專利名稱：半導體芯片貼裝板及貼片方法
技術(shù)領域：
本發(fā)明涉及半導體芯片貼裝板，其中，用倒裝貼片法使半導體芯片連接到半導體芯片貼裝面，形成在與半導體芯片貼裝面相對的電路板貼裝面上的電極電連接到電路板上的電極，并涉及半導體芯片貼裝到半導體芯片貼裝板上的方法。
用金屬絲的引線連接已廣泛用于如半導體芯片等與電路板上的電極引出端部件的電子微電路元件的電連接。但是，近年來，趨于有更高集成度的芯片，引出端數(shù)量增加以及連接節(jié)距變窄。同時，個人用計算機、便攜式遙控終端等需要有效地利用半導體芯片上的安裝面積。為此，近來采用倒裝式貼片法，因此，在半導體芯片上形成凸點(突出端)并用連接材料直接與電路板上的電極連接，此外，具有低價性能的樹脂電路板需要用瞬時連接安裝技術(shù)。
以下將說明按常規(guī)倒裝式貼片法貼裝有半導體芯片的半導體芯片貼裝板及半導體芯片貼裝到半導體芯片貼裝板上的方法。
圖6是其上貼有半導體芯片1的常規(guī)半導體芯片貼裝板4的平面圖。圖7是沿圖6中III-III線的截面圖；圖8是沿圖6中線IV-IV的截面圖。圖6中數(shù)字20是貫穿半導體芯片貼裝板4的半導體芯片貼裝面4a和電路板貼裝面4b電連接半導體芯片與電路板用的通孔。
半導體芯片1的電路形成面1a上徑半導體芯片1的周邊部分中間隔120μm形成電極端13。對具有凸點6的半導體芯片的總功能而言必須要有電極端13，每個凸點6有大直徑部分6a和小直徑部分6b兩個突臺。凸點6用金構(gòu)成75μm的較大直徑，其高度為45μm。
另一方面，用熱膨脹系數(shù)為13ppm，玻璃轉(zhuǎn)換點為115-120℃的玻璃環(huán)氧樹脂構(gòu)成常規(guī)半導體芯片貼裝板4。在半導體芯片貼裝板4的芯片貼裝面4a相當于半導體芯片1上形成的電極端13的位置，每120μm形成一個條形連接區(qū)2。連接區(qū)的寬度W2是50μm。如圖8所示，連接區(qū)2從其接觸點6c朝半導體芯片1的中心部分延伸到凸點6的長度L2。L2通常為35μm。而且，如圖9所示，在貼裝板4的半導體芯片貼裝面4a與半導體芯片1的端面1b隔開距離r2處形成焊料光刻膠9。r2通常為200μm。
將說明把半導體芯片1貼裝到常規(guī)半導體芯片貼裝板4的方法。
首先，在半導體芯片1的電極端13形成滿足正常工作功能所需的上述凸點6，即，經(jīng)貼裝板4對電路板輸入/輸出信號所需的引出端。把以銀為主要成份的導電樹脂漿料的粘接材料7預先加到凸點6上，其厚度約為10μm。
而且，按以后將會說明的表面貼裝技術(shù)(SMT)把半導體芯片貼裝板4貼裝到電路板上。
之后，圖6中，加有粘接材料7的有凸點6的半導體芯片用粘接材料7經(jīng)凸點6電連接到貼裝板4的半導體芯片貼裝面4a處形成的粘接區(qū)2。粘接材料7在120℃干燥兩小時固化后，由此，在半導體芯片1與半導體芯片貼裝面4a之間注入密封樹脂8，并在120℃加熱2小時固化。圖10展示出其上貼裝有多個半導體芯片1的半導體芯片貼裝板4。用配料器從半導體芯片1的一邊按箭頭所指方向加密封樹脂8。根據(jù)半導體芯片1的形狀或至周邊區(qū)的距離選擇適于注入密封樹脂8的地方。
常規(guī)半導體芯片貼裝板4的結(jié)構(gòu)和貼裝方法有以下缺點。
由于半導體芯片1的凸點6與貼裝板4上的粘接區(qū)2之間的粘接強度是每個凸點約3克那么小，因此，具有少量電極端13的半導體芯片1與貼裝板4的粘接強度差。而且，電子粘接區(qū)2的面積小，因此，粘接材料7不能構(gòu)成足夠的凸起，而是在半導體芯片貼裝面4a上散開，其寬度Wf2大于粘接區(qū)2的寬度W2，如圖7所示，長度Lf2大于粘接區(qū)2的長度L2，如圖8所示。這會造成短路和絕緣電阻變壞。所述寬度Wf2是100μm，長度Lf2是50μm。
而且，由于常規(guī)貼裝板4的熱膨脹系數(shù)大于作為半導體芯片1的硅材料的熱膨脹系數(shù)，當半導體芯片1貼裝到貼裝板4上密封樹脂8受熱并固化之后，由于貼裝板4與半導體芯片1的熱膨脹系數(shù)不同，而產(chǎn)生應力。該應力對凸點6與粘接區(qū)2之間粘接部分中如上述的粘接強度小的地方作用，因而，使粘接部分中的電阻增大，或使粘接部分斷開。
如上所述，用主要成分為玻璃環(huán)氧樹脂的材料制造半導體芯片貼裝板4。因此，當半導體芯片貼裝板4的溫度上升到不低于玻璃轉(zhuǎn)化點(Tg)時，在玻璃轉(zhuǎn)化點的貼裝板4的熱膨脹系數(shù)α2比其玻璃轉(zhuǎn)化點前的熱膨脹系數(shù)α1增大了5至7倍，如圖11所清楚示出的，因此，貼裝板4的損壞量變大。
貼裝半導體芯片1的半導體芯片貼裝板4在120℃經(jīng)過2小時干燥/固化處理，以使在凸點6構(gòu)成的上述粘接材料7干燥和固化。此時，粘接材料7固化后，溫度從120℃下降時，半導體芯片貼裝板4會翹曲成圖12所示的半導體芯片貼裝板4’。
而且，經(jīng)上述干燥/固化處理之后，注入貼裝板4與半導體芯片1之間的密封樹脂8在120℃經(jīng)2小時固化處理。密封樹脂8固化后，從120℃降溫時，半導體芯片貼裝板4翹曲成圖13所示半導體芯片貼裝板4”。
在上述粘接材料7和密封樹脂8固化處理之前，用SMT把貼裝板4貼裝到電路板上時，貼裝板4的溫度在該溫度升到230℃的最高溫度。即，在SMT貼裝時貼裝板4也會隨之翹曲。
由于常規(guī)半導體芯片貼裝板4的玻璃轉(zhuǎn)化點低于粘接材料7或密封樹脂8的干燥/固化溫度，因此，擴大了因熱膨脹系數(shù)不同造成的貼裝板4的上述翹曲。因此，粘接部分的電阻值會增大并會使粘接部分斷開。
常規(guī)半導體芯片貼裝板4中，在半導體芯片1的端面16附近設置焊料光膠9。因此，密封樹脂8不會形成足夠的凸起。此外，由于密封樹脂8在焊料光刻膠9上的粘接強度小，因此，在環(huán)境試驗中，在其界面處焊料光刻膠會與密封樹脂8分開，從產(chǎn)品質(zhì)量考慮，它是重要的關鍵問題。
檢查密封樹脂8的密封性時，由于在常規(guī)貼裝方法中很難找到構(gòu)成密封樹脂注入開口的位置，因此，要用大量的時間用自動檢查裝置來識別注入開口并檢查密封樹脂8形成的凸起，因而使生產(chǎn)率下降。
如果適于SMT的無引線半導體芯片和常規(guī)的有引線元件混合排列在貼裝板上，由于首先執(zhí)行SMT，在對其進行熱處理時半導體芯片貼裝板4翹曲。因此，在粘接部分的粘接電阻增大。同時，由于粘有灰塵和殘留的溶劑，會使粘接部分的可靠性降低，因此，大大影響產(chǎn)品質(zhì)量。為除去上述的灰塵，就需要有附加的工藝，從而造成生產(chǎn)率下降和成本增大。
為克服上述缺陷，本發(fā)明的目的是，提供能以高生產(chǎn)率高質(zhì)量貼裝半導體芯片的半導體芯片貼裝板，和把半導體芯片貼裝到半導體芯片貼裝板上的方法。
為實現(xiàn)這些目的和其它目的，按本發(fā)明第1方案，提供一種半導體芯片貼裝板，它包括半導體芯片貼裝面，在該芯片貼裝面形成粘接區(qū)，并用倒裝式芯片貼裝法電連接到半導體芯片的電路形成區(qū)上形成的電極，和與半導體芯片貼裝面相對設置、并與電路板電連接的電路板貼裝面。其中，在半導體芯片貼裝面還設置增強區(qū)，用粘接材料把增強區(qū)連接到電路形成區(qū)上構(gòu)成的不工作電極，功能上與半導體芯片無關，由此，增大了半導體芯片與半導體芯片貼裝板之間的連接強度。
按本發(fā)明第2方案，提供按本發(fā)明第1方案的半導體芯片貼裝板，其中，電極和半導體芯片的不工作電極配置凸點，經(jīng)過凸點用粘接材料使電極、粘接區(qū)、不工作電極和增強區(qū)相互電連接。
按本發(fā)明第3方案，提供按第2方案的半導體芯片貼裝板，其中，粘接區(qū)和半導本芯片貼裝面上形成的增強區(qū)是條形徑向延伸到貼裝的半導體芯片，防止粘接材料的長度超過半導體芯片貼裝面上它的寬度，方向為從其接觸點至凸點至半導體芯片的中心部分。
按本發(fā)明第4方案，提供按第1至第3方案之一的半導體芯片貼裝板，包含其熱膨脹系數(shù)小于硅的熱膨脹系數(shù)的材料。
按本發(fā)明第5方案，提供按第1至第4方案之一的半導體芯片貼裝板，它的玻璃轉(zhuǎn)化點超過粘接材料的干燥和固定溫度。
按本發(fā)明第6方案，提供按本發(fā)明第1至第5方案之一的半導體芯片貼裝板，半導體芯片貼裝到半導體芯片貼裝板之后，在半導體芯片與半導體芯片貼裝板之間注入密封樹脂，貼裝板的玻璃轉(zhuǎn)化點溫度超過密封樹脂的固化溫度。
按本發(fā)明第7方案，提供按第1至第6方案之一的半導體芯片貼裝板，其中，用與半導體芯片的電路形成面上電極相同的材料，按電路形成面上電極的形成方法，構(gòu)成不工作電極。
按本發(fā)明第8方案，提供把半導體芯片貼裝到半導體芯片貼裝板上的方法，半導體芯片貼裝板包括帶粘接區(qū)的半導體芯片貼裝面，和與半導體芯片貼裝面相對并電連接到電路板的電路板貼裝面。方法包括以下步驟使半導體芯片的電路形成面與芯片貼裝面相對；用倒裝式芯片貼裝法，用粘接材料電連接有粘接區(qū)的電路形成面上形成的電極，電路形成面上形成的與半導體芯片功能上無關的其有增加半導體芯片與半導體芯片貼裝板的貼接強度的增強區(qū)的不工作電極。
按本發(fā)明第9方案，提供按第8方案的半導體芯片貼裝方法，包括，半導體芯片貼裝到半導本芯片貼裝板之后，在半導體芯片貼裝面上，從半導體芯片的側(cè)面按對著半導體芯片的方向，從凸起位置到半導體芯片貼裝面，間隔距離不小于半導體芯片的厚度和半導體芯片貼裝面與電路形成面之間的間隙之和的部分形成焊料光刻膠。
按本發(fā)明第10方案，提供按第8或第9方案的半導體芯片貼裝方法，當半導體芯片與半導體芯片貼裝板之間設置密封樹脂時，在半導體芯片貼裝面形成識別密封樹脂開始注入位置的開始注入標記。
按本發(fā)明第11方案，提供按第8至第10方案之一的半導體芯片貼裝方法，其中，半導體芯片貼裝板包含其熱膨脹系數(shù)不小于硅的熱膨脹系數(shù)，其玻璃轉(zhuǎn)化點超過粘接材料的干燥和固化溫度的材料，因此，半導體芯片貼裝到半導體芯片貼裝板之后，在半導體芯片與半導體芯片貼裝板之間加入密封樹脂，密封樹脂的固化溫度超過半導體芯片貼裝板的玻璃轉(zhuǎn)化點。
按本發(fā)明第12方案，提供按第11方案的半導體芯片貼裝方法，由此，加密封樹脂后，按SMT用焊料把半導體芯片貼裝板安裝到電路板上。
根據(jù)以下參見附圖結(jié)合優(yōu)選實施例對本發(fā)明的說明，本發(fā)明的這些特征和其它特征將是顯而易見的。
圖1是按本發(fā)明一個實施例的其上貼有半導體芯片的半導體芯片貼裝板的平面圖；圖2是沿圖1中線I-I的剖視圖；圖3是沿圖1中線II-II的剖視圖；圖4是按本發(fā)明實施例的指示半導體芯片貼裝板注入密封樹脂的位置的示意圖；圖5是按本發(fā)明實施例的，指示半導體芯片貼裝板中密封樹脂的注入起始位置和注入方向的示意圖；圖6是其上貼有半導體芯片的常規(guī)半導體芯片貼裝板的平面圖；圖7是沿圖6中線III-III的剖視圖；圖8是沿圖6中線IV-IV的剖視圖；圖9是加有密封樹脂的常規(guī)半導體芯片貼裝板的示意圖；圖10是常規(guī)半導體芯片貼裝板中密封樹脂注入方向的示意圖；圖11是溫度與半導體芯片貼裝板的熱膨脹/變形量之間的關系曲線；圖12是粘接材料固化處理中半導體芯片貼裝板的變形示意圖；圖13是密封樹脂固化處理中半導體芯片貼裝板的變形示意圖。
說明本發(fā)明方法之前，應注意，在全部附圖中相同的參考數(shù)字指示相同的零部件。
以下將參見


按本發(fā)明一個實施例的半導體芯片貼裝板和把半導體芯片貼裝到半導體芯片貼裝板的方法。附圖中相同的參考數(shù)字表示相同的零部件或功能相同的零部件。首先說明半導體芯片貼裝板。
圖1相當于上述的圖6，圖2和3分別是沿圖1中線I-I和II-II的剖視圖。
半導體芯片1的電路形成面1a上設置不工作的電極105，例如，是在貼裝半導體芯片之后，通常用于測試半導體芯片單體并且在功能上與半導體芯片1無關的測試電極。如果沒有不工作電極105，或具有的不工作電極105的數(shù)量不夠，當構(gòu)成半導體芯片1功能上必需的電極13時，可用與電極13相同的材料構(gòu)成不工作電極105。
在貼裝板104的半導體芯片貼裝面4a構(gòu)成相當于不工作電極105的增強區(qū)103。增強區(qū)103不與安裝半導體芯片貼裝板104的電路板上的布線電連接。如圖1所示，增強區(qū)103構(gòu)成為條形，在該實施例中，條的寬度W1是50μm。電極端13與半導體芯片1的不工作電極105之間的每個間隔為120μm，同上述的寬度相同。
這樣構(gòu)成的半導體芯片貼裝板104和半導體芯片1中，不工作電極105和增強區(qū)103用粘接材料7經(jīng)凸點6按與以下情況相同的方式粘接在一起，即，在半導體芯片1的電路形成面1a上形成的、并是半導體芯片1功能上必需的電極端13用粘接材料7經(jīng)帶粘接區(qū)102的凸點6粘接，粘接區(qū)102在貼裝板104的半導體芯片貼裝面4a上構(gòu)成，相應于電極端13，并與電路板上的布線電連接。用的凸點6與參見圖7所述的凸點相同。
如上所述，半導體芯片1和半導體芯片貼裝板104的粘接點數(shù)量增加，使之間的粘接強度提高。甚至當半導體芯片貼裝板104的熱膨脹系數(shù)大于用作半導體芯片1的材料硅的熱膨脹系數(shù)時，例如加到電極端13和粘接區(qū)102的粘接部分的粘接材料7在120℃被加熱2小時而固定時，所產(chǎn)生的熱應力會減小。因此，能高質(zhì)量地把半導體芯片1貼裝到實施例的半導體芯片貼裝板104，獲得高生產(chǎn)率。能用常用的樹脂材料構(gòu)成半導體芯片貼裝板104，能降低生產(chǎn)成本。
如圖3所示，在電路板104的半導體芯片貼裝面40形成的每個粘接區(qū)102和增強區(qū)103從接觸點6C朝半導體芯片1的中心部分107延長到凸點6的長度比現(xiàn)有技術(shù)長。更具體地說，如參見圖8所述，在現(xiàn)有技術(shù)中，粘接區(qū)2從粘接區(qū)2與凸點6之間的接觸點6c延伸到半導體芯片1的中心部分的長度L2是35μm。另一方面，如圖3所示，按實施例，從接觸點6c至粘接區(qū)102和增強區(qū)103的端部的距離中的每一個均約為85μm。
由于從接觸點6c至粘接區(qū)102和增強區(qū)103的端部的距離做得比現(xiàn)有技術(shù)大，粘接材料7能構(gòu)成按粘接區(qū)102和增強區(qū)103之每一個的長度方向延伸的凸起，如圖3中Lf1所示。因此，即使粘接區(qū)102和增強區(qū)103的寬度W1與現(xiàn)有技術(shù)的寬度大小相同，粘接區(qū)7也能防止形成的凸起在貼裝面4a上散開而超出粘接區(qū)102和增強區(qū)103之每一個的寬度W1。因此，粘接材料7的寬度Wf1不會大于粘接區(qū)102和增強區(qū)103之每一個的寬度W1。上述的Lf1例如是約50μm。
甚至在經(jīng)過規(guī)定的窄距離在半導體芯片1上構(gòu)成電極端13時，當獲得足夠的凸起時，也能防止半導體芯片貼裝面4a上相鄰粘接區(qū)102之間出現(xiàn)短路或絕緣電阻變壞。因此，能高質(zhì)量的在半導體芯片貼裝板104上貼裝半導體芯片1，由此獲得高生產(chǎn)率。
以下將說明為用更高質(zhì)量貼裝半導體芯片1而對半導體芯片貼裝板104所用材料的改進。
如參見圖11-13所述、常規(guī)半導體芯片貼裝板4的玻璃轉(zhuǎn)化點是115-120℃，即，低于粘接材料7或密封樹脂8的固化溫度120℃，上述問題是現(xiàn)有技術(shù)中存在的實質(zhì)問題。
另一方面，實施例的半導體芯片貼裝板104用玻璃轉(zhuǎn)化點為170℃的玻璃環(huán)氧樹脂。熱膨脹系數(shù)與現(xiàn)有技術(shù)相同，為13ppm。
用上述半導體芯片貼裝板104時，由于貼裝板104的玻璃轉(zhuǎn)化點高于粘接材料7和密封樹脂8的固化溫度，粘接材料7和密封樹脂8在固化時的熱膨脹系數(shù)之差會減小，因此，能精確測到的貼裝板104的翹曲是100μm/100mm。作用于凸點與粘接區(qū)之間的粘接部分的應力會減小。即，粘接可靠性提高。
按實施例，用SMT把半導體芯片板104貼裝到電路板之前，半導體芯片1貼裝并密封到半導體芯片貼裝板104。用該方法、由于能防止半導體芯片貼裝到如現(xiàn)有技術(shù)的熱翹曲的半導體芯片貼裝板上，因此，能提高粘接的零部件質(zhì)量。而且，因在SMT貼裝之前，貼裝并密封半導體芯片1，因此不會把灰塵粘到半導體芯片1上或有殘留的溶劑。能相應地提高粘接件的可靠性，而且，不需進行清潔處理。能提高生產(chǎn)率，降低生產(chǎn)成本。
按實施例的半導體芯片貼裝板104中，設計出貼裝板104的半導體芯片貼裝面4a上設置焊料光刻膠的位置。
具體地說，如圖4所示，半導體芯片1粘接到半導體芯片貼裝面4a，在半導體芯片1與半導體芯片貼裝板104之間加密封樹脂8。在安裝面104a上的與半導體芯片1的端面1b相距r1的部分109，在貼裝面4a的凸起位置108，按對著半導體芯片的方向，構(gòu)成焊料光刻膠9。距離r1不小于貼裝面4a與半導體芯片1之間的間隙d2與半導體芯片1的厚度d1之和。
為了用配料器注入密封樹脂8，在半導體芯片貼裝面4a形成注入開始標記，以指示注入密封樹脂8開始的位置。圖5中展示出有在一個半導體芯片貼裝板上貼裝多個半導體芯片1的多芯片組件(MCM)。從注入起始標記11開始沿箭頭12指示的方向給每張半導體芯片1注入密封樹脂8。
如上所述，由于在合適位置設置了焊料光刻膠9，從半導體芯片1的上表面構(gòu)成密封樹脂8的凸起，而不會疊置在焊料光刻膠9上。而且，形成足夠的密封樹脂8的凸起，由此，提高質(zhì)量可靠性。
注入起始標記11能清楚地識別注入起始位置和密封樹脂8的注入方向。因此，檢查密封時，能用自動檢查裝置在短時間里檢查凸起的形成，因此，提高了生產(chǎn)率。
正如以上完全說明的，按本發(fā)明第1方案的半導體芯片貼裝板，和按本發(fā)明第8方案的半導體芯片貼裝方法，不僅貼裝板上的粘接區(qū)與半導體芯片上的電極粘接，而且，要與半導體芯片上的不工作電極連接的貼裝板上還設置有增強區(qū)并連接在其中。因此，半導體芯片與半導體芯片貼裝板之間的連接點數(shù)量增大，由此，其間的粘接強度能增大。由半導體芯片與半導體芯片貼裝板之間的熱膨脹系數(shù)之差造成的應力能減小，并能減小對電極與粘接區(qū)之間粘接件的影響。因此，能高質(zhì)量地把半導體芯片貼裝到半導體芯片貼裝板上，獲得高生產(chǎn)率。
日本特許公開平8-190505，申請日為1996年7月19日，包括說明書，權(quán)利要求書，附圖和摘要的全部公開，在此作為一個整體引作參考。
盡管參見本發(fā)明的附圖結(jié)合本發(fā)明的優(yōu)選實施例充分說明了本發(fā)明，但本領域的技術(shù)人員會注意到，本發(fā)明還有各種變化和改進。這些變化和改進應認為包括在由所附權(quán)利要求所規(guī)定的要求保護的范圍內(nèi)。而不脫離要求保護的范圍。
權(quán)利要求
1.半導體芯片貼裝板，包括半導體芯片貼裝面(4a)，該半導體芯片貼裝面(4a)上構(gòu)成有粘接區(qū)(2)，并按倒裝式芯片貼裝法與半導體芯片(1)的電路形成面(1a)上構(gòu)成的電極(13)電連接；和對著半導體芯片貼裝面、并與電路板電連接的電路板貼裝面(4b)，其中，在半導體芯片貼裝面還設置增強區(qū)(103)，用粘接材料(7)把增強區(qū)連接到電路形成面上形成的不工作電極(105)，增強區(qū)在功能上與半導體芯片無關，只是增大半導體芯片與半導體芯片貼裝板之間的連接強度。
2.按權(quán)利要求1的半導體芯片貼裝板，其特征在于，電極和半導體芯片的不工作電極設置有凸點(6)，用粘接材料經(jīng)凸點使電極和粘接區(qū)，不工作電極和增強區(qū)相互電連接。
3.按權(quán)利要求2的半導體芯片貼裝板，其特征在于，半導體芯片貼裝面上形成的粘接區(qū)和增強區(qū)是條形的徑向延伸到貼裝的半導體芯片，防止粘接材料的長度按由接觸點(106)到凸點到半導體芯片的中心部分(107)的方向，在半導體芯片貼裝面上散開超過其寬度。
4.按權(quán)利要求1至3中任一項的半導體芯片貼裝板，其特征在于，包含其熱膨脹系數(shù)不小于磚的熱膨脹系數(shù)的材料。
5.按權(quán)利要求1至4中任一項的半導體芯片貼裝板，其特征在于，其玻璃轉(zhuǎn)化點超過粘接材料的干燥和固化溫度。
6.按權(quán)利要求1至5中任一項的半導體芯片貼裝板，其特征在于，半導體芯片貼裝到半導體芯片貼裝板上之后，半導體芯片與半導體芯片貼裝板之間注入密封樹脂(8)，貼裝板的玻璃轉(zhuǎn)化點超過密封樹脂的固化溫度。
7.按權(quán)利要求1至6中任一項的半導體芯片貼裝板，其特征在于，用與半導體芯片的電路形成面上的電極相同的材料和相同的形成方法，構(gòu)成不工作電極。
8.把半導體芯片(1)貼裝到半導體芯片貼裝板的方法，半導體芯片貼裝板包括有粘接區(qū)(2)的半導體芯片貼裝面(4a)，與半導體芯片貼裝面相對并電連接到電路板的電路板貼裝面(4b)，該方法包括以下步驟半導體芯片的電路形成面(1a)面對半導體芯片貼裝面；用粘接材料(7)，用倒裝式芯片貼裝法，使有粘接區(qū)的電路形成面上形成的電極(13)與電路形成面上形成的、與具有提高半導體芯片與半導體芯片貼裝板的粘接強度用的增強區(qū)的半導體芯片在功能上無關的不工作電極(105)電連接。
9.按權(quán)利要求8的半導體芯片貼裝方法，包括半導體芯片貼裝到半導體芯片貼裝板上之后，在半導體芯片貼裝面上的部分(109)處形成焊料光刻膠(9)，從半導體芯片側(cè)面，按對著半導體芯片的方向，它從凸起位置(108)到半導體芯片貼裝面隔開的距離不小于半導體芯片的厚度和半導體芯片貼裝面與電路構(gòu)成面之間的間隙之和。
10.按權(quán)利要求8或9的半導體芯片貼裝方法，其特征在于，當半導體芯片與半導體芯片貼裝板之間加密封樹脂(8)時，在半導體芯片貼裝面上構(gòu)成能識別密封樹脂開始注入位置的注入開始標記(11)。
11.按權(quán)利要求8至10中任一項的半導體芯片貼裝方法，其特征在于，半導體芯片貼裝板包含其熱膨脹系數(shù)不小于硅的熱膨脹系數(shù)的材料，它的玻璃轉(zhuǎn)化點超過粘接材料的干燥和固化溫度，由此，在半導體芯片貼裝到半導體芯片貼裝板之后，半導體芯片與半導體芯片貼裝板之間加密封樹脂，半導體芯片貼裝板的玻璃轉(zhuǎn)化點超過密封樹脂的干燥和固化溫度。
12.按權(quán)利要求11的半導體芯片貼裝方法，其特征在于，加了密封樹脂后，按SMT用焊料把半導體芯片貼裝板貼裝到電路板上。
全文摘要
半導體芯片貼裝板(104)上形成與半導體芯片(1)上的不工作電極(105)對應的增強區(qū)(103)。增強區(qū)和不工作電極相互粘接,由此提高半導體芯片與半導體芯片貼裝板之間的粘接強度。
文檔編號H01L21/44GK1181629SQ9711745
公開日1998年5月13日 申請日期1997年7月19日 優(yōu)先權(quán)日1996年7月19日
發(fā)明者大谷博之, 八木能彥, 山本憲一 申請人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會社