專利名稱：片式復(fù)合電子零件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及備有公用電極、多個(gè)獨(dú)立電極、以及安裝在各獨(dú)立電極和公用電極之間的多個(gè)電子元件的片式復(fù)合電子零件。
背景技術(shù)：
作為片式復(fù)合電子零件的具體例，有含有多個(gè)電阻元件的復(fù)合電阻器、含有多個(gè)電容元件的復(fù)合電容器、以及含有多個(gè)二極管元件的復(fù)合二極管等。
其中典型的復(fù)合電阻器具有單一的絕緣基板、在該基板上形成的公用電極、離開該公用電極一定間隔在上述基板上形成的多個(gè)獨(dú)立電極、以及安裝在各獨(dú)立電極和上述公用電極之間的多個(gè)電阻元件(電阻膜)。而且，上述公用電極及獨(dú)立電極分別由用銀-鈀合金構(gòu)成的厚膜層、在該厚膜層上鍍的鎳層及在鎳層上鍍的焊錫層構(gòu)成。
在具有上述結(jié)構(gòu)的現(xiàn)有的片式復(fù)合電阻器中，一般說來，隨著由電阻膜構(gòu)成的電阻器的電阻值增大，公用電極的鎳層及焊錫層的厚度與各獨(dú)立電極的鎳層及焊錫層的厚度相比較，前者變得非常大。這一事實(shí)參照?qǐng)D7所示的表中的“無(wú)攪拌板”一欄就能理解。
即，圖7所示的表中的“無(wú)攪拌板”一欄給出了有關(guān)大多數(shù)現(xiàn)有的不同電阻值的片式復(fù)合電阻器中公用電極上的焊錫層厚度(平均值)對(duì)獨(dú)立電極上的焊錫層厚度(平均值)之比，以及公用電極上的鎳層厚度(平均值)對(duì)獨(dú)立電極上的鎳層厚度(平均值)之比。按照此表，在電阻器的電阻值為10KΩ的情況下，公用電極的焊錫層厚度為獨(dú)立電極的焊錫層厚度的2.20倍，公用電極的鎳層厚度為獨(dú)立電極的鎳層厚度的2.78倍。在電阻器的電阻值為47KΩ的情況下，公用電極的焊錫層厚度為獨(dú)立電極的焊錫層厚度的3.04倍，公用電極的鎳層厚度為獨(dú)立電極的鎳層厚度的3.44倍。另外，在電阻器的電阻值為100KΩ的情況下，公用電極的焊錫層厚度為獨(dú)立電極的焊錫層厚度的5.02倍，公用電極的鎳層厚度為獨(dú)立電極的鎳層厚度的4.29倍。
之所以得到這樣的結(jié)果，可認(rèn)以主要是以下兩個(gè)理由的綜合作用。第一，在通過電鍍而形成鎳層及焊錫層的過程中，同時(shí)進(jìn)行電鍍處理的多個(gè)片式復(fù)合電阻器的鎳層及焊錫層的形成速度在不同個(gè)體之間存在很大差異，想要使形成速度慢的片式復(fù)合電阻器的鎳層及焊錫層的厚度達(dá)到規(guī)定的厚度，則形成速度快的片式復(fù)合電阻器的鎳層及焊錫層的厚度將變得過大。第二，與電阻值大的電阻器連接的獨(dú)立電極難以形成鎳層及焊錫層，因此想要使獨(dú)立電極的鎳層及焊錫層的厚度達(dá)到規(guī)定的厚度，結(jié)果是電阻值極小的公用電極的鎳層及焊錫層的厚度將變得過大。
在現(xiàn)有的片式復(fù)合電阻器中，元件的直流電阻大時(shí)，公用電極的焊錫層的厚度變得極大，因此在用焊膏等將公用電極焊接在基板的焊接區(qū)上時(shí)，氫氣成為氣泡留在焊錫內(nèi)，存在著在焊錫的表面產(chǎn)生很大的凹凸的問題。即，焊接時(shí)公用電極上的焊錫層熔融，并產(chǎn)生將吸留在焊錫層中的氫氣。當(dāng)焊錫層的厚度小時(shí)，該氫氣不會(huì)殘留在焊錫層內(nèi)，在焊錫熔融期間就會(huì)跑到外部?？墒?，當(dāng)焊錫層的厚度大時(shí)，在位于焊錫層深處產(chǎn)生的氫氣在焊錫固化之前不會(huì)完全跑出，而殘留在焊錫內(nèi)。
這樣，如氫氣成為氣泡殘留在焊錫內(nèi)，在焊錫的表面產(chǎn)生很大的凹凸，則例如由于焊錫表面上的光反射，在自動(dòng)檢測(cè)片式復(fù)合電子零件的有無(wú)、位置、狀態(tài)等時(shí)，成為誤檢測(cè)的原因。另外，還會(huì)導(dǎo)致焊接不良，這是不利的。
另外，在現(xiàn)有的片式復(fù)合電子零件中，當(dāng)元件的直流電阻大時(shí)，公用電極的鎳層厚度變得極大，所以由于焊接后的溫度變化，使鎳層受熱應(yīng)力作用而變形，厚膜層向上隆起，有可能破壞厚膜層。
發(fā)明的公開本發(fā)明就是鑒于上述現(xiàn)有例的問題而開發(fā)的，其目的是提供一種焊接后的公用電極上的焊錫表面不產(chǎn)生大的凹凸的片式復(fù)合電子零件。
本發(fā)明的另一目的是提供一種厚膜層不因鎳層的熱變形而被破壞的片式復(fù)合電子零件。
按照本發(fā)明的第一方面所提供的片式復(fù)合電子零件，它具有絕緣基板、在該基板上形成的公用電極、離開該公用電極一定間隔在上述基板上形成的多個(gè)獨(dú)立電極、以及安裝在各獨(dú)立電極和上述公用電極之間的多個(gè)電子元件，上述公用電極及獨(dú)立電極分別具有電鍍的焊錫層作為最外層，該片式復(fù)合電子零件的特征在于上述各電子元件的直流電阻在47KΩ以上，上述公用電極的焊錫層厚度在上述各獨(dú)立電極的焊錫層厚度的2.9倍以下。
如果采用上述結(jié)構(gòu)，則雖然各電子元件的直流電阻較大，但公用電極的焊錫層厚度能被抑制在各獨(dú)立電極的焊錫層厚度的2.9倍以下，所以即使獨(dú)立電極的焊錫層厚度達(dá)到規(guī)定的大小，公用電極的焊錫層厚度也不會(huì)非常大。因此，在用焊膏等將片式復(fù)合電子零件的公用電極同基板的焊接區(qū)焊接起來、而將片式復(fù)合電子零件安裝在基板上的規(guī)定位置時(shí)，氫氣不會(huì)成為氣泡殘留在焊錫內(nèi)，焊錫表面上不會(huì)出現(xiàn)大的凹凸。
即，焊接時(shí)焊膏與公用電極的焊錫層一起熔融，雖然在焊錫層內(nèi)產(chǎn)生吸留的氫氣，但由于焊錫層的厚度小，所以氫氣不會(huì)殘留在焊錫內(nèi)，在焊錫熔融期間就跑到外部了。這樣，氫氣不會(huì)成為氣泡殘留在焊錫內(nèi)，因此，在公用電極的焊錫表面上不會(huì)出現(xiàn)大的凹凸，例如，不會(huì)由于焊錫表面上的光反射，在自動(dòng)檢測(cè)片式復(fù)合電子零件的有無(wú)、位置、狀態(tài)等時(shí)，成為誤檢測(cè)的原因。
按照本發(fā)明的第二方面所提供的片式復(fù)合電子零件，它具有絕緣基板、在該基板上形成的公用電極、離開該公用電極一定間隔在上述基板上形成的多個(gè)獨(dú)立電極、以及安裝在各獨(dú)立電極和上述公用電極之間的多個(gè)電子元件，上述公用電極及獨(dú)立電極分別具有電鍍的鎳層，該片式復(fù)合電子零件的特征在于上述各電子元件的直流電阻在47KΩ以上，上述公用電極的鎳層厚度在上述各獨(dú)立電極的鎳層厚度的3.2倍以下。
如果采用上述結(jié)構(gòu)，則雖然各電子元件的直流電阻較大，但公用電極的鎳層厚度能被抑制在各獨(dú)立電極的鎳層厚度的3.2倍以下，因此各獨(dú)立電極的鎳層厚度即使達(dá)到規(guī)定的厚度，公用電極的鎳層厚度也不會(huì)非常大。因此，不會(huì)發(fā)生由于焊接后的溫度變化，使鎳層受熱應(yīng)力作用而變形，厚膜層向上隆起而被破壞的情況。
按照本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，上述電子元件是電阻值彼此相等的電阻器。
可是，上述各電子元件也可以是充分充電時(shí)的直流電阻值為47KΩ以上的電容器。這時(shí)，如果電容器沒有充電電荷，直流電阻幾乎為零，但若完全充電，直流電阻幾乎為無(wú)限大。因此，電鍍焊錫層時(shí)，可認(rèn)為電容器具有大的直流電阻，是在本發(fā)明的實(shí)用范圍內(nèi)。
或者各電子元件也可以是反向直流電阻為47KΩ以上的二極管。在二極管的情況下，正向直流電阻幾乎為零，而反向直流電阻幾乎為無(wú)限大。因此，電鍍焊錫層時(shí)，可認(rèn)為二極管具有大的直流電阻，所以是在本發(fā)明的實(shí)用范圍內(nèi)。作為二極管的具體例有無(wú)引線二極管。
附圖的簡(jiǎn)單說明

圖1是本發(fā)明的片式復(fù)合電子零件的俯視圖。
圖2是該復(fù)合電子零件的等效電路圖。
圖3A是該復(fù)合電子零件中的公用端子部的剖面圖。
圖3B是該復(fù)合電子零件中的獨(dú)立電極的剖面圖。
圖4A及4B是該復(fù)合電子零件中的公用端子部在焊接前后的剖面圖。
圖5是本發(fā)明的片式復(fù)合電子零件制造用的電鍍用滾筒裝置的簡(jiǎn)略剖面圖。
圖6是該電鍍滾筒裝置的簡(jiǎn)略外觀斜視圖。
圖7是本發(fā)明的片式復(fù)合電子零件的公用端子部的焊錫層厚度和獨(dú)立電極的焊錫層厚度之比同現(xiàn)有的片式復(fù)合電子零件對(duì)比用的表。
實(shí)施本發(fā)明用的最佳形態(tài)以下參照附圖具體地說明本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例。圖1中，在基板1的表面上形成了公用電極2、多個(gè)獨(dú)立電極3a～3h、以及多個(gè)電阻膜4a～4e?；?由陶瓷等絕緣材料構(gòu)成，例如可大致呈長(zhǎng)方形。但基板1的形狀不限定。
公用電極2具有帶狀本體部5、位于該帶狀本體部5的兩端的公用端子部6a、6b。公用電極2的帶狀本體部5位于基板1的橫向中央部位，同時(shí)沿基板1的縱向一直延伸到其兩端附近。公用電極2的一個(gè)公用端子部6a(以下稱“第1公用端子部”)重疊地形成在帶狀本體部5上，且越過基板1的一側(cè)縱向邊緣部(以下稱“第1縱向邊緣部”)而延伸到背面(參照?qǐng)D4A)。公用電極2的另一個(gè)公用端子部6b(以下稱“第2公用端子部”)與帶狀本體部5一體形成，且從帶狀本體部5越過基板1的另一側(cè)縱向邊緣部(以下稱“第2縱向邊緣部”)而延伸到背面(圖中未示出，但與圖4A所示的第1公用端子部6a相同)。
多個(gè)獨(dú)立電極3a～3h分成配置在基板1的第1縱向邊緣部附近的第1組獨(dú)立電極3a～3d，以及配置在基板1的第2縱向邊緣部附近的第2組獨(dú)立電極3e～3h。第1組獨(dú)立電極3a～3d沿基板1的縱向以一定間隔與第1公用端子部6a平行配置，且越過基板1的第1縱向邊緣部延伸到背面(圖中未示出，但與圖4A所示的第1公用端子部6a相同)。同樣，第2組獨(dú)立電極3e～3h也沿基板1的縱向以一定間隔與第2公用端子部6b平行配置，且越過基板1的第2縱向邊緣部延伸到背面(圖中未示出，但與圖4A所示的第1公用端子部6a相同)。
第1組中的獨(dú)立電極3a相對(duì)于公用電極2的第2公用端子部6b沿基板2的橫切方向定位配置。同樣，第2組的獨(dú)立電極3h相對(duì)于公用電極2的第1公用端子部6a排列配置。另外，第1組中的獨(dú)立電極3b～3d相對(duì)于第2組的獨(dú)立電極3e～3g分別定位配置。
電阻膜4a與公用電極2的帶狀本體部5和第1組中的獨(dú)立電極3a重疊形成。同樣，電阻膜4e與公用電極2的帶狀本體部5和第2組中的獨(dú)立電極3h重疊形成。另外，電阻膜4b、4c、4d分別與第1組中的獨(dú)立電極3b、3c、3d和第2組中的獨(dú)立電極3e、3f、3g重疊、且在中央重疊在公用電極2的帶狀本體部5上形成。
圖2表示上述片式復(fù)合電子零件的等效電路。該等效電路具有多個(gè)電阻器R1～R8、以及多個(gè)端子11a～11j。電阻器R1～R4的一端連接在端子11a～11d上，電阻器R5～R8的一端連接在端子11g～11j上。電阻器R1～R8的另一端連接在端子11e～11f上。端子11a～11d分別由第1組中的獨(dú)立電極3a～3d構(gòu)成，端子11e～11h分別由第2組中的獨(dú)立電極3e～3h構(gòu)成。另外，端子11e由公用電極2的第1公用端子部6a構(gòu)成，端子11f第2公用端子部6b構(gòu)成。電阻器R1及R8分別由電阻膜4a及4e構(gòu)成，電阻器R2～R7由被公用電極2的帶狀本體部5分開的電阻膜4b～4d構(gòu)成。在圖示的實(shí)施例中，電阻器R1～R8的電阻值分別為100KΩ。
如圖3A所示，公用電極2的第1公用端子部6a由在基板1上形成的由銀-鈀合金構(gòu)成的厚膜層13a、在厚膜層13a上電鍍的鎳層14a、在鎳層14a上電鍍的焊錫層15a(錫-鉛合金)構(gòu)成。第2公用端子部6b也具有同樣的結(jié)構(gòu)。但公用電極2的帶狀本體部只由銀-鈀合金構(gòu)成的厚膜層(與圖3A中的厚膜層13a相同)構(gòu)成。
如圖3B所示，上述獨(dú)立電極3a由在基板1上形成的由銀-鈀合金構(gòu)成的厚膜層13ba、在厚膜層13b上電鍍的鎳層14b、在鎳層14b上電鍍的焊錫層15b(錫-鉛合金)構(gòu)成。其它獨(dú)立電極3b～3h也具有同樣的結(jié)構(gòu)。
在圖示的實(shí)施例中，各公用端子部6a、6b的焊錫層15a的厚度t1是各獨(dú)立電極3a～3h的焊錫層15b的厚度t2的2.68倍。另外，各公用端子部6a、6b的鎳層14a的厚度t3是各獨(dú)立電極3a～3h的鎳層14b的厚度t4的2.93倍。
如圖1中的假想線所示，各獨(dú)立電極3a～3h及各公用端子部6a、6b與公用電極2的帶狀本體部5一起用由絕緣體構(gòu)成的保護(hù)層7局部地覆蓋著。因此，與公用電極2的帶狀本體部5同樣，各獨(dú)立電極3a～3h和各公用端子部6a、6b用保護(hù)層7覆蓋著的部分不電鍍鎳及焊錫，只形成厚膜層13a、13b。圖3A及圖3B表示第1公用端子部6a及獨(dú)立電極3a未用保護(hù)層7覆蓋的部分的斷面。
這樣，各公用端子部6a、6b的焊錫層15a的厚度t1是各獨(dú)立電極3a～3h的焊錫層15b的厚度t2的2.68倍，比較小，與現(xiàn)有的片式復(fù)合電子零件的情況相比較，要小一半左右。因此，將片式復(fù)合電子零件焊接到另一基板上時(shí)，各公用端子部6a、6b上的焊錫表面不會(huì)出現(xiàn)由氣泡造成的大的凹凸。
更具體地說，如圖4A及4B所示，將基板1的例如第1公用端子部6a置于另一基板16的焊接區(qū)17上，例如用焊膏18焊接時(shí)，第1公用端子部6a的焊錫層15a熔融而與焊膏18成為一體。這時(shí)，焊錫層15a中吸留的氫變成氫氣。該氫氣在焊膏18呈熔融狀態(tài)時(shí)便逃逸到外部。因此，如果焊錫層15a的厚度大，在焊錫層15a的下部產(chǎn)生的氫氣在焊膏18固化之前跑不出來，而變成氣泡殘留在焊膏18內(nèi)。由于存在該氣泡，在現(xiàn)有的片式復(fù)合電子零件的焊膏18的表面即公用端子部6a上的焊錫表面上出現(xiàn)了大的凹凸。
與此不同，在本實(shí)施例中，焊錫層15a的厚度比現(xiàn)有的設(shè)定得小，所以產(chǎn)生的氫氣在焊膏18固化之前已經(jīng)跑光。其結(jié)果是不會(huì)由于殘留氣泡而使焊膏18的表面即公用端子部6a上的焊錫表面上出現(xiàn)大的凹凸。
這樣，由于能避免在公用端子部6a上形成凹凸，所以例如不會(huì)由于焊膏18的表面(公用端子部6a的焊錫表面)上的光反射而在自動(dòng)檢測(cè)片式復(fù)合電子零件的有無(wú)、位置、狀態(tài)等時(shí)成為誤檢測(cè)原因。另外，鎳層14a的厚度t3是鎳層14b的厚度t4的2.93倍，比較小(與現(xiàn)有的片式復(fù)合電子零件的情況相比較，為其3/4左右)，不會(huì)發(fā)生由于焊接后的溫度變化，使鎳層14a受熱應(yīng)力作用而變形，厚膜層13a向上隆起而被破壞的情況。
本實(shí)施例的片式復(fù)合電子零件的鎳層14a、14b和焊錫層15a、15b是用如圖5及圖6簡(jiǎn)略地示出的電鍍用滾筒裝置經(jīng)過電鍍處理而方便地形成的。該電鍍用滾筒裝置在電鍍用滾筒本體21內(nèi)部設(shè)有例如5個(gè)攪拌板22a～22e。這些攪拌板22a～22e相對(duì)于與通過電鍍用滾筒本體21的旋轉(zhuǎn)中心和攪拌板22a～22e的中心的直線正交的直線傾斜一規(guī)定角度。
具體地說，如圖5所示，例如攪拌板22a相對(duì)于與通過電鍍用滾筒本體21的旋轉(zhuǎn)中心a和例如攪拌板22a的中心b的直線c正交的直線d傾斜角度θ。其它攪拌板22b～22e同樣也傾斜該角度θ。另外，在滾筒本體21上形成許多孔(圖中未示出)，使電鍍液能進(jìn)入滾筒本體21內(nèi)。
進(jìn)行電鍍處理時(shí)，將許多片式復(fù)合電子零件同鋼丸或陶瓷球一起投入電鍍用滾筒本體21中，且將滾筒本體21浸漬在電鍍液(鍍鎳用的電鍍液或鍍焊錫用的電鍍液)中。在該狀態(tài)下，使?jié)L筒本體21沿圖5中箭頭A所示的方向旋轉(zhuǎn)，由于重力作用而積留在電鍍用滾筒本體21下部的片式復(fù)合電子零件與鋼丸或陶瓷球一起被攪拌板22a～22e帶上去，得以充分?jǐn)嚢?，所以片式?fù)合電子零件、鋼丸及陶瓷球不分離成層狀。
其結(jié)果是電鍍用滾筒本體21內(nèi)的多個(gè)片式復(fù)合電子零件的鎳層14a、14b或焊錫層15a、15b的形成速度在不同個(gè)體之間幾乎沒有差別。即，形成速度比較慢的片式復(fù)合電子零件的鎳層14a、14b或焊錫層15a、15b的厚度即使達(dá)到規(guī)定的大小，也不會(huì)發(fā)生形成速度比較快的片式復(fù)合電子零件的鎳層14a、14b或焊錫層15a、15b的厚度過大的情況。
在對(duì)各片式復(fù)合電子零件試驗(yàn)時(shí)，連接在電阻值大的電阻膜4a～4e上的獨(dú)立電極3a～3h的鎳層14b或焊錫層15b難以形成?？墒?，利用滾筒本體21中的攪拌板22a～22e的攪拌作用，即便使獨(dú)立電極3a～3h的鎳層14b或焊錫層15b的厚度達(dá)到規(guī)定的大小，電阻值極小的公用電極2的鎳層14a或焊錫層15a的厚度也不會(huì)異常地大。
為了進(jìn)行比較，使用圖5及6所示的電鍍用滾筒裝置和沒有攪拌板的另一電鍍用滾筒裝置，分別對(duì)多個(gè)片式復(fù)合電子零件電鍍了鎳層14a、14b或焊錫層15a、15b。然后，將公用電極2的鎳層14a的厚度的平均值除以各獨(dú)立電極3a～3h的鎳層14b的厚度的平均值，算出了比值。同樣，將公用電極2的焊錫層15a的厚度的平均值除以各獨(dú)立電極3a～3h的焊錫層15b的厚度的平均值，算出了比值。上述的比較是分別對(duì)具有10KΩ、47KΩ、及100KΩ不同電阻值的電阻膜4a～4e進(jìn)行的。其結(jié)果示于圖7。
從圖7可知，如果使用備有攪拌板22a～22e的電鍍用滾筒裝置，則對(duì)于焊錫層來說，電阻器R1～R8(圖2)的電阻值為10KΩ時(shí)，上述比值為2.33，47KΩ時(shí)，為2.37，100KΩ時(shí)，為2.68。另外，對(duì)于鎳層來說電阻器R1～R8的電阻值為10KΩ時(shí)，上述比值為2.35，47KΩ時(shí)，為3.20，100KΩ時(shí)，為2.93。與此不同，如果使用不備有攪拌板的電鍍用滾筒裝置時(shí)，若電阻器R1～R8的電阻值在47KΩ以上，則對(duì)應(yīng)于連接在電阻器R1～R8上的獨(dú)立電極3a～3h的焊錫層15b的厚度，公用電極2的焊錫層15a的厚度有不適當(dāng)?shù)刈兇蟮膬A向，同樣的情況也出現(xiàn)在鎳層14a、14b上。
這樣，通過使用備有攪拌板22a～22e的電鍍用滾筒裝置，能以高的合格率獲得電阻器R1～R8的電阻值在47KΩ以上且公用電極2的焊錫層15a的厚度在獨(dú)立電極3a～3h的焊錫層15b的厚度的2.9倍以內(nèi)的片式復(fù)合電子零件。另外，能以高的合格率獲得電阻器R1～R8的電阻值在47KΩ以上且公用電極2的鎳層14a的厚度在獨(dú)立電極3a～3h的鎳層14b的厚度的3.2倍以內(nèi)的片式復(fù)合電子零件。
在上述實(shí)施例中，安裝在獨(dú)立電極3a～3h和公用電極2之間的各元件是由電阻膜4a～4e構(gòu)成的電阻值彼此相等的電阻器R1～R8。但電阻器R1～R8的電阻值也可以彼此不相等，只要最小的電阻值在47KΩ以上即可。
另外，安裝在獨(dú)立電極3a～3h和公用電極2之間的各元件可以是在充分充電時(shí)的直流電阻為47KΩ以上的電容器或反向直流電阻為47KΩ以上的二極管。在電容器或二極管的情況下，直流電阻不一定經(jīng)常在47KΩ以上，但隨著充電狀態(tài)和極性的不同，直流電阻會(huì)變成47KΩ以上的高電阻。因此，公用電極2和獨(dú)立電極3a～3h上的電鍍層的厚度產(chǎn)生厚度差。通過使用備有攪拌板22a～22e的上述電鍍用滾筒裝置，電鍍鎳層14a、14b及焊錫層15a、15b，上述厚度差能變小。
權(quán)利要求
1.一種片式復(fù)合電子零件，它具有絕緣基板、在該基板上形成的公用電極、離開該公用電極一定間隔在上述基板上形成的多個(gè)獨(dú)立電極、以及安裝在各獨(dú)立電極和上述公用電極之間的多個(gè)電子元件，上述公用電極及獨(dú)立電極分別具有電鍍的焊錫層作為最外層，該片式復(fù)合電子零件的特征在于上述各電子元件的直流電阻在47KΩ以上，上述公用電極的焊錫層厚度在上述各獨(dú)立電極的焊錫層厚度的2.9倍以下。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的片式復(fù)合電子零件，其特征在于上述電子元件是電阻器。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的片式復(fù)合電子零件，其特征在于上述全部電阻器的電阻值設(shè)定得彼此相等。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的片式復(fù)合電子零件，其特征在于上述各電子元件是充分充電時(shí)直流電阻在47KΩ以上的電容器。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的片式復(fù)合電子零件，其特征在于上述各電子元件是充分充電時(shí)反向直流電阻在47KΩ以上的二極管。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的片式復(fù)合電子零件，其特征在于上述公用電極及獨(dú)立電極分別具有電鍍的鎳層，上述公用電極的鎳層厚度在上述各獨(dú)立電極的鎳層厚度的3.2倍以下。
7.一種片式復(fù)合電子零件，它具有絕緣基板、在該基板上形成的公用電極、離開該公用電極一定間隔在上述基板上形成的多個(gè)獨(dú)立電極、以及安裝在各獨(dú)立電極和上述公用電極之間的多個(gè)電子元件，上述公用電極及獨(dú)立電極分別具有電鍍的鎳層，該片式復(fù)合電子零件的特征在于上述各電子元件的直流電阻在47KΩ以上，上述公用電極的鎳層厚度在上述各獨(dú)立電極的鎳層厚度的3.2倍以下。
全文摘要
本發(fā)明的片式復(fù)合電子零件具有絕緣基板(1)、在該基板(1)上形成的公用電極(2)、離開該公用電極(2)一定間隔在上述基板(1)上形成的多個(gè)獨(dú)立電極(3a～3h)、以及安裝在各獨(dú)立電極(3a～3h)和公用電極(2)之間的多個(gè)電子元件(4a～4e)。公用電極(2)及獨(dú)立電極(3a～3h)分別具有電鍍的焊錫層作為最外層。各電子元件(4a～4e)的直流電阻在47KΩ以上，公用電極(2)的焊錫層厚度在上述各獨(dú)立電極(3a～3h)的焊錫層厚度的2.9倍以下。
文檔編號(hào)H01C1/14GK1145685SQ9619002
公開日1997年3月19日 申請(qǐng)日期1996年1月4日 優(yōu)先權(quán)日1995年1月6日
發(fā)明者土井真人, 井上博利, 滿野清司 申請(qǐng)人:羅姆股份有限公司