本揭示內(nèi)容的一些實施方式提供半導(dǎo)體裝置。

背景技術(shù)：

1、互補金屬氧化物半導(dǎo)體(complementary?metal?oxide?semiconductor，cmos)影像感測器(cmos?image?sensor，cis)裝置利用光敏cmos電路系統(tǒng)將光能轉(zhuǎn)換為電能。光敏cmos電路系統(tǒng)可包括在硅基板中形成的光電二極管。隨著光電二極管曝露于光，在光電二極管中感應(yīng)出電荷(稱為光電流)。光電二極管可耦合至開關(guān)晶體管，開關(guān)晶體管用于對光電二極管的電荷進行采樣。色彩可經(jīng)由在光敏cmos電路系統(tǒng)上方置放濾波器來判定。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、本揭示內(nèi)容的一些實施方式提供半導(dǎo)體裝置，包含：硅結(jié)構(gòu)的層；在硅結(jié)構(gòu)的層內(nèi)的近紅外光電二極管，包含第一磊晶結(jié)構(gòu)；在硅結(jié)構(gòu)的層內(nèi)的近紅外發(fā)光二極管，包含第二磊晶結(jié)構(gòu)；及在近紅外光電二極管與近紅外發(fā)光二極管之間的深溝槽隔離結(jié)構(gòu)。

2、本揭示內(nèi)容的一些實施方式提供半導(dǎo)體裝置，包含：半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的層；多個像素結(jié)構(gòu)的陣列，包含：多個可見光光電二極管的陣列，在半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的層內(nèi)；及多個近紅外光電二極管的陣列，包含選擇性生長的磊晶結(jié)構(gòu)且穿插于此些可見光光電二極管的陣列中；多個近紅外發(fā)光二極管，包含選擇性生長的磊晶結(jié)構(gòu)，且選擇性生長的磊晶結(jié)構(gòu)分散于半導(dǎo)體裝置的周邊附近并沿周邊分散；及密封環(huán)結(jié)構(gòu)，在近紅外發(fā)光二極管與近紅外光電二極管的陣列之間。

3、本揭示內(nèi)容的一些實施方式提供一種半導(dǎo)體裝置，包含：半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的層；在半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的層內(nèi)的近紅外光電二極管，包含：第一選擇性生長的磊晶結(jié)構(gòu)；相鄰于近紅外光電二極管的可見光光電二極管；在半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的層內(nèi)的近紅外發(fā)光二極管，包含：第二選擇性生長的磊晶結(jié)構(gòu)；及在近紅外光電二極管與近紅外發(fā)光二極管之間的深溝槽隔離結(jié)構(gòu)。

技術(shù)特征：

1.一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，包含：

2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，其中該第一磊晶結(jié)構(gòu)與該第二磊晶結(jié)構(gòu)為一相同的選擇性生長的磊晶結(jié)構(gòu)。

3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，進一步包含：

4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，進一步包含：

5.一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，包含：

6.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，進一步包含：

7.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，進一步包含：

8.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，進一步包含：

9.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體裝置，進一步包含：

10.一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，包含：

技術(shù)總結(jié)
本文所述的一些實施提供半導(dǎo)體裝置，包含：硅結(jié)構(gòu)的層、在硅結(jié)構(gòu)的層內(nèi)的近紅外光電二極管、在硅結(jié)構(gòu)的層內(nèi)的近紅外發(fā)光二極管、及在近紅外光電二極管與近紅外發(fā)光二極管之間的深溝槽隔離結(jié)構(gòu)。在硅結(jié)構(gòu)的層內(nèi)的近紅外光電二極體二極管包含第一磊晶結(jié)構(gòu)。在硅結(jié)構(gòu)的層內(nèi)的近紅外發(fā)光二極體二極管包含第二磊晶結(jié)構(gòu)。

技術(shù)研發(fā)人員：林俊豪,鄭允瑋,李國政
受保護的技術(shù)使用者：臺灣積體電路制造股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：20240419
技術(shù)公布日：2024/12/19