本技術(shù)實(shí)施例涉及一種承載結(jié)構(gòu)，尤其涉及一種半導(dǎo)體裝置的承載結(jié)構(gòu)。

背景技術(shù)：

1、半導(dǎo)體業(yè)界通過縮小最小特征尺寸不斷提高集成電路(integrated?circuits，ics)的處理能力和功耗。然而，近年來，工藝限制使得最小特征尺寸難以繼續(xù)縮小。將二維(two-dimensional，2d)集成電路堆疊成三維(three-dimensional，3d)集成電路已成為繼續(xù)提高集成電路處理能力和功耗的潛在方法。例如，在晶片到晶片(wafer-to-wafer)的多層堆疊應(yīng)用中，晶片接合工藝(wafers?bonding?process)與背面工藝(backside?process)可以改善高密度布線問題。這種接合過程使用復(fù)雜的技術(shù)，并且需要改進(jìn)。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本公開的目的在于提出一種承載結(jié)構(gòu)，以解決上述至少一個(gè)問題。

2、為了解決前述的問題，本公開實(shí)施例提供一種承載結(jié)構(gòu)形成方法，包括：在一基版上形成一或多個(gè)裝置；在一或多個(gè)裝置上形成一第一互連結(jié)構(gòu)；將第一互連結(jié)構(gòu)接合到一承載結(jié)構(gòu)，承載結(jié)構(gòu)包括一半導(dǎo)體基板、一釋放層以及一第一介電層，并且釋放層包括一金屬氮化物；翻轉(zhuǎn)一或多個(gè)裝置，使承載結(jié)構(gòu)位于一底部；執(zhí)行多個(gè)背面工藝；翻轉(zhuǎn)一或多個(gè)裝置，使承載結(jié)構(gòu)位于一頂部；以及將承載結(jié)構(gòu)暴露于紅外光，部分的釋放層與第一介電層分離。

3、本公開實(shí)施例還提供一種承載結(jié)構(gòu)形成方法，包括：形成一承載結(jié)構(gòu)，包括：在一半導(dǎo)體基板上沉積一第一介電層；通過一物理氣相沉積工藝在第一介電層上沉積一釋放層，釋放層包括tin；在釋放層上沉積一第二介電層；在第二介電層上沉積一反射層；以及在反射層上沉積一接合層；將承載結(jié)構(gòu)接合到一半導(dǎo)體裝置結(jié)構(gòu)；翻轉(zhuǎn)半導(dǎo)體裝置結(jié)構(gòu)；對半導(dǎo)體裝置結(jié)構(gòu)進(jìn)行一或多個(gè)工藝；以及去除承載結(jié)構(gòu)。

4、本公開實(shí)施例又提供一種承載結(jié)構(gòu)，包括一半導(dǎo)體基板、一第一介電層、一釋放層、一第二介電層、一反射層以及一接合層。第一介電層設(shè)置于半導(dǎo)體基板上。釋放層設(shè)置于第一介電層上。釋放層是無碳的且包括一金屬氮化物。第二介電層設(shè)置于釋放層上。反射層設(shè)置于第二介電層上。接合層設(shè)置于反射層上。

5、根據(jù)本公開其中的一個(gè)實(shí)施方式，該釋放層是一tin層。

6、根據(jù)本公開其中的一個(gè)實(shí)施方式，該tin層通過物理氣相沉積所形成。

7、根據(jù)本公開其中的一個(gè)實(shí)施方式，該tin層包括柱狀結(jié)構(gòu)。

8、根據(jù)本公開其中的一個(gè)實(shí)施方式，該釋放層的一頂表面是粗糙的。

9、根據(jù)本公開其中的一個(gè)實(shí)施方式，該釋放層的該頂表面具有從0.2納米到5納米的范圍的表面粗糙度。

10、根據(jù)本公開其中的一個(gè)實(shí)施方式，該釋放層吸收來自一紅外光的熱量而膨脹。

11、根據(jù)本公開其中的一個(gè)實(shí)施方式，該紅外光由一紅外激光產(chǎn)生。

12、根據(jù)本公開其中的一個(gè)實(shí)施方式，該紅外光是一皮秒紅外激光。

13、根據(jù)本公開其中的一個(gè)實(shí)施方式，該紅外光的一脈沖持續(xù)時(shí)間在10皮秒至100皮秒的范圍。

技術(shù)特征：

1.一種承載結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：

2.如權(quán)利要求1所述的承載結(jié)構(gòu)，其特征在于，該釋放層是一tin層。

3.如權(quán)利要求2所述的承載結(jié)構(gòu)，其特征在于，該tin層通過物理氣相沉積所形成。

4.如權(quán)利要求3所述的承載結(jié)構(gòu)，其特征在于，該tin層包括柱狀結(jié)構(gòu)。

5.如權(quán)利要求4所述的承載結(jié)構(gòu)，其特征在于，該釋放層的一頂表面是粗糙的。

6.如權(quán)利要求5所述的承載結(jié)構(gòu)，其特征在于，該釋放層的該頂表面具有從0.2納米到5納米的范圍的表面粗糙度。

7.如權(quán)利要求1所述的承載結(jié)構(gòu)，其特征在于，該釋放層吸收來自一紅外光的熱量而膨脹。

8.如權(quán)利要求7所述的承載結(jié)構(gòu)，其特征在于，該紅外光由一紅外激光產(chǎn)生。

9.如權(quán)利要求8所述的承載結(jié)構(gòu)，其特征在于，該紅外光是一皮秒紅外激光。

10.如權(quán)利要求7所述的承載結(jié)構(gòu)，其特征在于，該紅外光的一脈沖持續(xù)時(shí)間在10皮秒至100皮秒的范圍。

技術(shù)總結(jié)
本公開實(shí)施例提出一種承載結(jié)構(gòu)。在一些實(shí)施例中，此方法包括在一基板之上形成一或多個(gè)裝置、在一或多個(gè)裝置之上形成一第一互連結(jié)構(gòu)以及將第一互連結(jié)構(gòu)接合到一承載結(jié)構(gòu)。承載結(jié)構(gòu)包括一半導(dǎo)體基板、一釋放層以及一第一介電層，并且釋放層包括一金屬氮化物。此方法還包括翻轉(zhuǎn)一或多個(gè)裝置，使得承載結(jié)構(gòu)位于一底部、執(zhí)行背面工藝、翻轉(zhuǎn)一或多個(gè)裝置，使得承載結(jié)構(gòu)位于一頂部以及將承載結(jié)構(gòu)暴露于紅外光。部分的釋放層與第一介電層分離。

技術(shù)研發(fā)人員：梁正庸,彭羽筠,葉韋廷,許志成,林耕竹
受保護(hù)的技術(shù)使用者：臺灣積體電路制造股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：20240131
技術(shù)公布日：2024/11/18