技術(shù)編號：6812367
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及電介質(zhì)電容器，特別涉及其強介電性等的提高。背景技術(shù) 附圖說明圖10表示已有的強電介質(zhì)電容器。在硅基片2的上面形成二氧化硅層4。在其上面設(shè)置白金的下部電極6。在下部電極6上面設(shè)有強電介質(zhì)PZT(PbZrxTi1-xO3)膜8，再在其上設(shè)置白金的上部電極10。就這樣，由下部電極、PZT膜、上部電極10形成強電介質(zhì)電容器。在這里，下部電極6使用白金有如下理由。PZT膜8必須形成在定向膜上面。如果形成于非晶態(tài)膜上，由于沒有定向，強電介質(zhì)的性質(zhì)就會受到損害...
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