專利名稱：高溫超導(dǎo)體Bi(2223)/Ag帶材的聯(lián)接方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明屬于高溫超導(dǎo)材料的聯(lián)接技術(shù)。
高溫超導(dǎo)體Bi(2223)/Ag帶材是用粉末充管法，先將預(yù)燒過的Bi(2223)熟粉充入銀套管，再經(jīng)拉拔、滾壓、熱處理過程制備而成。所以Bi(2223)/Ag帶材是由Bi(2223)相超導(dǎo)體及其外部的銀套管復(fù)合而成。聯(lián)接兩條Bi(2223)/Ag帶材，需使兩條帶中的Bi(2223)相超導(dǎo)體結(jié)合，同時還需使兩條帶上的銀套管密封結(jié)合。目前采用的聯(lián)接法有化學(xué)刻蝕、機(jī)械剝離等，但各種方法對兩條帶材作壓接和熱處理時，都不能避免由于聯(lián)接處的銀層被擠入超導(dǎo)體而造成的聯(lián)接處超導(dǎo)體橫截面積的減小，因而都將導(dǎo)致帶材臨界電流值在該處的下降。一般情況，這種下降在30％左右。
有鑒于此，本發(fā)明的目的是提出一種高溫超導(dǎo)體Bi(2223)/Ag帶材的聯(lián)接方法，用該方法可實現(xiàn)高溫超導(dǎo)體Bi(2223)/Ag帶材無臨界電流衰減的聯(lián)接。
本發(fā)明的技術(shù)解決方案結(jié)合附圖加以說明。


圖1至圖4是聯(lián)接兩帶材的工藝過程示意圖，圖中1為銀層，2為超導(dǎo)體，3為銀箔。
圖5是現(xiàn)有技術(shù)聯(lián)接的兩帶材聯(lián)接處的金相照片。
圖6是用本發(fā)明聯(lián)接的兩帶材聯(lián)接處的金相照片。
參照圖1至圖4，本發(fā)明具體步驟包括(1)分別將兩條帶材的一端待聯(lián)接部位用刀片和攝子去掉一塊同長度、同寬度的銀層，去掉銀層的待聯(lián)接端如圖1所示；(2)將兩條帶材去掉銀層的部位對齊迭合，并用壓機(jī)對整個迭合部分加壓，以使迭合部分不松動(見圖2)，通常，所加壓力不小于100psi(psi代表磅/英寸)；(3)用銀箔將聯(lián)接部分包裹起來(見圖3)，一般取銀箔長度略大于聯(lián)接部分長度，寬度略大于帶材寬度兩倍，厚度為0.015～0.025mm；(4)對包裹好的聯(lián)接部分進(jìn)行先常溫冷壓后熱處理過程，其中冷壓壓力至少1000psi優(yōu)選壓力為1500psi，熱處理溫度為830℃～850℃，熱處理時間為90～200小時，優(yōu)選時間為150小時。聯(lián)接成的帶材如圖4所示，在熱處理過程中，包裹用銀箔與Bi(2223)/Ag帶材上的銀套管完全結(jié)合成一體。至此，兩條Bi(2223)/Ag帶材無臨界電流衰減的聯(lián)接已完成。
比較圖5和圖6帶材聯(lián)接處的金相照片，用現(xiàn)有技術(shù)聯(lián)接兩帶材，在聯(lián)接處有銀層被擠入超導(dǎo)體(圖5)，而應(yīng)用本發(fā)明提供的聯(lián)接法，在帶材聯(lián)接處沒有銀層被擠入超導(dǎo)體內(nèi)而導(dǎo)致橫截面積減少(圖6)故不會造成聯(lián)接處臨界電流衰減。
權(quán)利要求
1.高溫超導(dǎo)體Bi(2223)/Ag帶材的聯(lián)接方法，其特征在于它包括以下步驟(1)分別將兩條帶材的一端待聯(lián)接部位去掉一塊同長度、同寬度的銀層；(2)將兩條帶材去掉銀層的部位對齊迭合，并用壓機(jī)對整個迭合部分加壓，使其不松動；(3)用銀箔將聯(lián)接部分包裹起來；(4)對包裹好的聯(lián)接部位進(jìn)行先常溫冷壓后熱處理過程，其中冷壓壓力至少1000psi，熱處理溫度為830℃～850℃，熱處理時間為90～200小時。
2.按權(quán)利要求1所述的帶材聯(lián)接法，其特征在于包裹用銀箔的長度略大于聯(lián)接部分長度，寬度略大于帶材寬度兩倍，厚度為0.015～0.025mm。
3.按權(quán)利要求1所述的帶材聯(lián)接法，其特征在于對包裹好的聯(lián)接部位進(jìn)行常溫冷壓的壓力為1500psi。
4.按權(quán)利要求1，3所述的帶村聯(lián)接法，其特征在于熱處理時間為150小時。
全文摘要
本發(fā)明涉及高溫超導(dǎo)體Bi(2223)/Ag帶材的聯(lián)接技術(shù)。其工藝步驟是首先分別將兩條帶材的一端待聯(lián)接部位去掉同樣大小的銀層，然后將兩條帶材去掉銀層的部位對齊迭合并加壓，再用銀箔將聯(lián)接部分包裹起來進(jìn)行常溫冷壓和熱處理完成兩帶材相聯(lián)的。應(yīng)用本發(fā)明方法聯(lián)接超導(dǎo)體Bi(2223)/Ag帶材，由于在帶材聯(lián)接處不會發(fā)生將銀層擠入超導(dǎo)體內(nèi)而導(dǎo)致橫截面積減小，故不會造成帶材聯(lián)接處臨界電流衰減。
文檔編號H01B12/00GK1127411SQ9511571
公開日1996年7月24日 申請日期1995年9月7日 優(yōu)先權(quán)日1995年9月7日
發(fā)明者沙健 申請人:浙江大學(xué)