本技術(shù)屬于hjt(異質(zhì)結(jié))硅片配套輔助，具體涉及一種改善hjt返工片微晶殘留的裝置。

背景技術(shù)：

1、cvd(化學(xué)氣相沉積)返工片在槽體清洗后表面會漂浮一層微晶，在將清洗完成后的硅片從槽內(nèi)提起時(shí)，漂浮的微晶會再次附著在硅片上，對硅片進(jìn)行再次污染，影響后續(xù)硅片加工良率?，F(xiàn)目前清洗后漂浮物會一直聚集在液面，無法消散及排出，亟待對清洗方式進(jìn)行優(yōu)化處理。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本實(shí)用新型的目的在于：提供了一種改善hjt返工片微晶殘留的裝置，解決了清洗槽液面漂浮微晶再次造成污染的問題。

2、本實(shí)用新型的目的通過下述技術(shù)方案來實(shí)現(xiàn)：

3、一種改善hjt返工片微晶殘留的裝置，包括上開口的清洗槽，清洗槽的上部設(shè)有溢流口，溢流口與溢流管路連通，溢流管路上設(shè)有管閥和濾芯組件，溢流管路與循環(huán)泵連通，循環(huán)泵與回流管路連通，清洗槽的下部設(shè)有回流口，回流管路與回流口連通。

4、進(jìn)一步的，所述的清洗槽為長方體結(jié)構(gòu)。

5、進(jìn)一步的，所述的溢流口包括第一溢流口和第二溢流口，第一溢流口和第二溢流口位于清洗槽的同一側(cè)。

6、進(jìn)一步的，所述的第一溢流口和第二溢流口分別位于清洗槽同一側(cè)的兩端。

7、進(jìn)一步的，所述的管閥為氣動(dòng)閥。

8、進(jìn)一步的，所述的循環(huán)泵為隔膜泵。

9、進(jìn)一步的，所述的回流口包括第一回流口和第二回流口，第一回流口和第二回流口位于清洗槽的同一側(cè)。

10、進(jìn)一步的，所述的第一回流口和第二回流口均位于清洗槽同一側(cè)的中部。

11、進(jìn)一步的，所述的清洗槽內(nèi)設(shè)有花籃支架和均流板，花籃支架相對布置，相對的花籃支架之間布置均流板。

12、進(jìn)一步的，所述的花籃支架包括沿寬度方向布置的支架桿，支架桿的中部設(shè)有弧形內(nèi)翼，支架桿的兩側(cè)設(shè)有弧形側(cè)翼，支架桿上設(shè)有位于內(nèi)翼與側(cè)翼之間的弧形凸起。

13、進(jìn)一步的，所述的清洗槽、濾芯組件和循環(huán)泵均設(shè)在基板上。

14、本實(shí)用新型的有益效果：

15、1.簡易的設(shè)計(jì)原理，不需對原有的清洗槽以及清洗方式進(jìn)行過多改動(dòng)，只需在槽外增加管、閥及泵等組件。

16、2.將液面及漂浮微晶排出進(jìn)行過濾，解決因槽體無循環(huán)導(dǎo)致的微晶漂浮物殘留，保證后續(xù)硅片加工良率。

17、3.傳統(tǒng)清洗槽槽內(nèi)微晶漂浮聚集，提籃后存在附著至硅片的現(xiàn)象，本裝置減少因?yàn)橹貜?fù)清洗浪費(fèi)的時(shí)間和藥液，降低產(chǎn)品報(bào)廢風(fēng)險(xiǎn)。

18、前述本實(shí)用新型主方案及其各進(jìn)一步選擇方案可以自由組合以形成多個(gè)方案，均為本實(shí)用新型可采用并要求保護(hù)的方案；并且本實(shí)用新型，(各非沖突選擇)選擇之間以及和其他選擇之間也可以自由組合。本領(lǐng)域技術(shù)人員在了解本方案后根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)和公知常識可明了有多種組合，均為本實(shí)用新型所要保護(hù)的技術(shù)方案，在此不做窮舉。

技術(shù)特征：

1.一種改善hjt返工片微晶殘留的裝置，包括上開口的清洗槽(1)，其特征在于：所述的清洗槽(1)的上部設(shè)有溢流口(2)，溢流口(2)與溢流管路(3)連通，溢流管路(3)上設(shè)有管閥(4)和濾芯組件(5)，溢流管路(3)與循環(huán)泵(6)連通，循環(huán)泵(6)與回流管路(7)連通，清洗槽(1)的下部設(shè)有回流口(8)，回流管路(7)與回流口(8)連通。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的改善hjt返工片微晶殘留的裝置，其特征在于：所述的清洗槽(1)為長方體結(jié)構(gòu)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的改善hjt返工片微晶殘留的裝置，其特征在于：所述的溢流口(2)包括第一溢流口(21)和第二溢流口(22)，第一溢流口(21)和第二溢流口(22)位于清洗槽(1)的同一側(cè)。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的改善hjt返工片微晶殘留的裝置，其特征在于：所述的第一溢流口(21)和第二溢流口(22)分別位于清洗槽(1)同一側(cè)的兩端。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的改善hjt返工片微晶殘留的裝置，其特征在于：所述的管閥(4)為氣動(dòng)閥。

6.根據(jù)權(quán)利要求1或5所述的改善hjt返工片微晶殘留的裝置，其特征在于：所述的循環(huán)泵(6)為隔膜泵。

7.根據(jù)權(quán)利要求1或3或4所述的改善hjt返工片微晶殘留的裝置，其特征在于：所述的回流口(8)包括第一回流口(81)和第二回流口(82)，第一回流口(81)和第二回流口(82)位于清洗槽(1)的同一側(cè)。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的改善hjt返工片微晶殘留的裝置，其特征在于：所述的第一回流口(81)和第二回流口(82)均位于清洗槽(1)同一側(cè)的中部。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的改善hjt返工片微晶殘留的裝置，其特征在于：所述的清洗槽(1)內(nèi)設(shè)有花籃支架(9)和均流板(10)，花籃支架(9)相對布置，相對的花籃支架(9)之間布置均流板(10)。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的改善hjt返工片微晶殘留的裝置，其特征在于：所述的花籃支架(9)包括沿寬度方向布置的支架桿(91)，支架桿(91)的中部設(shè)有弧形內(nèi)翼(92)，支架桿(91)的兩側(cè)設(shè)有弧形側(cè)翼(93)，支架桿(91)上設(shè)有位于內(nèi)翼與側(cè)翼之間的弧形凸起(94)。

技術(shù)總結(jié)
本技術(shù)公開了一種改善HJT返工片微晶殘留的裝置，包括上開口的清洗槽，清洗槽的上部設(shè)有溢流口，溢流口與溢流管路連通，溢流管路上設(shè)有管閥和濾芯組件，溢流管路與循環(huán)泵連通，循環(huán)泵與回流管路連通，清洗槽的下部設(shè)有回流口，回流管路與回流口連通。本技術(shù)的有益效果：簡易的設(shè)計(jì)原理，不需對原有的清洗槽以及清洗方式進(jìn)行過多改動(dòng)，只需在槽外增加管、閥及泵等組件；將液面及漂浮微晶排出進(jìn)行過濾，解決因槽體無循環(huán)導(dǎo)致的微晶漂浮物殘留，保證后續(xù)硅片加工良率；傳統(tǒng)清洗槽槽內(nèi)微晶漂浮聚集，提籃后存在附著至硅片的現(xiàn)象，本裝置減少因?yàn)橹貜?fù)清洗浪費(fèi)的時(shí)間和藥液，降低產(chǎn)品報(bào)廢風(fēng)險(xiǎn)。

技術(shù)研發(fā)人員：王豪,鄭剛,趙佳民,李紅有,王鴻渝,楊文棟,唐旋
受保護(hù)的技術(shù)使用者：眉山璉升光伏科技有限公司
技術(shù)研發(fā)日：20240428
技術(shù)公布日：2024/12/19