特征在于所述支承裝置的支承臺(tái)僅吸住第一基片的周邊部分，使所述第一基片的中央部分與所述支承臺(tái)的中央部分分離。
16．如權(quán)利要求1-15中任一所述的裝置，其特征在于還包括一基片控制裝置，用于支承第二基片，使第二基片與由所述支承裝置支承的第一基片對置，并松開第二基片，其中，當(dāng)所述基片控制裝置松開第二基片時(shí)，所述加壓裝置壓第二基片。
17．如權(quán)利要求16所述的裝置，其特征在于所述支承裝置大致水平地支承第一基片，所述基片控制裝置大致水平地將第二基片支承在第一基片之上，并松開第二基片。
18．一種基片支承裝置，當(dāng)兩個(gè)基片重疊和接觸時(shí)用于支承兩個(gè)基片中的一個(gè)，包括能在一彎曲狀態(tài)和一非彎曲狀態(tài)支承基片的支承裝置。
19．如權(quán)利要求18所述的裝置，其特征在于所述支承裝置能在基片周邊相對于基片中央部分彎曲或不彎曲的同時(shí)支承基片。
20．如權(quán)利要求18或19所述的裝置，其特征在于所述支承裝置先在一彎曲狀態(tài)然后在一非彎曲狀態(tài)支承基片。
21．如權(quán)利要求19所述的裝置，其特征在于所述支承裝置包括一調(diào)整裝置，用于調(diào)整基片的彎曲度，以從中心向周邊逐步地?cái)U(kuò)展支承的基片和要與其接觸的另一基片的的接觸部分。
22．如權(quán)利要求21所述的裝置，其特征在于所述調(diào)整裝置調(diào)整支承的基片的彎曲度，以逐步同心地?cái)U(kuò)展接觸部分。
23．如權(quán)利要求18或19所述的裝置，其特征在于所述支承裝置通過抽吸基片的背面使基片彎曲。
24．如權(quán)利要求19所述的裝置，其特征在于所述支承裝置包括一支承臺(tái)，其周邊部分低于中央部分，所述支承臺(tái)吸住第一基片。
25．如權(quán)利要求24所述的裝置，其特征在于所述支承臺(tái)包括一盤形的中央部分，和一或多個(gè)環(huán)形圓周部分。
26．如權(quán)利要求24所述的裝置，其特征在于所述支承臺(tái)包括一盤形的中央部分，和一環(huán)形圓周部分，所述圓周部分的一個(gè)吸盤表面相對于所述中央部分的吸盤表面傾斜。
27．如權(quán)利要求25或26所述的裝置，其特征在于所述中央部分的吸盤表面和所述周邊部分的吸盤表面具有用于抽吸基片的抽吸機(jī)構(gòu)。
28．如權(quán)利要求25或26所述的裝置，其特征在于僅所述支承臺(tái)的周邊部分的吸盤表面有用于吸住基片的吸盤機(jī)構(gòu)。
29．如權(quán)利要求24所述的裝置，其特征在于所述支承裝置的支承臺(tái)僅吸住基片的周邊部分，使基片的中央部分與所述支承臺(tái)的中央部分分離。
30．一種使兩個(gè)基片重合和接觸的基片處理方法，包括下列步驟使第一基片和第二基片相互對置；在第一基片的周邊彎曲與第二基片周邊分離的同時(shí)壓第二基片；在經(jīng)過一定時(shí)間后，將第一基片調(diào)整為非彎曲狀態(tài)。
31．一種使兩個(gè)基片重合和接觸的基片處理方法，包括下列步驟使第一基片和第二基片相互對置；在第一基片的周邊彎曲與第二基片周邊分離的同時(shí)壓第二基片；在第一和第二基片的接觸部分?jǐn)U展到一預(yù)定區(qū)域之后，將第一基片調(diào)整為非彎曲狀態(tài)。
32．一種使兩個(gè)基片重合和接觸的基片處理方法，包括下列步驟使第一基片和第二基片相互對置；在第一基片的周邊彎曲與第二基片周邊分離的同時(shí)壓第二基片；調(diào)整第一基片的彎曲度，從其中心向周邊逐步地?cái)U(kuò)展第一和第二基片的接觸部分。
33．一種使兩個(gè)基片重合和接觸的基片處理方法，包括下列步驟使第一基片和第二基片相互對置；在第一基片的周邊彎曲與第二基片周邊分離的同時(shí)壓第二基片；調(diào)整第一基片的彎曲度，從其中心向周邊同心地逐步擴(kuò)展第一和第二基片的接觸部分。
34．一種使兩個(gè)基片重合和接觸的基片處理方法，包括下列步驟使第一基片和第二基片相互對置；在第一基片的預(yù)定部分彎曲與第二基片分離的同時(shí)壓第二基片；在經(jīng)過一定時(shí)間后，將第一基片調(diào)整為非彎曲狀態(tài)。
35．一種使兩個(gè)基片重合和接觸的基片處理方法，包括下列步驟使第一基片和第二基片相互對置；在第一基片的預(yù)定部分彎曲與第二基片分離的同時(shí)壓第二基片；在第一和第二基片的接觸部分?jǐn)U展到一預(yù)定區(qū)域后，將第一基片調(diào)整為非彎曲狀態(tài)。
36．一種使兩個(gè)基片重合和接觸的基片處理方法，包括下列步驟使第一基片和第二基片相互對置；在第一基片的預(yù)定部分彎曲與第二基片分離的同時(shí)壓第二基片；調(diào)整第一基片的彎曲度，從其中心向周邊逐步擴(kuò)展第一和第二基片的接觸部分。
37．如權(quán)利要求30-36所述的方法，其特征在于第二基片的背面受壓。
38．一種基片處理方法，其特征在于使用如權(quán)利要求1-29中任一的裝置使兩個(gè)基片接觸。
39．一種基片制造方法，其特征在于在工序的一部分中使用了如權(quán)利要求30-37中任一所述的方法。
40．一種SOI的基片制造方法，在工序的一部分中使用了如權(quán)利要求30-37中任一所述的方法。
全文摘要
一種使兩個(gè)基片重疊和接觸的基片處理裝置,包括:一用于支承第一基片的支承裝置;一加壓裝置用于將第二基片壓在由所述支承裝置的支承的第一基片上,其特征在于:在第一基片的預(yù)定部分被彎曲與第二基片分離和第一基片不被彎曲的同時(shí),所述支承裝置能支承第一基片。還包括基片支承裝置,基片處理方法,基片制造方法。
文檔編號(hào)H01L21/02GK1209644SQ98118700
公開日1999年3月3日 申請日期1998年8月26日 優(yōu)先權(quán)日1997年8月27日
發(fā)明者瀧澤亨, 米原隆夫, 山方憲二 申請人:佳能株式會(huì)社