專利名稱:基板搬送裝置、基板搬送方法和計(jì)算機(jī)程序的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及利用空氣等氣體使基板浮起以進(jìn)行搬送的基板搬送裝置、基板搬送方法以及用于實(shí)施該方法的計(jì)算機(jī)程序。
背景技術(shù)：
作為半導(dǎo)體制造工序中的基板的搬送機(jī)構(gòu)，搬送臂是主流，但是需要使搬送臂進(jìn)退的機(jī)構(gòu)和用于沿搬送路徑進(jìn)行搬送的機(jī)構(gòu)等。如果基板尺寸大型化，則這些機(jī)構(gòu)也大型化，例如，如果半導(dǎo)體晶片的尺寸達(dá)到12英寸或16英寸，則這些機(jī)構(gòu)的驅(qū)動(dòng)部也會(huì)達(dá)到相當(dāng)大的規(guī)模，為了抑制由該驅(qū)動(dòng)部的磨損而產(chǎn)生的顆粒附著在基板上，需要在形成專用的排氣流等發(fā)塵對策方面想辦法。另一方面，因?yàn)榘雽?dǎo)體制造裝置也隨著基板的大型化而變得大型化，所以盡可能實(shí)現(xiàn)結(jié)構(gòu)的簡化的要求變得強(qiáng)烈。
如果從這樣的觀點(diǎn)考慮，則作為基板的搬送機(jī)構(gòu)，利用氣體使基板浮起以進(jìn)行搬送的方法，因?yàn)槟軌蚴寡b置薄型化，所以是好方法。例如，在專利文獻(xiàn)1中記載有使用這樣的方法的搬送機(jī)構(gòu)，對于該搬送機(jī)構(gòu)，下面，參照作為其俯視圖的圖19(a)以及作為其縱截側(cè)視圖的圖19(b)簡單地進(jìn)行說明。圖中11是形成基板的搬送路徑的扁平結(jié)構(gòu)體，圖中12是構(gòu)成該扁平結(jié)構(gòu)體的上面部的上面板。在整個(gè)該上面板12上，以隔開間隔、相對于板的厚度方向傾斜地貫穿該上面板12的表里的方式，穿設(shè)有多個(gè)氣體吐出孔13，如圖19(c)所示，各氣體吐出孔13形成為從搬送路徑的一端側(cè)(圖中左側(cè))朝向另一端側(cè)(圖中右側(cè))向斜上方吐出氣體。另外，在上面板12的下部設(shè)置有蓋14，由上面板12和蓋14圍成的空間成為閉塞空間15。圖中16是與上述閉塞空間15連通、用于向閉塞空間15供給氣體的氣體供給管，該氣體供給管16的另一端與用于向上述空間15壓送例如空氣的不圖示的氣體供給源連接。
在這樣的基板搬送機(jī)構(gòu)中，在將例如作為基板的晶片W載置在搬送路徑的一端側(cè)的狀態(tài)下，從上述氣體供給源經(jīng)由氣體供給管16向上述閉塞空間15壓送空氣時(shí)，如圖19(c)中的箭頭所示，從各氣體吐出孔13向上面板12上吐出該空氣。于是，被吐出的空氣與晶片W的下面接觸時(shí)，該空氣向上推晶片W、使之從上面板12上浮起，從搬送路徑的一端側(cè)向另一端側(cè)在晶片W的下面流動(dòng)，浮起的晶片W從朝向該搬送路徑的另一端側(cè)的空氣得到推進(jìn)力，由此被向搬送路徑的另一端側(cè)搬送。
但是，浮起的晶片W由于不受摩擦力的作用，所以處于不穩(wěn)定的狀態(tài)，易于由于很小的力的作用而在移動(dòng)中在左右方向上產(chǎn)生位置偏移。為了防止這樣的位置偏移，需要在上述上面板12上精密地穿設(shè)各氣體吐出孔13。但是，通常，這樣相對于板的厚度方向傾斜地穿設(shè)多個(gè)孔，在技術(shù)上是困難的，因此，有可能由于搬送晶片W用的氣流紊亂而在晶片W的搬送中產(chǎn)生不利情況、或該搬送裝置的制造成本升高。
另外，就搬送晶片W用的空氣來說，有必要使用潔凈度高的空氣，以不影響搬送后的晶片W的處理，但是由于隨著搬送路徑的長度變長，這樣的空氣的消耗量變多，所以有成本升高的問題。
因?yàn)橛羞@些問題，所以雖然利用空氣搬送該基板的方法已廣為所知，但是據(jù)認(rèn)為卻是難于在現(xiàn)實(shí)中采用的結(jié)構(gòu)。
例如，在對基板進(jìn)行抗蝕劑的涂敷和顯影的涂敷、顯影裝置中，由于處理單元的數(shù)量多，所以，也研究了例如在疊層處理塊的同時(shí)、為了運(yùn)用的方便而在配置有處理單元的處理塊內(nèi)進(jìn)行直通搬送，這樣在長距離上進(jìn)行搬送的情況下，氣體浮起型的搬送機(jī)構(gòu)為薄型，所以被認(rèn)為是有利的，但是由于有上述問題，所以阻礙了其應(yīng)用。
專利文獻(xiàn)1
日本特開昭57-128940號(hào)公報(bào)第二頁左下欄第12行～17行
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明鑒于上述情況而做出，其目的在于提供能夠以低成本制造、而且能夠抑制用于搬送基板的氣體的消耗量的氣體浮起型的基板搬送裝置、基板搬送方法以及用于實(shí)施該方法的計(jì)算機(jī)程序。
本發(fā)明的基板搬送裝置，其特征在于，包括形成基板的搬送路徑的搬送路徑部件；在該搬送路徑部件的上面、沿搬送路徑形成的排氣槽；氣流形成槽，該氣流形成槽在上述搬送路徑部件的上面左右相互成對，該對沿搬送路徑設(shè)置有多個(gè)，各自隨著朝向基板的搬送方向而接近排氣槽，其一端與該排氣槽合流；和氣體吐出孔，在該氣流形成槽的另一端側(cè)穿孔而形成，用于形成向基板提供浮力、并且從氣流形成槽的另一端向一端的搬送基板用的氣流。
另外，本發(fā)明的另一方面的基板搬送裝置，其特征在于，包括形成基板的搬送路徑的搬送路徑部件；在該搬送路徑部件上、沿搬送路徑形成，吐出基板浮起用的氣體的氣體吐出孔；和氣體吐出部，該氣體吐出部具有供給氣流形成用的氣體的氣體吐出孔，為了從俯角方向向已浮起的基板供給氣體、在搬送路徑上形成朝向基板的搬送方向的氣流以搬送基板而設(shè)置在搬送路徑的上方。這些搬送裝置例如還可以包括用于獨(dú)立進(jìn)行來自氣體吐出孔的氣體的吐出和停止的開閉單元，該氣體吐出孔與沿搬送方向?qū)⒒宓陌崴吐窂椒指顬槎鄠€(gè)而形成的各分割區(qū)域的每個(gè)分別對應(yīng)；檢測基板在搬送路徑上的搬送方向的位置的位置檢測單元；和基于該位置檢測單元的檢測結(jié)果，通過開閉單元、控制各分割區(qū)域的氣體的吐出和停止的控制部。
再者，本發(fā)明的另一方面的基板搬送裝置，其特征在于，包括以沿基板的搬送方向延伸的方式形成基板的搬送路徑的搬送路徑部件；在該搬送路徑部件上、沿搬送路徑形成，吐出基板浮起用的氣體的氣體吐出孔；形成用于將已浮起的基板沿搬送路徑進(jìn)行搬送的氣流的氣流形成用的氣體吐出孔；用于獨(dú)立進(jìn)行從各氣體吐出孔向?qū)⒒宓陌崴吐窂窖匕崴头较蚍指顬槎鄠€(gè)而形成的各分割區(qū)域的每個(gè)吐出氣體或停止吐出氣體的開閉單元；檢測基板在搬送路徑上的搬送方向的位置的位置檢測單元；和基于該位置檢測單元的檢測結(jié)果，通過開閉單元、控制各分割區(qū)域的氣體的吐出和停止的控制部。
上述位置檢測單元例如設(shè)置在各個(gè)上述分割區(qū)域中，是檢測有無基板的基板檢測傳感器。另外，上述基板搬送裝置也可以包括檢測來自搬送路徑的基板的高度的高度檢測單元；和基于該高度檢測單元的檢測結(jié)果、判定基板是否位于預(yù)先設(shè)定的高度的單元。
本發(fā)明的基板搬送方法，其特征在于，包括使基板位于形成基板的搬送路徑的搬送路徑部件上的工序；從在氣流形成槽的另一端側(cè)穿孔而形成的氣體吐出孔吐出氣體、向基板提供浮力的工序，該氣流形成槽在搬送路徑部件的上面左右相互成對，它們的一端各自隨著朝向基板的搬送方向而與沿搬送路徑設(shè)置在搬送路徑部件上的排氣槽接近、并且與該排氣槽合流，該氣流形成槽沿搬送路徑設(shè)置有多個(gè)；和形成從氣流形成槽的另一端朝向一端、用于搬送基板的氣流的工序。
本發(fā)明的另一方面的基板搬送方法，其特征在于，包括從在形成基板的搬送路徑的搬送路徑部件中、沿搬送路徑形成的氣體吐出孔吐出基板浮起用的氣體的工序；和從設(shè)置在搬送路徑上方的氣體吐出部，從俯角方向向已浮起的基板供給氣體，形成朝向基板的搬送方向的氣流的工序。
另外，本發(fā)明的另一方面的基板搬送方法，其特征在于，包括從基板浮起用的氣體吐出孔吐出氣體的工序，該基板浮起用的氣體吐出孔在沿基板的搬送方向延伸的搬送路徑部件上、沿搬送路徑形成；從用于沿搬送路徑搬送已浮起的基板的氣流形成用的氣體吐出孔吐出氣體的工序；利用開閉單元，獨(dú)立進(jìn)行從各氣體吐出孔向?qū)⒒宓陌崴吐窂窖匕崴头较蚍指顬槎鄠€(gè)而形成的各分割區(qū)域的每個(gè)吐出氣體、或停止吐出氣體的工序；利用位置檢測單元，檢測基板在搬送路徑上的搬送方向的位置的工序；和利用控制部，基于該位置檢測單元的檢測結(jié)果，通過開閉單元控制各分割區(qū)域的氣體的吐出和停止的工序。
上述基板搬送方法例如包括檢測基板在搬送路徑上的搬送方向的位置的工序；和基于上述工序的檢測結(jié)果，對將基板的搬送路徑在搬送方向上分割為多個(gè)而形成的各分割區(qū)域的氣體的吐出和停止進(jìn)行控制的工序。另外，例如包括檢測來自搬送路徑的基板的高度的工序；和基于基板高度的檢測結(jié)果，判定基板是否位于預(yù)先設(shè)定的高度的工序。此外，這些基板的搬送例如利用在使基板從搬送路徑部件上浮起的狀態(tài)下沿搬送路徑搬送基板的基板搬送裝置來實(shí)施，該基板搬送裝置具備包含用于實(shí)施這樣的基板搬送的步驟組的計(jì)算機(jī)程序。
根據(jù)本發(fā)明的基板搬送裝置，在搬送路徑部件上，沿搬送路徑形成排氣槽，并且沿搬送路徑形成多個(gè)傾斜朝向基板的行進(jìn)方向的左右成一對的氣流形成槽、并將其下游端(一端)與排氣槽連接，在氣流形成槽的上游端(另一端)形成有氣體吐出孔。所以，來自氣體吐出孔的氣體向基板提供浮力，并且由于壓力梯度、經(jīng)由氣流形成槽流入排氣槽，這樣在氣流形成槽中形成的氣流向基板提供推進(jìn)力，沿搬送路徑搬送基板。因此，氣體吐出孔只要構(gòu)成為向正上方吐出氣體即可，所以，搬送路徑部件的加工作業(yè)容易。
再者，根據(jù)本發(fā)明的另一方面，因?yàn)閺母┙欠较蛳蛞迅∑鸬幕逋鲁鰵怏w、從而向基板提供推進(jìn)力，所以即使設(shè)置傾斜吐出氣體的氣體吐出部，也沒有將其設(shè)置在搬送路徑的上面(浮起的基板的下方側(cè))的情況下的設(shè)置空間的限制，因此，能夠使用噴嘴等突出的部件作為基板推進(jìn)用的氣體吐出部，所以裝置的制造容易。
另外，根據(jù)本發(fā)明的另一方面，沿搬送方向?qū)⒒宓陌崴吐窂椒指顬槎鄠€(gè)，檢測基板在搬送路徑上的搬送方向的位置，基于該檢測結(jié)果，控制各分割區(qū)域的氣體的吐出和停止，因此，能夠抑制氣體的消耗量。
圖1是表示本發(fā)明的基板搬送裝置的實(shí)施方式的立體圖。
圖2是表示上述實(shí)施方式的俯視圖。
圖3是表示上述實(shí)施方式的橫截面圖。
圖4是表示上述實(shí)施方式的縱截面圖。
圖5是表示上述實(shí)施方式的搬送路徑的搬送面的立體圖。
圖6是上述搬送路徑的縱截面圖。
圖7是表示在上述搬送路徑上搬送晶片的狀態(tài)的說明圖。
圖8是表示在上述搬送路徑上形成的氣流形成槽和排氣槽的結(jié)構(gòu)的說明圖。
圖9是表示上述搬送路徑的終端的結(jié)構(gòu)的立體圖。
圖10是表示搬送路徑部件的兩端部的縱截面圖。
圖11是表示對基板的高度進(jìn)行檢測的狀態(tài)的說明圖。
圖12是表示氣體的吐出位置根據(jù)基板的搬送位置而變化的狀態(tài)的說明圖。
圖13是表示本發(fā)明的另一實(shí)施方式的基板的搬送的一個(gè)例子的狀態(tài)的縱截面圖。
圖14是表示上述實(shí)施方式的噴嘴的結(jié)構(gòu)的說明圖。
圖15是表示將本發(fā)明的基板搬送裝置應(yīng)用于涂敷、顯影裝置的實(shí)施方式的平面圖。
圖16是表示上述涂敷、顯影裝置的立體圖。
圖17是表示上述涂敷、顯影裝置的側(cè)部截面圖。
圖18是表示上述涂敷、顯影裝置的DEV層的涂敷單元、架單元、主臂和排氣單元的立體圖。
圖19是表示現(xiàn)有的基板搬送裝置的結(jié)構(gòu)的一個(gè)例子的說明圖。
符號(hào)說明W 半導(dǎo)體晶片2 搬送路徑板22 浮起輔助用氣體吐出孔24 通氣室25 氣體供給管3、4 交接臺(tái)51 排氣槽52 氣流形成槽53 氣體吐出孔71 晶片位置檢測傳感器74、75 晶片高度檢測傳感器S1～S8 分割區(qū)域V1～V10 閥具體實(shí)施方式
圖1～圖4是表示本發(fā)明的實(shí)施方式的基板搬送裝置的圖，圖中2是作為形成基板的搬送路徑的搬送路徑部件的長尺狀的搬送路徑板。該搬送路徑板2水平設(shè)置，其一端側(cè)(圖1中左端側(cè))和另一端側(cè)分別構(gòu)成搬入用的交接臺(tái)3和搬出用的交接臺(tái)4。搬入用的交接臺(tái)3是從外部的馬蹄形的搬送臂20搬入作為基板的半導(dǎo)體晶片W(以下稱為晶片)的部位，突出、沒入自由地設(shè)置有三根升降銷31，使得能夠在搬送臂20和交接臺(tái)3之間交接晶片。另外，對于搬出用的交接臺(tái)4，也同樣突出、沒入自由地設(shè)置有三根升降銷41，構(gòu)成為能夠在未圖示的搬送臂和交接臺(tái)4之間交接晶片。
搬送路徑板2在搬送方向上被分割為多個(gè)，在圖1中，包含交接臺(tái)3、4，被分割為8個(gè)。如果將該被分割的區(qū)域稱為分割區(qū)域，則從搬送路徑板2的一端側(cè)向另一端側(cè)，排列有8個(gè)分割區(qū)域S1～S8(分割區(qū)域S1、S8分別相當(dāng)于交接臺(tái)3、4)。
例如，在搬送路徑板2的分割區(qū)域S1～S7中，沿厚度方向(鉛垂方向)貫通該板2的浮起輔助用氣體吐出孔22，例如在板2的寬度方向上隔開間隔排列有兩個(gè)，如果將這兩個(gè)作為一組，則沿搬送方向隔開間隔排列有多個(gè)這樣的組。各浮起輔助用氣體吐出孔22與后述的氣體吐出孔53一起向正上方吐出空氣，具有使晶片W從搬送路徑板2上浮起的作用。
另外，例如，在分割區(qū)域S1～S7的搬送路徑板2的上面，兩個(gè)排氣槽51沿該搬送路徑板2的搬送方向形成為平行狀，使得在分割區(qū)域S1～S7中，從左右夾住上述浮起輔助用氣體吐出孔22的排列組。再者，在搬送路徑板2的上面的各排氣槽51的兩側(cè)，形成有氣流形成槽52，其隨著朝向晶片W的搬送方向而接近排氣槽51，其一端與排氣槽51合流。而且，在該例子中，該氣流形成槽52相對于板2的中心線左右對稱，成對設(shè)置，該成對設(shè)置的氣流形成槽52、52沿搬送路徑隔開間隔排列。換句話說，形成為氣流形成槽52、52在相對于晶片W的搬送方向傾斜延伸的狀態(tài)下，分別與左右的排氣槽51、51連接的結(jié)構(gòu)。
參照圖5和圖6，說明該氣流形成槽52周邊的結(jié)構(gòu)。圖5是氣流形成槽52的周邊的放大立體圖，圖6是圖5中的I-I箭頭方向截面圖。圖6(a)中h1表示的搬送氣流形成槽的深度是例如0.5mm～1.0mm，在各氣流形成槽52的朝向搬送路徑板2的左右兩端側(cè)的端部的底面上，穿設(shè)有沿厚度方向貫通搬送路徑板2的氣體吐出孔53。另外，為了使如后所述從上述氣體吐出孔53吐出、經(jīng)由氣流形成槽52流入的空氣有效地排出至下游側(cè)，排氣槽51的深度h2被形成為大于氣流形成槽52的深度，例如為1.0mm～2.0mm。
如圖6(a)所示，氣流形成槽52的氣體吐出孔53形成為向正上方吐出空氣。如圖6(b)中箭頭所示，在晶片W位于氣體吐出孔53的上方的情況下，從該氣體吐出孔53吐出的空氣與該晶片W的下面接觸，與從上述浮起輔助用氣體吐出孔22吐出的空氣一起向該晶片W提供浮力，使晶片W從搬送路徑板2上浮起。這樣從氣體吐出孔53吐出從而與晶片W接觸的空氣，利用該氣體吐出孔53周邊的壓力梯度，沿氣流形成槽52流入排氣槽51。浮起的晶片W，由于沿該氣流形成槽52的空氣的流動(dòng)，如圖7所示，受到從交接臺(tái)3側(cè)朝向交接臺(tái)4側(cè)的力，同時(shí)受到從搬送路徑的左右兩側(cè)朝向中心的力，從而以該晶片W的中心沿著搬送路徑的中心的方式向交接臺(tái)4搬送。此外，如圖8所示，在從上面觀察搬送路徑板2的情況下，各氣流形成槽52與排氣槽51所成角θ1為例如30度～60度。另外，氣流形成槽52的寬度11的大小為例如3mm～10mm，排氣槽51的寬度12的大小為7mm～20mm。
為了從交接臺(tái)3向交接臺(tái)4搬送晶片W，空氣從上游側(cè)(交接臺(tái)3側(cè))的氣流形成槽52依次向排氣槽51流動(dòng)，由此在排氣槽51中形成從上游側(cè)向下游側(cè)的排氣流。
接著，參照圖9(a)，對作為搬送路徑的終端部的晶片搬出用的交接臺(tái)4進(jìn)行說明。圖9(a)是表示該晶片交接臺(tái)4上的中央部的立體圖，在該中央部中，在比對應(yīng)于晶片W的外邊緣的位置靠近晶片W的中心的位置，沿以上述中心為中心的圓，在圓周方向上排列有多個(gè)、例如6個(gè)定位用氣體吐出孔61。再者，沿著比上述圓小的同心圓，形成環(huán)狀槽62，同時(shí)，從該環(huán)狀槽62朝向各定位用氣體吐出孔61呈放射狀地在該交接臺(tái)4上形成有用于對晶片W進(jìn)行定位的定位用氣流形成槽63。另外，在環(huán)狀槽62的底面上，例如在各定位用氣流形成槽63的向中央方向的延長線上，設(shè)置有吸引孔64，如圖4所示，在搬送路徑板2的背面，排氣管65的一端與該吸引孔64連接。排氣管65的另一端向后述的通氣室的外部延伸，經(jīng)由閥V9，與例如真空泵等吸引單元66連接。
然后，向搬送路徑的下游側(cè)搬送晶片W，在將晶片W從分割區(qū)域S7搬送至該交接臺(tái)4上時(shí)，例如從氣體吐出孔61吐出空氣。另外，例如，與該空氣的吐出大致同時(shí)，從吸引孔64進(jìn)行吸引排氣，如圖9(b)中的箭頭所示，形成從各氣體吐出孔61通過放射狀的氣流形成槽63朝向各吸引孔64的氣流。被搬送到交接臺(tái)4上的晶片W在利用該氣流在交接臺(tái)4上浮起的狀態(tài)下，被定位在規(guī)定的位置并且靜止。
此外，在該交接臺(tái)4上，也可以分別相反地設(shè)置吸引孔64和氣體吐出孔61。也就是說，也可以構(gòu)成為分別在該定位用氣流形成槽63內(nèi)、朝向交接臺(tái)4外側(cè)的端部設(shè)置吸引孔64，在環(huán)狀槽62內(nèi)設(shè)置氣體吐出孔61，從這些吸引孔64和吐出孔61分別進(jìn)行氣體的吐出和吸引，形成從環(huán)狀槽62朝向上述氣流形成槽63的端部的、在交接臺(tái)4上呈放射狀展開的氣流，利用該氣流將晶片W定位在交接臺(tái)4上。
氣體吐出孔22、53、61構(gòu)成為能夠在每個(gè)分割區(qū)域S1～S8中獨(dú)立地吐出、控制氣體。即，如圖4所示，在搬送路徑板2的下面?zhèn)龋诿總€(gè)分割區(qū)域S1～S8中，利用通氣室形成部件24a形成作為中空區(qū)域的通氣室24，各氣體吐出孔22、53、61的入口側(cè)在該通氣室24上開口。關(guān)于分割區(qū)域S1(S8)，如圖10所示，在通氣室24的與升降銷31(41)的設(shè)置位置對應(yīng)的部位，配置有套筒32(42)，升降銷31(41)能夠從通氣室24的下方，經(jīng)由套筒32(42)內(nèi)以及在交接臺(tái)3(4)中形成的孔進(jìn)行升降。此外，在圖10中，33(43)是經(jīng)由支撐部件34(44)使升降銷31(41)升降的升降機(jī)構(gòu)。此外，搬送路徑板2可以用一體的板構(gòu)成，但是也可以為將構(gòu)成各分割區(qū)域S1～S8的板連結(jié)而形成的結(jié)構(gòu)。
氣體供給管25與各通氣室24連接，在各氣體供給管25上設(shè)置有作為用于進(jìn)行氣體的供給、停止的開閉單元的閥V1～V8。此外，F(xiàn)是除去顆粒用的過濾器。各氣體供給管25的基端側(cè)與共用的配管26連接，經(jīng)由作為流量調(diào)整部的質(zhì)量流量控制器MFC以及閥V10，與作為空氣的供給源的氣體供給源27連接。
另外，在分割區(qū)域S2～S8中，設(shè)置有晶片檢測傳感器71，其由作為構(gòu)成對晶片W的搬送方向的位置進(jìn)行檢測的位置檢測單元的光傳感器的反射型傳感器或者靜電電容傳感器構(gòu)成，在該例子中，其被配置在分割區(qū)域S2～S8的寬度方向中央部、并且被配置在上游端。如圖4所示，各晶片檢測傳感器71與控制部100連接，控制部100包括基于來自這些晶片檢測傳感器71的檢測信號(hào)對晶片W的位置進(jìn)行判斷、并基于該判斷結(jié)果(檢測結(jié)果)對閥V1～V9進(jìn)行控制的例如由軟件構(gòu)成的程序。
例如，該程序?qū)⒉襟E組組合，使得在分割區(qū)域S2～S7中，在一個(gè)分割區(qū)域的晶片檢測傳感器71檢測到晶片W時(shí)，與該分割區(qū)域?qū)?yīng)的閥打開，吐出空氣，在該分割區(qū)域的一個(gè)下游側(cè)的分割區(qū)域的晶片檢測傳感器71檢測不到晶片W時(shí)，與上述的一個(gè)分割區(qū)域?qū)?yīng)的閥關(guān)閉，停止吐出氣體，從而能夠?qū)嵤┖笫龅脑摶灏崴脱b置的作用。所以，例如如果著眼于分割區(qū)域S2，則在設(shè)置在該分割區(qū)域S2的入口的晶片檢測傳感器71接通(on)時(shí)，閥V2打開，在一個(gè)下游側(cè)的分割區(qū)域S3的入口的晶片檢測傳感器71從接通變?yōu)閿嚅_(off)時(shí)，閥V2關(guān)閉。
此外，控制部100包括由例如計(jì)算機(jī)構(gòu)成的程序存儲(chǔ)部，上述程序被存儲(chǔ)在該程序存儲(chǔ)部中，該程序在控制部100中被讀出，控制部100運(yùn)行上述各步驟。此外，該程序在被收納在例如硬盤、光盤、磁光盤和存儲(chǔ)卡等記錄介質(zhì)中的狀態(tài)下，被存儲(chǔ)在程序存儲(chǔ)部中。
另外，就分割區(qū)域S1(搬入用的交接臺(tái)3)來說，例如在升降銷31處于上升位置、即處于載置有晶片W的狀態(tài)，并且在搬出用的交接臺(tái)4上不存在晶片W時(shí)，例如在該交接臺(tái)4的升降銷41處于下降位置時(shí)，閥V1打開，從氣體吐出孔22、53吐出氣體，在分割區(qū)域S2的入口的晶片檢測傳感器71從接通變?yōu)閿嚅_時(shí)，閥V1關(guān)閉，停止吐出空氣。再者，就分割區(qū)域S8(搬出用的交接臺(tái)4)來說，在該分割區(qū)域S8的入口的晶片檢測傳感器71變?yōu)榻油〞r(shí)，閥V8、V9打開，從氣體吐出孔61吐出空氣，同時(shí)從吸引孔64進(jìn)行吸引排氣，在氣流形成槽63內(nèi)形成上述的朝向交接臺(tái)4的中央的氣流，在升降銷41處于上升位置時(shí)，關(guān)閉閥V8、V9。上述程序被構(gòu)成為組成上述的順序。
在搬送路徑板2的分割區(qū)域S2～S7中，如圖1以及圖3所示，在兩側(cè)邊緣分別設(shè)置有導(dǎo)向部件72、73(在圖1中，一邊的導(dǎo)向部件73省略)，使得晶片W在軌道向左右偏移時(shí)不會(huì)落下，在這些導(dǎo)向部件72、73上，例如對于每個(gè)分割區(qū)域S2～S7，設(shè)置有用于檢測晶片W的浮起高度的高度檢測單元。在該例子中，如圖11所示，在比晶片W正常浮起時(shí)的高度例如1.0mm低的水平H1和比之高的水平H2上，分別配置有作為具有光軸的透過型的光傳感器的高度檢測傳感器74、75。此外，高度檢測傳感器74(75)的發(fā)光部74a(75a)以及受光部74b(75b)分別設(shè)置在導(dǎo)向部件72、73上。
實(shí)際上，這些光傳感器74或者75被構(gòu)成為以比晶片W的厚度小的間隔在上下方向上排列有多個(gè)，在晶片W位于某一高度區(qū)域時(shí)，能夠檢測到該晶片。
上述受光部74b(75b)的輸出被輸送至控制部100，控制部100具有在檢測到任一個(gè)受光信號(hào)時(shí)、輸出警報(bào)的功能。另外，控制部100也可以形成為具有如下功能的結(jié)構(gòu)進(jìn)行與該受光信號(hào)相應(yīng)的顯示，例如，在由受光部74b檢測到晶片W時(shí)，發(fā)出與浮起力降低相應(yīng)的信號(hào)或者進(jìn)行顯示，另外在由受光部75b檢測到晶片W時(shí)，發(fā)出浮起力過大的信號(hào)或者進(jìn)行顯示。
另外，控制部100具有測量例如從分割區(qū)域S2的晶片檢測傳感器71檢測到晶片W開始到分割區(qū)域S8的晶片檢測傳感器71檢測到晶片W為止所經(jīng)過的時(shí)間的功能，還具有如下功能例如，在即使經(jīng)過了預(yù)先設(shè)定的時(shí)間、分割區(qū)域S8的晶片檢測傳感器71也沒有檢測到晶片W的情況下，輸出在搬送路徑中晶片W的搬送已停止的警報(bào)。
下面，說明上述實(shí)施方式的作用?，F(xiàn)在，如圖1所示，在由搬送臂20從外部保持晶片W、并使其位于搬送路徑板2一端側(cè)的搬入用的交接臺(tái)3的上方時(shí)，升降銷31突出，將搬送臂20上的晶片W舉起并保持，隨后，搬送臂20退避，升降銷31下降，晶片W被載置在交接臺(tái)3上。接著，以在搬送路徑板2的另一端側(cè)的搬出用的交接臺(tái)4上未載置有晶片W為條件，打開閥V1和V10(參照圖4)，從交接臺(tái)3的浮起輔助用氣體吐出孔22和氣體吐出孔53吐出空氣。
這樣從各氣體吐出孔22、53吐出的空氣，與被置于交接臺(tái)3上的晶片W的下面接觸，使該晶片W從搬送路徑板2上浮起。另外，從氣體吐出孔53吐出的空氣與晶片W接觸時(shí)，在氣流形成槽52中向排氣槽51流動(dòng)，因?yàn)槟Σ翆Ω∑鸬木琖不起作用，所以晶片W受到由在該氣流形成槽52中流動(dòng)的氣流產(chǎn)生的力，在搬送路徑板2上開始向下游側(cè)移動(dòng)。在晶片W位于搬入用的交接臺(tái)3上時(shí)，其他的分割區(qū)域S2～S8的閥V2～V8關(guān)閉，不吐出空氣，但是如果晶片W通過分割區(qū)域S2的入口，則由位于那里的晶片檢測傳感器71檢測到晶片W的通過，其結(jié)果，分割區(qū)域S2的閥V2打開，從氣體吐出孔22、53吐出空氣。
這樣，晶片W進(jìn)一步向分割區(qū)域S2的下游側(cè)前進(jìn)。晶片W從搬送路徑板2浮起的高度如上所述為例如1.0mm。此外，圖12是表示晶片W的位置與空氣的吐出的對應(yīng)的圖。現(xiàn)在，晶片W容納在分割區(qū)域S3中，則只在該分割區(qū)域S3中吐出空氣。然后，當(dāng)晶片W前進(jìn)、其一部分到達(dá)分割區(qū)域S4時(shí)，其入口的晶片檢測傳感器71從斷開變?yōu)榻油ǎ谠摲指顓^(qū)域S4中，閥V4也打開，吐出空氣，晶片W利用從分割區(qū)域S3和S4吐出的空氣而成為浮起的狀態(tài)。晶片W進(jìn)一步前進(jìn)，完全通過分割區(qū)域S3，在分割區(qū)域S4的入口的晶片檢測傳感器71從接通變?yōu)閿嚅_時(shí)，分割區(qū)域S3的閥V3關(guān)閉，停止吐出空氣。
這樣，在分割區(qū)域S1～S8中，隨著晶片W的移動(dòng)，只對需要的區(qū)域吐出空氣，一邊利用在上述氣流形成槽52中流動(dòng)的氣流對晶片W進(jìn)行位置限制，使得晶片W的中心與搬送路徑的中心一致，一邊將其向下游側(cè)進(jìn)行搬送，直至搬送至搬出用的交接臺(tái)4。當(dāng)晶片W到達(dá)該交接臺(tái)4的入口、該交接臺(tái)4的晶片檢測傳感器71從斷開變?yōu)榻油〞r(shí)，閥V8打開，空氣從氣體吐出孔61吐出，同時(shí)，閥V9打開，從吸引孔64進(jìn)行吸引排氣，在各定位用氣流形成槽63內(nèi)形成朝向該交接臺(tái)4的中心的氣流。
當(dāng)晶片W進(jìn)一步向交接臺(tái)4的中央部移動(dòng)、上述晶片檢測傳感器71從接通變?yōu)閿嚅_時(shí)，閥V7關(guān)閉，停止從分割區(qū)域S7的氣體吐出孔22、53吐出空氣。在停止從氣體吐出孔53吐出氣體后，晶片W由于慣性而向下游側(cè)移動(dòng)，利用在上述定位用氣流形成槽63中形成的氣流，在交接臺(tái)4的預(yù)定位置上，在利用空氣浮起的狀態(tài)下靜止。
接著，升降銷41舉起該晶片W，關(guān)閉閥V8、V9，停止空氣的吐出和吸引，此后，升降銷41下降，晶片W被載置在交接臺(tái)4上。然后，利用未圖示的搬送臂，通過與升降銷41的協(xié)動(dòng)作用，接收該晶片W，將其從交接臺(tái)4上搬出。
另外，在這樣的晶片W的一系列的搬送中，在氣體吐出系統(tǒng)等中產(chǎn)生不利情況，晶片W的浮力不足，晶片W的高度水平變?yōu)镠1時(shí)，利用高度檢測傳感器74檢測到晶片W，變?yōu)榻油ǎY(jié)果，控制部100判斷晶片W的浮力不足，發(fā)出警報(bào)。另外，晶片W的浮力過大、晶片W的高度水平變?yōu)镠2時(shí)，利用高度檢測傳感器75檢測到晶片W，結(jié)果，控制部100判斷晶片W的浮力過大，發(fā)出警報(bào)。此外，高度水平H1、H2如上所述各自并不是1點(diǎn)的高度，而是被設(shè)定為能夠檢測到某一高度區(qū)域的晶片W。再者，在晶片W的浮力失去、晶片W在一個(gè)分割區(qū)域的高度檢測傳感器74和其一個(gè)下游側(cè)的高度檢測傳感器74之間落下、搬送停止的情況下，在從分割區(qū)域S2的晶片檢測傳感器71檢測到晶片W之后經(jīng)過規(guī)定的時(shí)間、分割區(qū)域S8的晶片檢測傳感器71未檢測到晶片W時(shí)，控制部100判斷在搬送路徑中、晶片W的搬送已停止，發(fā)出警報(bào)。
根據(jù)上述的實(shí)施方式，在構(gòu)成水平設(shè)置的晶片W的搬送路徑的搬送路徑板2上，相互平行地形成兩條排氣槽51，在搬送路徑的左右相互成對，沿搬送路徑設(shè)置有多個(gè)氣流形成槽52，其一端隨著朝向晶片W的搬送方向而接近排氣槽51、并與該排氣槽51合流，并且，在其另一端形成有氣體吐出孔53。所以，從氣體吐出孔53吐出的空氣與晶片W接觸，向晶片W提供浮力，并且，利用壓力梯度、經(jīng)由氣流形成槽52流入排氣槽51，這樣在氣流形成槽52中流動(dòng)的氣流向晶片W施加推進(jìn)力，從而沿搬送路徑搬送晶片W。如該例子那樣，氣體吐出孔53只要以向正上方吐出氣體的方式沿鉛垂方向穿孔即可，所以，例如，不需要為了使基板在上述搬送路徑部件上浮起并且沿搬送方向?qū)ζ溥M(jìn)行推送而在搬送路徑上穿設(shè)向斜上方吐出氣體的氣體吐出孔，搬送路徑板2的加工作業(yè)容易。
另外，在搬送路徑的左右形成的上述氣流形成槽52的一端形成為朝向搬送路徑的中心線，因?yàn)樯鲜鼍琖一邊受到朝向搬送路徑的中心的力一邊被搬送，所以能夠抑制晶片W在搬送中向左右搖擺或飛出到搬送路徑之外，從而能夠沿著搬送路徑的中心搬送晶片W。
另外，沿搬送方向?qū)崴吐窂桨?分割成多個(gè)，利用晶片檢測傳感器71檢測晶片W在搬送路徑上的搬送方向的位置，基于該檢測結(jié)果，只向各分割區(qū)域S1～S8中有助于晶片W的搬送的區(qū)域吐出空氣，即，對于晶片W通過的區(qū)域依次吐出空氣，在晶片通過之后停止該區(qū)域的空氣的吐出，因此能夠抑制空氣的消耗量。
下面，在圖13(a)中表示本發(fā)明的另一實(shí)施方式。在該實(shí)施方式中，與之前的實(shí)施方式不同，不在搬送路徑上形成氣流形成槽52以及排氣槽51，在搬送路徑的上方設(shè)置與搬送路徑平行的頂板81，另外，在該頂板81的下面，設(shè)置有多個(gè)作為氣體吐出部的噴嘴82，從該噴嘴的氣體吐出孔83向例如搬送路徑的另一端側(cè)(交接臺(tái)4側(cè))、向斜下方吐出空氣。圖14(a)是從下方觀察頂板81的圖，例如，如該圖所示，噴嘴82在頂板81的寬度方向上每兩個(gè)成為一對地設(shè)置，另外，這樣的對在頂板81的長度方向上以大致相等的間隔設(shè)置有多個(gè)。上述氣體吐出孔83被設(shè)置成朝向搬送路徑的中心線。
在該圖13(a)的實(shí)施方式中，晶片W只利用從浮起輔助用氣體吐出孔22吐出的空氣而從搬送路徑板2上浮起，如果從噴嘴82向該已經(jīng)浮起的晶片W吐出空氣，則晶片W受到朝向搬送路徑的中心并且朝向另一端側(cè)的推進(jìn)力，從而沿搬送路徑的中心進(jìn)行搬送。此外，如圖13(b)所示，在從側(cè)面觀察被搬送的晶片W時(shí)，用虛線表示的從氣體吐出孔83吐出的氣體的吐出方向與晶片W所成的角θ2為例如15度～45度。另外，如圖14(b)所示，在從上面觀察晶片W的情況下，噴嘴82與晶片W的前進(jìn)方向(朝向交接臺(tái)4的方向)所成的角θ3是例如120度～180度。
在這樣的實(shí)施方式中，沿俯角方向從設(shè)置在搬送路徑上方的噴嘴82向已經(jīng)浮起的晶片W吐出空氣，從而向晶片W提供推進(jìn)力，因?yàn)榭梢种茋娮斓男螤詈驮O(shè)置空間所受的限制，所以裝置的制造容易。
另外，在圖13(a)所示的實(shí)施方式中，可以應(yīng)用如下方法在搬送方向上將搬送路徑板2分割成多個(gè)，利用晶片檢測傳感器71對晶片W在搬送路徑上的搬送方向上的位置進(jìn)行檢測，基于該檢測結(jié)果，控制從與各分割區(qū)域S1～S8對應(yīng)的噴嘴82和浮起輔助用氣體吐出孔22吐出或停止吐出空氣的方法；或檢測晶片W的浮起高度位置，發(fā)出警報(bào)的方法。
下面，參照圖15～圖18，對將本發(fā)明的基板搬送裝置應(yīng)用于半導(dǎo)體制造裝置的例子進(jìn)行說明。該半導(dǎo)體制造裝置是在晶片上涂敷抗蝕劑、并利用顯影液對曝光后的晶片進(jìn)行顯影的涂敷、顯影裝置。圖15是表示該系統(tǒng)的一個(gè)實(shí)施方式的平面圖，圖16是同一實(shí)施方式的簡要立體圖，圖17是同一實(shí)施方式的簡要側(cè)面圖。該涂敷、顯影裝置被設(shè)置在大氣氣氛中的清潔室(clean room)內(nèi)，包括用于搬入搬出密閉收納有13片作為基板例如晶片的晶片W的載體(carrier)120的載體塊(carrier block)P1、將多個(gè)例如4個(gè)塊B1～B4以及搬送塊M1縱向排列而構(gòu)成的處理塊P2、接口塊(interface block)P3、和曝光裝置P4。
在上述載體塊P1內(nèi)設(shè)置有能夠載置多個(gè)上述載體120的載置臺(tái)121；從該載置臺(tái)121觀察，設(shè)置在前方的壁面上的開閉部122；和用于經(jīng)由開閉部122從載體120取出晶片W的傳送臂C。為了在后述的塊B1和B2的交接臺(tái)TRS1～2之間進(jìn)行晶片W的交接，該傳送臂C被構(gòu)成為自由進(jìn)退、自由升降、沿鉛垂軸自由旋轉(zhuǎn)、以及在載體120的排列方向上自由移動(dòng)。
周圍被框體124包圍的處理塊P2與載體塊P1的內(nèi)側(cè)連接。在該例子中，處理塊P2從下方側(cè)開始被分配為用于進(jìn)行顯影處理的第一塊(DEV層)B1、搬送塊M1、用于進(jìn)行在抗蝕劑膜的下層側(cè)形成的反射防止膜(以下，稱為“下部反射防止膜”)的形成處理的第二塊(BCT層)B2、用于進(jìn)行抗蝕劑液的涂敷處理的第三塊(COT層)B3、和用于進(jìn)行在抗蝕劑膜的上層側(cè)形成的反射防止膜(以下，稱為“上部反射防止膜”)的形成處理的第四塊(TCT層)B4。這些塊B1～B4以及搬送塊M1從載體塊P1向接口塊P3延伸。在此，上述DEV層B1相當(dāng)于顯影用的塊，BCT層B2、COT層B3和TCT層B4相當(dāng)于用于形成由感光材料例如抗蝕劑構(gòu)成的涂敷膜的涂敷膜形成用的塊。此外，各塊之間利用分隔板(基體)進(jìn)行分隔。
接著，對第一～第四的塊B(B1～B4)的結(jié)構(gòu)進(jìn)行說明，在本實(shí)施方式中，這些塊B1～B4含有很多共通部分，各塊B以大致相同的布局構(gòu)成。所以，以DEV層B1為例，參照圖15進(jìn)行說明。在該DEV層B1的中央部，沿橫向、具體地說是沿DEV層B1的長度方向(圖中Y方向)，形成有用于連接載體塊P1和接口塊P3的晶片W的搬送用通路R1。
從該搬送用通路R1的載體塊P1側(cè)觀察，從跟前側(cè)(載體塊P1側(cè))向內(nèi)側(cè)，在右側(cè)，沿搬送用通路R1設(shè)置有顯影單元300作為液處理單元，顯影單元300包括用于進(jìn)行顯影液的涂敷處理的多個(gè)涂敷部。另外，從DEV層B1的跟前側(cè)向內(nèi)側(cè)，在左側(cè)，沿搬送用通路R1依次設(shè)置有將加熱、冷卻系統(tǒng)的熱系統(tǒng)處理單元多段化的四個(gè)架單元U1、U2、U3、U4；和排氣單元500。即，顯影單元300與架單元U1～U4隔著搬送用通路R1相對排列。架單元U1～U4中，用于進(jìn)行在顯影單元300中進(jìn)行的處理的前處理和后處理的熱系統(tǒng)處理單元被疊層在兩段中。
在上述的熱系統(tǒng)處理單元中包括例如對曝光后的晶片W進(jìn)行加熱處理、或?yàn)榱耸癸@影處理后的晶片W干燥而進(jìn)行加熱處理的加熱單元；和用于在該加熱單元的處理后、將晶片W調(diào)整至規(guī)定溫度的冷卻單元等。此外，在本實(shí)施方式中，作為該DEV層B1的架單元U1、U2、U3，加熱單元被疊層在兩段中，作為架單元U4，冷卻單元被疊層在兩段中。
在此，在搬送塊M1中設(shè)置有本發(fā)明的基板搬送裝置2A，該基板搬送裝置2A是將晶片W從載體塊P1向接口塊P3直行搬送的直通搬送單元。該基板搬送裝置2A由上述的空氣浮起型的基板搬送裝置構(gòu)成，例如，與圖1所示同樣地構(gòu)成，具有將晶片W從與上述的搬入用的交接臺(tái)3相當(dāng)?shù)慕唤优_(tái)TRS1B搬送至與搬出用的交接臺(tái)4相當(dāng)?shù)慕唤优_(tái)TRS5B的作用。
搬送用通路R1和搬送塊M1的與載體塊P1鄰接的區(qū)域，成為第一晶片交接區(qū)域R2，如圖15和圖17所示，在該區(qū)域R2中，在主臂A1、基板搬送裝置2A以及傳送臂C能夠進(jìn)行存取的位置上設(shè)置有架單元U5，并且包括作為用于對該架單元U5進(jìn)行晶片W的交接的升降搬送單元的交接臂D1。
在該架單元U5中，在塊B1中從上段開始依次設(shè)置有交接臺(tái)TRS1B、交接臺(tái)TRS1，構(gòu)成為傳送臂C、交接臂D1能夠向交接臺(tái)TRS1B進(jìn)行存取。交接臺(tái)TRS1構(gòu)成為主臂A1、傳送臂C、以及交接臂D1能夠進(jìn)行存取。作為該交接臺(tái)TRS1和交接臺(tái)TRS1B的結(jié)構(gòu)，例如，包括方形的框體，在該框體內(nèi)設(shè)置有具有通過載置晶片W而將晶片W的溫度調(diào)節(jié)至預(yù)定溫度的機(jī)構(gòu)的臺(tái)，另外，在該臺(tái)上設(shè)置有自由突沒的銷。例如，具有如下結(jié)構(gòu)各臂經(jīng)由設(shè)置在框體的朝向各臂的側(cè)面上的搬送口進(jìn)入上述框體內(nèi)，各臂能夠保持通過上述銷而從臺(tái)上浮起的晶片W的背面，或者，由各臂搬送的晶片W經(jīng)由上述銷而被載置在板上。
此外，在該例子中，如圖17所示，在塊B2～B4中設(shè)置有各兩個(gè)交接臺(tái)TRS2～TRS4，各TRS都具有如上所述的結(jié)構(gòu)，交接臺(tái)TRS2～TRS4被構(gòu)成為能夠與設(shè)置在各層中的主臂A2～A4、以及交接臂D1進(jìn)行晶片W的交接。另外，TRS2被構(gòu)成為除了這些臂以外，還能夠與傳送臂C進(jìn)行晶片的交接。但是，各TRS的數(shù)量并沒有限定，與各塊相對應(yīng)，可以設(shè)置兩個(gè)以上。
上述交接臂D1被構(gòu)成為可自由進(jìn)退和自由升降，使其能夠在從B1到B4的各層中移動(dòng)，從而能夠相對于設(shè)置在各層中的交接臺(tái)TRS1～TRS4以及交接臺(tái)TRS1B進(jìn)行晶片W的交接。另外，上述交接臺(tái)TRS1、TRS2以及交接臺(tái)TRS1B，在該例子中被構(gòu)成為可在與傳送臂C之間進(jìn)行晶片W的交接。
再者，DEV層B1的搬送用通路R1和搬送塊M1的與接口塊P3鄰接的區(qū)域，成為第二晶片交接區(qū)域R3，如圖15所示，在該區(qū)域R3中設(shè)置有架單元U6。如圖17所示，架單元U6被構(gòu)成為從上方開始依次設(shè)置有作為交接臺(tái)的TRS5B、TRS5，交接臺(tái)TRS5B能夠在與接口臂B之間進(jìn)行晶片W的交接。另外，交接臺(tái)TRS5被構(gòu)成為能夠在與主臂A1和接口臂B之間進(jìn)行晶片W的交接。交接臺(tái)TRS5B、TRS5例如具有與上述的交接臺(tái)TRS1B同樣的結(jié)構(gòu)，具備晶片W的冷卻功能，能夠進(jìn)行交接后的晶片W的溫度調(diào)節(jié)管理。
另外，在處理塊P2的架單元U6的內(nèi)側(cè)，經(jīng)由接口塊P3連接有曝光裝置P4。在接口塊P3內(nèi)設(shè)置有用于相對于處理塊P2的架單元U6與曝光裝置P4進(jìn)行晶片W的交接的接口臂B。在該接口臂B中，雖然省略了圖示，但沿基臺(tái)自由進(jìn)退地設(shè)置有例如用于支撐晶片W的背面?zhèn)戎醒雲(yún)^(qū)域的一條臂。上述基臺(tái)以利用旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)沿鉛垂軸自由旋轉(zhuǎn)的方式安裝在升降臺(tái)上，以沿升降導(dǎo)軌自由升降的方式設(shè)置。這樣，該臂被構(gòu)成為自由進(jìn)退、自由升降以及沿鉛垂軸自由旋轉(zhuǎn)。
此外，上述的交接臂D1除了不沿鉛垂軸旋轉(zhuǎn)之外，與接口臂B同樣地構(gòu)成。
該接口臂B構(gòu)成介于處理塊P2和曝光裝置P4之間的晶片W的搬送單元，在該實(shí)施方式中，其被構(gòu)成為從塊B1的交接臺(tái)TRS5B接收晶片W、并將其搬入曝光裝置P4，另一方面，從曝光裝置P4接收晶片W、并將其轉(zhuǎn)移至臺(tái)TRS5。
在此，關(guān)于該涂敷、顯影裝置的作用，首先，對在抗蝕劑膜的上下各自形成反射防止膜的情況下的晶片W的流動(dòng)的例子進(jìn)行說明。從外部將載體120搬入載體塊P1中，利用傳送臂C將晶片W從該載體120中取出。經(jīng)由架單元U5的交接臺(tái)TRS2，將晶片W從傳送臂C轉(zhuǎn)移至BCT層B2的主臂A2。然后，在BCT層B2中，由主臂A2按照冷卻單元→反射防止膜形成單元(未圖示，是與顯影單元300對應(yīng)的單元)→加熱單元→架單元U5的交接臺(tái)TRS2的順序進(jìn)行搬送，形成下部反射防止膜。
然后，利用交接臂D1將交接臺(tái)TRS2的晶片W搬送至COT層B3的交接臺(tái)TRS3，接著，將其轉(zhuǎn)移至該COT層B3的主臂A3。于是，在COT層B3中，由主臂A3將晶片W按照冷卻單元→抗蝕劑涂敷單元(未圖示，是與顯影單元300對應(yīng)的單元)→加熱單元的順序進(jìn)行搬送，在下部反射防止膜的上層形成抗蝕劑膜后，將其搬送至周邊曝光單元，使周邊部曝光，再將其搬送至架單元U5的交接臺(tái)TRS3。
隨后，利用交接臂D1將交接臺(tái)TRS3的晶片W搬送至TCT層B4的交接臺(tái)TRS4，將其轉(zhuǎn)移至該TCT層B4的主臂A4。于是，在TCT層B4中，由主臂A4將晶片W按照冷卻單元→第二反射防止膜形成單元(未圖示，是與顯影單元300對應(yīng)的單元)→加熱單元的順序進(jìn)行搬送，在抗蝕劑膜的上層形成上部反射防止膜之后，將其搬送至架單元U5的交接臺(tái)TRS4。
利用交接臂D1將交接臺(tái)TRS4上的晶片W搬送至交接臺(tái)TRS1B。隨后，利用本發(fā)明的基板搬送裝置，晶片W如上述那樣浮起，向接口塊P3側(cè)移動(dòng)，被搬送至交接臺(tái)TRS5B。此外，該臺(tái)TRS5B可以構(gòu)成為作為將晶片W調(diào)整至在曝光裝置中曝光時(shí)的溫度用的溫度調(diào)整板的冷卻板。利用接口臂B將被載置在臺(tái)TRS5B上的晶片W搬送至曝光裝置P4，在此進(jìn)行規(guī)定的曝光處理。
利用接口臂B將曝光處理后的晶片W搬送至架單元U6的交接臺(tái)TRS5上，該臺(tái)TRS5上的晶片W被DEV層B1的主臂A1接收，在該DEV層B1中，按照架單元U1～U4中包含的加熱單元→冷卻單元→顯影單元300→加熱單元→冷卻單元的順序進(jìn)行搬送，進(jìn)行規(guī)定的顯影處理。這樣進(jìn)行過顯影處理的晶片W被搬送至架單元U5的交接臺(tái)TRS1，利用傳送臂C將其返回至載置在載體塊P1上的原來的載體120中。
權(quán)利要求
1.一種基板搬送裝置，其特征在于，包括形成基板的搬送路徑的搬送路徑部件；在該搬送路徑部件的上面、沿搬送路徑形成的排氣槽；氣流形成槽，該氣流形成槽在所述搬送路徑部件的上面左右相互成對，該對沿搬送路徑設(shè)置有多個(gè)，各自隨著朝向基板的搬送方向而接近排氣槽，其一端與該排氣槽合流；和氣體吐出孔，在所述氣流形成槽的另一端側(cè)穿孔而形成，用于形成向基板提供浮力、并且從氣流形成槽的另一端向一端的搬送基板用的氣流。
2.一種基板搬送裝置，其特征在于，包括形成基板的搬送路徑的搬送路徑部件；在該搬送路徑部件上、沿搬送路徑形成，吐出基板浮起用的氣體的氣體吐出孔；和氣體吐出部，該氣體吐出部具有供給氣流形成用的氣體的氣體吐出孔，為了從俯角方向向已浮起的基板供給氣體、在搬送路徑上形成朝向基板的搬送方向的氣流以搬送基板而設(shè)置在搬送路徑的上方。
3.根據(jù)權(quán)利要求
1或2所述的基板搬送裝置，其特征在于，包括用于獨(dú)立進(jìn)行來自氣體吐出孔的氣體的吐出和停止的開閉單元，該氣體吐出孔與沿搬送方向?qū)⒒宓陌崴吐窂椒指顬槎鄠€(gè)而形成的各分割區(qū)域的每個(gè)分別對應(yīng)；檢測基板在搬送路徑上的搬送方向的位置的位置檢測單元；和基于該位置檢測單元的檢測結(jié)果，通過開閉單元、控制各分割區(qū)域的氣體的吐出和停止的控制部。
4.一種基板搬送裝置，其特征在于，包括以沿基板的搬送方向延伸的方式形成基板的搬送路徑的搬送路徑部件；在該搬送路徑部件上、沿搬送路徑形成，吐出基板浮起用的氣體的氣體吐出孔；形成用于將已浮起的基板沿搬送路徑進(jìn)行搬送的氣流的氣流形成用的氣體吐出孔；用于獨(dú)立進(jìn)行從各氣體吐出孔向?qū)⒒宓陌崴吐窂窖匕崴头较蚍指顬槎鄠€(gè)而形成的各分割區(qū)域的每個(gè)吐出氣體或停止吐出氣體的開閉單元；檢測基板在搬送路徑上的搬送方向的位置的位置檢測單元；和基于該位置檢測單元的檢測結(jié)果，通過開閉單元、控制各分割區(qū)域的氣體的吐出和停止的控制部。
5.根據(jù)權(quán)利要求
3所述的基板搬送裝置，其特征在于位置檢測單元設(shè)置在各個(gè)所述分割區(qū)域中，是檢測有無基板的基板檢測傳感器。
6.根據(jù)權(quán)利要求
4所述的基板搬送裝置，其特征在于位置檢測單元設(shè)置在各個(gè)所述分割區(qū)域中，是檢測有無基板的基板檢測傳感器。
7.根據(jù)權(quán)利要求
1、2、4、5、6中任一項(xiàng)所述的基板搬送裝置，其特征在于，包括檢測來自搬送路徑的基板的高度的高度檢測單元；和基于該高度檢測單元的檢測結(jié)果、判定基板是否位于預(yù)先設(shè)定的高度位置的單元。
8.根據(jù)權(quán)利要求
3所述的基板搬送裝置，其特征在于，包括檢測來自搬送路徑的基板的高度的高度檢測單元；和基于該高度檢測單元的檢測結(jié)果、判定基板是否位于預(yù)先設(shè)定的高度的單元。
9.一種基板搬送方法，其特征在于，包括使基板位于形成基板的搬送路徑的搬送路徑部件上的工序；從在氣流形成槽的另一端側(cè)穿孔而形成的氣體吐出孔吐出氣體、向基板提供浮力的工序，所述氣流形成槽在搬送路徑部件的上面左右相互成對，它們的一端各自隨著朝向基板的搬送方向而與沿搬送路徑設(shè)置在搬送路徑部件上的排氣槽接近、并且與該排氣槽合流，所述氣流形成槽沿搬送路徑設(shè)置有多個(gè)；和形成從氣流形成槽的另一端朝向一端、用于搬送基板的氣流的工序。
10.一種基板搬送方法，其特征在于，包括從在形成基板的搬送路徑的搬送路徑部件中、沿搬送路徑形成的氣體吐出孔吐出基板浮起用的氣體的工序；和從設(shè)置在搬送路徑上方的氣體吐出部，從俯角方向向已浮起的基板供給氣體，形成朝向基板的搬送方向搬送該基板的氣流的工序。
11.一種基板搬送方法，其特征在于，包括從基板浮起用的氣體吐出孔吐出氣體的工序，該基板浮起用的氣體吐出孔在沿基板的搬送方向延伸的搬送路徑部件上、沿搬送路徑形成；從用于沿搬送路徑搬送已浮起的基板的氣流形成用的氣體吐出孔吐出氣體的工序；利用開閉單元，獨(dú)立進(jìn)行從各氣體吐出孔向?qū)⒒宓陌崴吐窂窖匕崴头较蚍指顬槎鄠€(gè)而形成的各分割區(qū)域的每個(gè)吐出氣體、或停止吐出氣體的工序；利用位置檢測單元，檢測基板在搬送路徑上的搬送方向的位置的工序；和利用控制部，基于該位置檢測單元的檢測結(jié)果，通過開閉單元控制各分割區(qū)域的氣體的吐出和停止的工序。
12.根據(jù)權(quán)利要求
11所述的基板搬送方法，其特征在于，包括檢測基板在搬送路徑上的搬送方向的位置的工序；和基于所述工序的檢測結(jié)果，對將基板的搬送路徑在搬送方向上分割為多個(gè)而形成的各分割區(qū)域的氣體的吐出和停止進(jìn)行控制的工序。
13.根據(jù)權(quán)利要求
9～12中任一項(xiàng)所述的基板搬送方法，其特征在于，包括檢測來自搬送路徑的基板的高度的工序；和基于基板高度的檢測結(jié)果，判定基板是否位于預(yù)先設(shè)定的高度的工序。
14.一種計(jì)算機(jī)程序，其特征在于用于在使基板從搬送路徑部件上浮起的狀態(tài)下沿搬送路徑進(jìn)行搬送的基板搬送裝置，包含用于實(shí)施權(quán)利要求
9～12中任一項(xiàng)的步驟組。
專利摘要
本發(fā)明提供一種能以低成本制造、且能抑制用于搬送基板的氣體的消耗量的氣體浮起型的基板搬送裝置。該基板搬送裝置包括形成基板的搬送路徑的搬送路徑部件；在該搬送路徑部件的上面、沿搬送路徑形成的排氣槽；氣流形成槽，在搬送路徑部件的上面左右相互成對，該對沿搬送路徑設(shè)置有多個(gè)，各自隨著朝向基板的搬送方向而接近排氣槽，其一端與該排氣槽合流；和氣體吐出孔，在該氣流形成槽的另一端穿孔而形成，用于形成向基板提供浮力、并從氣流形成槽的另一端向一端的搬送基板用的氣流。來自氣體吐出孔的氣體向基板提供浮力并在氣流形成槽中流動(dòng)，由此基板受到推進(jìn)力而被搬送。沿搬送方向分割搬送路徑，對各區(qū)域控制氣體吐出，能抑制氣體的消耗量。
文檔編號(hào)B65G51/00GK1996567SQ200710001579
公開日2007年7月11日 申請日期2007年1月8日
發(fā)明者飯?zhí)锍烧?申請人:東京毅力科創(chuàng)株式會(huì)社導(dǎo)出引文BiBTeX, EndNote, RefMan