專利名稱：電介質(zhì)電容器及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及電介質(zhì)電容器，特別涉及其強(qiáng)介電性等的提高。
背景技術(shù)：


圖10表示已有的強(qiáng)電介質(zhì)電容器。在硅基片2的上面形成二氧化硅層4。在其上面設(shè)置白金的下部電極6。在下部電極6上面設(shè)有強(qiáng)電介質(zhì)PZT(PbZrxTi1-xO3)膜8，再在其上設(shè)置白金的上部電極10。就這樣，由下部電極、PZT膜、上部電極10形成強(qiáng)電介質(zhì)電容器。
在這里，下部電極6使用白金有如下理由。PZT膜8必須形成在定向膜上面。如果形成于非晶態(tài)膜上，由于沒有定向，強(qiáng)電介質(zhì)的性質(zhì)就會受到損害。另一方面，下部電極必須在與硅基片2絕緣的狀態(tài)下形成。為此，在硅基片2上形成二氧化硅層4。該二氧化硅層4是非晶態(tài)的。通常，在非晶態(tài)材料上形成的膜為無定向膜，但是白金具有即使在非晶態(tài)材料上也形成定向膜的性質(zhì)。由于有這樣的理由，所以下部電極使用白金。
但是，上述已有的強(qiáng)電介質(zhì)電容器存在有如下問題。
由于白金容易透過氧、鉛，故存在強(qiáng)電介質(zhì)(PZT)內(nèi)的氧逃逸、經(jīng)時變化及極化反向的反復(fù)進(jìn)行引起的強(qiáng)介電性降低的問題。也就是，如圖11所示，強(qiáng)電介質(zhì)中的氧、鉛等從白金的柱狀結(jié)晶之間逃出的問題。
而，這樣的問題同樣也存在于使用具有高介電常數(shù)的電介質(zhì)的電容器。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于解決上述問題，提供經(jīng)時劣化和反復(fù)極化反向引起的劣化小的強(qiáng)電介質(zhì)電容器或具有高介電常數(shù)的電介質(zhì)電容器。
在本發(fā)明中，所謂“電容器”是指在絕緣體的兩側(cè)設(shè)置電極的結(jié)構(gòu)，而與是否使用于貯存電能無關(guān)，是包含具有該結(jié)構(gòu)的物體的概念。
本發(fā)明所涉及的電介質(zhì)電容器具備至少具有WOX層、TiOX層、TaOX層、IrO2層、PtO2層、RuOX層、ReOX層、PdOX層、OsOX層中的任一氧化層的下部電極、形成于下部電極上，由強(qiáng)電介質(zhì)或具有高介電常數(shù)的電介質(zhì)構(gòu)成的電介質(zhì)層、形成于電介質(zhì)層上的上部電極。
也就是說，下部電極至少具有WOX層、TiOX層、TaOX層、IrO2層、PtO2層、RuOX層、ReOX層、PdOX層、OsOX層中的任一氧化層。從而能夠防止氧從電介質(zhì)層逃出，抑制介電特性的經(jīng)時變化。
本發(fā)明涉及的電介質(zhì)電容器，其特征在于，在氧化層上面，形成W層、Ti層、Ta層、Ir層、Pt層、Ru層、Re層、Pd層、Os層中的任一導(dǎo)體層，并構(gòu)成下部電極，在該導(dǎo)體層的上面形成強(qiáng)電介質(zhì)層。
本發(fā)明涉及的電介質(zhì)電容器，其特征在于，所述下部電極形成于基片上形成的二氧化硅層上面；所述下部電極具有與所述二氧化硅層相接的接合層。
也就是說，在氧化層上面，設(shè)置W層、Ti層、Ta層、Ir層、Pt層、Ru層、Re層、Pd層、Os層中的任一導(dǎo)體層，在該導(dǎo)電層的上面設(shè)置電介質(zhì)層。從而，可以謀求減少漏電流。
本發(fā)明涉及的電介質(zhì)電容器，具備下部電極、形成于下部電極上，由強(qiáng)電介質(zhì)或具有高介電常數(shù)的電介質(zhì)構(gòu)成的電介質(zhì)層、形成于電介質(zhì)層上面，至少具有WOX層、TiOX層、TaOX層、IrO2層、PtO2層、RuOX層、ReOX層、PdOX層、OsOX層中的任一氧化層的上部電極。
也就是說，在上部電極至少具有WOX層、TiOX層、TaOX層、IrO2層、PtO2層、RuOX層、ReOX層、PdOX層、OsOX層中的任一氧化層。從而可以防止氧從電介質(zhì)層逃出，可以抑制介電特性的經(jīng)時變化。
本發(fā)明涉及的電介質(zhì)電容器，其特征在于，上述下部電極形成于在基片上形成的二氧化硅層上，上述下部電極具有與所述二氧化硅層相接的接合層。
本發(fā)明涉及的電介質(zhì)電容器，具備至少具有WOX層、TiOX層、TaOX層、IrO2層、PtO2層、RuOX層、ReOX層、PdOX層、OsOX層中的任一氧化層的下部電極、形成于下部電極上，由強(qiáng)電介質(zhì)或具有高介電常數(shù)的電介質(zhì)構(gòu)成的電介質(zhì)層、形成于電介質(zhì)層上，至少具有WOX層、TiOX層、TaOX層、IrO2層、PtO2層、RuOX層、ReOX層、PdOX層、OsOX層中的任一氧化層的上部電極。
也就是說，在上部電極和下部電極，至少具有WOX層、TiOX層、TaOX層、IrO2層、PtO2層、RuOX層、ReOX層、PdOX層、OsOX層中的任一氧化層。從而可以防止氧從電介質(zhì)層逃出，可以抑制介電特性的經(jīng)時變化。
本發(fā)明涉及的電介質(zhì)電容器，其特征在于，在所述氧化層上面，形成W層、Ti層、Ta層、Ir層、Pt層、Ru層、Re層、Pd層、Os層中的任一導(dǎo)體層、構(gòu)成下部電極，在該導(dǎo)電體層的上面形成強(qiáng)電介質(zhì)層。
本發(fā)明涉及的電介質(zhì)電容器，其特征在于，
上述下部電極形成于在基片上形成的二氧化硅層上，上述下部電極具有與所述二氧化硅層相接的接合層。
也就是說，在氧化層上面，設(shè)置W層、Ti層、Ta層、Ir層、Pt層、Ru層、Re層、Pd層、Os層中的任一導(dǎo)體層，在該導(dǎo)體層的上面設(shè)置電介質(zhì)層。從而可以謀求減少漏電流。
采用本發(fā)明，可以提供強(qiáng)電介質(zhì)特性的、高介電常數(shù)的良好的電介質(zhì)電容器本發(fā)明所涉及的電介質(zhì)電容器的制造方法包括以下步驟在基片上以濺射方法形成WOX層、TiOX層、TaOX層、IrO2層、PtO2層、RuOX層、ReOX層、PdOX層、OsOX層中的任一氧化層作為下部電極的步驟、在下部電極上形成強(qiáng)電介質(zhì)膜或具有高介電常數(shù)的電介質(zhì)膜作為電介質(zhì)層的步驟、以及在電介質(zhì)層上面形成上部電極的步驟。
本發(fā)明涉及的電介質(zhì)電容器的制造方法包括以下步驟在基片上用濺射方法形成W層、Ti層、Ta層、Ir層、Pt層、Ru層、Re層、Pd層、Os層中的任一基底層的步驟、使所述基底層的表面氧化的步驟、在表面氧化的基底層上面形成強(qiáng)電介質(zhì)膜或具有高介電常數(shù)的電介質(zhì)膜作為電介質(zhì)層的步驟、以及在電介質(zhì)層的上面形成上部電極的步驟。
本發(fā)明涉及的電介質(zhì)電容器的制造方法，具備以下步驟在基片上形成下部電極的步驟、在下部電極上面形成強(qiáng)電介質(zhì)膜或具有高介電常數(shù)的電介質(zhì)膜作為電介質(zhì)層的步驟、以及在電介質(zhì)層上面用濺射形成WOX層、TiOX層、TaOX層、IrO2層、PtO2層、RuOX層、ReOX層、PdOX層、OsOX層中的任一氧化層作為上部電極的步驟。
本發(fā)明涉及的電介質(zhì)電容器的制造方法具備以下步驟在基片上形成下部電極的步驟、在下部電極上面形成強(qiáng)電介質(zhì)膜或具有高介電常數(shù)的電介質(zhì)膜作為電介質(zhì)層的步驟、在電介質(zhì)層上面用濺射方法形成W層、Ti層、Ta層、Ir層、Pt層、Ru層、Re層、Pd層、Os層中的任一種作為基底層的步驟、以及使所述基底層的表面氧化的步驟。
本發(fā)明所涉及的電介質(zhì)電容器的制造方法具備以下步驟在基片上濺射形成W層、Ti層、Ta層、Ir層、Pt層、Ru層、Re層、Pd層、Os層中的任一種作為基底層的步驟、在基底層的表面形成W層、Ti層、Ta層、Ir層、Pt層、Ru層、Re層、Pd層、Os層中的任一種作為導(dǎo)體層的步驟、使表面形成薄膜導(dǎo)體的導(dǎo)體層氧化的步驟、在氧化處理過的導(dǎo)體層的上面形成強(qiáng)電介質(zhì)膜或具有高介電常數(shù)的電介質(zhì)膜作為電介質(zhì)層的步驟、以及在電介質(zhì)層的上面形成上部電極的步驟。
本發(fā)明所涉及的電介質(zhì)電容器的制造方法，其特征在于，氧化處理與形成電介質(zhì)層時的熱處理并用。
本發(fā)明的特征可以如上所述廣泛展示，而其結(jié)構(gòu)和內(nèi)容，在考慮附圖后，與目的和特征一起，在后面的敘述中將會更加清楚。
附圖概述圖1表示本發(fā)明一實施例的強(qiáng)電介質(zhì)電容器的結(jié)構(gòu)圖。
圖2表示使用強(qiáng)電介質(zhì)電容器22的非易失性存儲器。
圖3表示強(qiáng)電介質(zhì)電容器的制造工藝。
圖4表示設(shè)置接合層30的實施例。
圖5表示使用具有高介電常數(shù)的電介質(zhì)90時的實施例。
圖6表示其他實施例采用的強(qiáng)電介質(zhì)電容器的結(jié)構(gòu)。
圖7表示氧化鈀層防止氧逃逸的機(jī)理。
圖8表示圖1的強(qiáng)電介質(zhì)電容器的制造工藝。
圖9表示在鈀的表面設(shè)置白金薄膜進(jìn)行氧化的實施例。
圖10表示已有的強(qiáng)電介質(zhì)電容器的結(jié)構(gòu)。
圖11表示由白金引起的氧從下部電極6逃逸的狀態(tài)。
本發(fā)明的最佳實施方式圖1表示本發(fā)明一實施例的強(qiáng)電介質(zhì)電容器的結(jié)構(gòu)。硅基片2上設(shè)置有二氧化硅層4、下部電極12、強(qiáng)電介質(zhì)膜(強(qiáng)電介質(zhì)層)8、上部電極15。下部電極12由氧化鈀(PdOx)形成，上部電極15也由氧化鈀形成。
如已有例的圖11所示，白金為柱狀結(jié)晶，因此，能夠使強(qiáng)電介質(zhì)膜8中的氧透過。在本實施例，氧化鈀作為下部電極12使用。該氧化鈀層12不是柱狀結(jié)晶，因而氧不容易透過。從而可以防止強(qiáng)電介質(zhì)膜缺氧。對于上部電極也相同。以此，可以提高強(qiáng)電介質(zhì)膜8的強(qiáng)介電性?？傊?，與用白金構(gòu)成的情況相比，用氧化鈀構(gòu)成上部電極15或下部電極12中的任一個，使得剩余極化由于Pr的使用引起的劣化得到相當(dāng)改善。
還有，在上述實施例，下部電極12、上部電極15兩者都由氧化鈀形成，所以，可以有效地防止氧和鉛的透過。即使只是某一方采用，也能夠得到某種程度的效果。
如上所述的強(qiáng)電介質(zhì)電容器，例如圖2所示，與晶體管24組合，可以作為非易失性存儲器使用。圖3表示本發(fā)明一實施例的強(qiáng)電介質(zhì)電容器的制造工藝。將硅基片2的表面加熱氧化，形成氧化硅層4(圖3A)。這里，把氧化硅層4的厚度定為600nm。接著，將鈀作為濺射靶使用，借助于反應(yīng)性濺射在二氧化硅層4的上面形成氧化鈀層，以此為下部電極12(圖3B)。在這里形成200nm的厚度。
接著，在該下部電極12上用溶膠-凝膠法形成PZT膜作為強(qiáng)電介質(zhì)層8(圖3C)。使用Pb(CH3COO)23H2O，Zr(t-OC4H9)4、Ti(i-OC3H7)4的混合溶液。作為初始原料將該混合溶液旋轉(zhuǎn)涂復(fù)后在攝氏150度烘干，在干燥空氣中以攝氏400度的溫度進(jìn)行30秒鐘的暫時燒成。反復(fù)進(jìn)行5次暫時燒成后，在O2氣氛中以攝氏700度以上進(jìn)行熱處理。這樣，形成了250nm的強(qiáng)電介質(zhì)層8。這里，PbZrxTi1-xO3中x取0.52(下面以PZT52-48表示)，形成PZT膜。
再在強(qiáng)電介質(zhì)8上面以反應(yīng)性濺射形成氧化鈀，作為上部電極15(圖3D)。這里，厚度取200nm。這樣，可以得到強(qiáng)電介質(zhì)電容器。
還有，也可以使用WOX、TiOX、TaOX、IrO2、PtO2、RuOX、ReOX、OsOX取代氧化鈀。
而且，一旦在這些氧化層上面形成強(qiáng)電介質(zhì)，強(qiáng)電介質(zhì)的定向性將受到損害。因此也可以設(shè)置W層、Ti層、Ta層、Ir層、Pt層、Ru層、Re層、Pd層、Os層等導(dǎo)體層，在其上面形成強(qiáng)電介質(zhì)。由于設(shè)置這樣的導(dǎo)體層，可以使強(qiáng)電介質(zhì)的泄漏減少。
圖4表示本發(fā)明其他實施例的強(qiáng)電介質(zhì)電容器的的結(jié)構(gòu)。在這一實施例中，下部電極12和氧化硅層4之間設(shè)置Ti層(5nm)作為接合層30。通常，氧化鈀和氧化硅的粘附性不太好。因此有可能發(fā)生金屬層部分剝離，使強(qiáng)介電特性變壞。因此，在本實施例設(shè)置與二氧化硅層4粘附性好的鈦層作為接合層30。以此改善強(qiáng)介電特性。鈦層可以用濺射方法形成。
在上述實施例中，使用鈦層作為接合層30，但是，只要是能夠改善接合性的材料，使用怎樣的材料都行。例如，也可以使用白金層。
在上述實施例中，使用PZT作為強(qiáng)電介質(zhì)膜8，但是，只要是氧化物強(qiáng)電介質(zhì)，使用怎樣的材料都行。例如，也可以使用Ba4Ti3O12。
圖5表示本發(fā)明的其他實施例的電容器。在該實施例中，使用具有高介電常數(shù)的電介質(zhì)層90代替強(qiáng)電介質(zhì)層8。在氧化硅層4上面設(shè)置氧化鈀的下部電極12，在其上面形成具有SrTiO3，(Sr，Ba)TiO3的鈦鈣礦(perovskite)結(jié)構(gòu)的高介電常數(shù)薄膜作為電介質(zhì)層90。在這種情況也和強(qiáng)電介質(zhì)的情況一樣介電性質(zhì)也可得到改善。總之，已經(jīng)清楚，關(guān)于強(qiáng)電介質(zhì)層所述的種種也適用于具有高介電常數(shù)的電介質(zhì)層。
圖6表示本發(fā)明其他實施例的強(qiáng)電介質(zhì)電容器的結(jié)構(gòu)。在硅基片2上設(shè)置有氧化硅層4、下部電極12、強(qiáng)電介質(zhì)膜(強(qiáng)電介質(zhì)層)8、和上部電極15。下部電極12由鈀層11和形成于其上的氧化鈀層構(gòu)成。上部電極15由鈀層7和形成于其上的氧化鈀層9構(gòu)成。
圖7是下部電極近旁的放大圖。鈀層11是柱狀結(jié)晶，所以強(qiáng)電介質(zhì)膜8的氧會透過。在本實施例中，鈀層11的上表面形成氧化鈀層13。如前所述，該氧化鈀層13可以防止強(qiáng)電介質(zhì)膜8缺少氧。對于上部電極也相同。
在上述實施例中，下部電極12、上部電極15兩者都形成氧化鈀層，所以能夠得到經(jīng)時變化少的特性優(yōu)異的強(qiáng)電介質(zhì)電容器。而即使是下部電極12和上部電極15中的某一方做成上述結(jié)構(gòu)，也能夠在某種程度上得到效果。
圖8表示該強(qiáng)電介質(zhì)電容器的制造工藝。將硅基片2的表面加熱使其氧化，形成氧化硅層4(圖8A)。這里取氧化硅層4的厚度為600nm。用鈀作為濺射靶，在氧化硅層4上形成鈀層11(圖8B)。接著，在氧氣氣氛中進(jìn)行800℃、1分鐘的熱處理，使鈀層11的表面上生成一層氧化鈀層13。以該鈀層11和氧化鈀層13作為下部電極。這里，下部電極的厚度做成200nm。
接著，用溶膠-凝膠法在該下部電極12上形成PZT膜作為強(qiáng)電介質(zhì)層8(圖8C)。使用Pb(CH3COO)23H2O，Zr(t-OC4H9)4、Ti(i-OC3H7)4的混合溶液作為初始原料。將該混合溶液旋轉(zhuǎn)涂復(fù)后在攝氏150度烘干，在干燥空氣中以攝氏400度的溫度進(jìn)行30秒鐘的暫時燒成。反復(fù)進(jìn)行5次暫時燒成后，在O2氣氛中以攝氏700度以上進(jìn)行熱處理。這樣，形成了250nm的強(qiáng)電介質(zhì)層8。這里，PbZrxTi1-xO3中x取0.52(下面以PZT52-48表示)，形成PZT膜。
再在強(qiáng)電介質(zhì)8上面濺射形成鈀層7。接著，在氧氣氣氛中以800℃1分鐘的條件進(jìn)行熱處理，在鈀層7表面形成氧化鈀層9(圖8D)。以該鈀層7和氧化鈀層9作為上部電極。這里，上部電極15做成200nm厚度。就這樣，可以得到強(qiáng)電介質(zhì)電容器。
還有，在本實施例最好也設(shè)置圖4中說明的接合層30。
又，這里說明的將鈀表面氧化的實施例不僅可以適用于強(qiáng)電介質(zhì)膜，也可以適用于所述具有高介電常數(shù)的電介質(zhì)膜，可以得到相同的效果。
如上所述，將鈀層表面氧化可以防止強(qiáng)電介質(zhì)的氧逃逸，但是，在表面形成氧化鈀，強(qiáng)電介質(zhì)膜的定向性變壞。如上所述，這可以用在氧化鈀層13上設(shè)置W層、Ti層、Ta層、Ir層、Pt層、Ru層、Re層、Pd層、Os層等導(dǎo)體層的方法解決。但是，如下面所述，形成下部電極也能夠解決。
首先，如圖9所示，在鈀層11的上面設(shè)置極薄的白金層80。這里取30nm。接著在該狀態(tài)下進(jìn)行熱處理。表面的白金層80不和氧反應(yīng)，所以不氧化。而由于白金層做得薄，其下面的鈀層11的結(jié)晶之間被氧化，形成氧化鈀防止氧的透過。從而，表面仍然保持定向性優(yōu)異，而又能夠形成可以防止氧透過的下部電極12。
還有，在形成這樣的白金薄膜層80后，氧化后的鈀層11可以單獨(dú)作為下部電極12使用。但是，也可以在濺射形成的氧化鈀層的上面設(shè)置定向性良好的導(dǎo)電層(鈀層、白金層等)，作為改善定向性的實施例中的，定向性良好的導(dǎo)電層使用。
又，這里說明的實施例不僅可以適用于強(qiáng)電介質(zhì)，也可以適用于所述的高介電常數(shù)的電介質(zhì)膜，可以得到相同的效果。
在上面作為理想的實施形態(tài)對本發(fā)明做出了說明，但是，各種用語并不是為了用于限定，而是為了進(jìn)行說明而使用的，在不超出本發(fā)明的范圍和精神的條件下，在所附的權(quán)利要求范圍內(nèi)是可以變更的。
權(quán)利要求
1.一種電介質(zhì)電容器，其特征在于，具備至少具有WOX層、TiOX層、TaOX層、IrO2層、PtO2層、RuOX層、ReOX層、PdOX層、OsOX層中的任一氧化層的下部電極、形成于下部電極上，由強(qiáng)電介質(zhì)或具有高介電常數(shù)的電介質(zhì)構(gòu)成的電介質(zhì)層、在該電介質(zhì)層上形成的上部電極。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電介質(zhì)電容器，其特征在于，在所述氧化層上面，形成W層、Ti層、Ta層、Ir層、Pt層、Ru層、Re層、Pd層、Os層中的任一導(dǎo)體層、構(gòu)成下部電極，在該導(dǎo)體層的上面形成強(qiáng)電介質(zhì)層。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的電介質(zhì)電容器，其特征在于，所述下部電極形成于基片上形成的二氧化硅層上面；所述下部電極具有與所述二氧化硅層相接的接合層。
4.一種電介質(zhì)電容器，其特征在于，具備下部電極、形成于下部電極上，由強(qiáng)電介質(zhì)或具有高介電常數(shù)的電介質(zhì)構(gòu)成的電介質(zhì)層、形成于電介質(zhì)層上面，至少具有WOX層、TiOX層、TaOX層、IrO2層、PtO2層、RuOX層、ReOX層、PdOX層、OsOX層中的任一氧化層的上部電極。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的電介質(zhì)電容器，其特征在于，上述下部電極形成于在基片上形成的二氧化硅層上，上述下部電極具有與所述二氧化硅層相接的接合層。
6.一種電介質(zhì)電容器，其特征在于，具備至少具有WOX層、TiOX層、TaOX層、IrO2層、PtO2層、RuOX層、ReOX層、PdOX層、OsOX層中的任一氧化層的下部電極、形成于下部電極上，由強(qiáng)電介質(zhì)或具有高介電常數(shù)的電介質(zhì)構(gòu)成的電介質(zhì)層、形成于電介質(zhì)層上，至少具有WOX層、TiOX層、TaOX層、IrO2層、PtO2層、RuOX層、ReOX層、PdOX層、OsOX層中的任一氧化層的上部電極。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的電介質(zhì)電容器，其特征在于，在所述氧化層上面，形成W層、Ti層、Ta層、Ir層、Pt層、Ru層、Re層、Pd層、Os層中的任一導(dǎo)體層、構(gòu)成下部電極，在該導(dǎo)體層的上面形成強(qiáng)電介質(zhì)層。
8.根據(jù)權(quán)利要求6或7所述的電介質(zhì)電容器，其特征在于，上述下部電極形成于在基片上形成的二氧化硅層上，上述下部電極具有與所述二氧化硅層相接的接合層。
9.一種電介質(zhì)電容器的制造方法，其特征在于，包括以下步驟在基片上以濺射方法形成WOX層、TiOX層、TaOX層、IrO2層、PtO2層、RuOX層、ReOX層、PdOX層、OsOX層中的任一氧化層作為下部電極的步驟、在下部電極上形成強(qiáng)電介質(zhì)膜或具有高介電常數(shù)的電介質(zhì)膜作為電介質(zhì)層的步驟、以及在電介質(zhì)層上面形成上部電極的步驟。
10.一種電介質(zhì)電容器的制造方法，其特征在于，包括在基片上用濺射方法形成W層、Ti層、Ta層、Ir層、Pt層、Ru層、Re層、Pd層、Os層中的任一基底層的步驟、使所述基底層的表面氧化的步驟、在表面氧化的基底層上面形成強(qiáng)電介質(zhì)膜或具有高介電常數(shù)的電介質(zhì)膜作為電介質(zhì)層的步驟、以及在電介質(zhì)層的上面形成上部電極的步驟。
11.一種電介質(zhì)電容器的制造方法，其特征在于，具備在基片上形成下部電極的步驟、在下部電極上面形成強(qiáng)電介質(zhì)膜或具有高介電常數(shù)的電介質(zhì)膜作為電介質(zhì)層的步驟、以及在電介質(zhì)層上面用濺射形成WOX層、TiOX層、TaOX層、IrO2層、PtO2層、RuOX層、ReOX層、PdOX層、OsOX層中的任一氧化層作為上部電極的步驟。
12.一種電介質(zhì)電容器的制造方法，其特征在于，具備在基片上形成下部電極的步驟、在下部電極上面形成強(qiáng)電介質(zhì)膜或具有高介電常數(shù)的電介質(zhì)膜作為電介質(zhì)層的步驟、在電介質(zhì)層上面用濺射方法形成W層、Ti層、Ta層、Ir層、Pt層、Ru層、Re層、Pd層、Os層中的任一基底層的步驟、以及使所述基底層的表面氧化的步驟。
13.一種電介質(zhì)電容器的制造方法，其特征在于，具備在基片上濺射形成W層、Ti層、Ta層、Ir層、Pt層、Ru層、Re層、Pd層、Os層中的任一種作為基底層的步驟、在基底層的表面形成W層、Ti層、Ta層、Ir層、Pt層、Ru層、Re層、Pd層、Os層中的任一種作為導(dǎo)體層的步驟、使表面形成薄膜導(dǎo)體的導(dǎo)體層氧化的步驟、在氧化處理過的導(dǎo)體層的上面形成強(qiáng)電介質(zhì)膜或具有高介電常數(shù)的電介質(zhì)膜作為電介質(zhì)層的步驟、以及在電介質(zhì)層的上面形成上部電極的步驟。
14.根據(jù)權(quán)利要求10、12或13所述的電介質(zhì)電容器的制造方法，其特征在于，所述氧化處理與形成電介質(zhì)層時的熱處理并用。
全文摘要
本發(fā)明的目的在于提供顯示出優(yōu)異的介電特性的電介質(zhì)電容器。硅基片2上設(shè)置有二氧化硅層4、下部電極12、強(qiáng)電介質(zhì)層8、以及上部電極15。下部電極12由氧化鈀構(gòu)成。而上部電極15也由氧化鈀構(gòu)成。氧化鈀能防止強(qiáng)電介質(zhì)膜8中的氧透過。以此，可以得到顯示出優(yōu)異的介電特性的電介質(zhì)電容器。
文檔編號H01L27/08GK1155943SQ96190228
公開日1997年7月30日 申請日期1996年7月5日 優(yōu)先權(quán)日1995年7月7日
發(fā)明者中村孝 申請人:羅姆股份有限公司