本技術(shù)涉及太陽能電池，尤其涉及一種太陽能電池正面減反膜及太陽能電池。

背景技術(shù)：

1、為最大化地利用太陽能，增加電池的光吸收，改善電池的轉(zhuǎn)換效率，目前采用的方式是在電池正面沉積減反射膜層，其常見結(jié)構(gòu)為氮化硅和氧化硅構(gòu)成的多層結(jié)構(gòu)。通過膜層的梯度折射率，同時結(jié)合材料的化學(xué)鈍化和體鈍化效果，在一定程度上能鈍化電池的缺陷，降低載流子復(fù)合。但氮化硅和氧化硅構(gòu)成的多層膜結(jié)構(gòu)，膜層設(shè)計(jì)較為單一，優(yōu)化改善的空間有限，減反射效果較差，鈍化效果受限，引起較低的光吸收和轉(zhuǎn)換效率。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問題在于，提供一種太陽能電池正面減反膜，其可提升光利用效率，提升太陽能電池的轉(zhuǎn)換效率。

2、本實(shí)用新型還要解決的技術(shù)問題在于，提供一種太陽能電池，其轉(zhuǎn)換效率高。

3、為了解決上述的技術(shù)問題，本實(shí)用新型提供了一種太陽能電池正面減反膜，設(shè)于硅基底上，包括依次層疊的二氧化鈦膜和二氧化錫膜；

4、所述二氧化錫膜的折射率小于所述二氧化鈦膜的折射率，所述二氧化錫膜的厚度與所述二氧化鈦膜的厚度相同或不同。

5、作為上述技術(shù)方案的改進(jìn)，所述二氧化鈦膜的厚度為5nm～15nm，折射率為2.1～2.3；

6、所述二氧化錫膜的厚度為5nm～15nm，折射率為1.9～2.0。

7、作為上述技術(shù)方案的改進(jìn)，還包括設(shè)于所述二氧化錫膜上的氮化硅膜；

8、所述氮化硅膜的折射率小于所述二氧化錫膜的折射率。

9、作為上述技術(shù)方案的改進(jìn)，所述氮化硅膜的厚度為10nm～150nm，折射率為1.5～1.8。

10、作為上述技術(shù)方案的改進(jìn)，還包括設(shè)于所述氧化錫膜上的氧化硅膜，所述氧化硅膜的折射率小于所述氧化錫膜的折射率。

11、作為上述技術(shù)方案的改進(jìn)，還包括設(shè)于所述氮化硅膜上的氧化硅膜，所述氧化硅膜的折射率小于所述氮化硅膜的折射率。

12、作為上述技術(shù)方案的改進(jìn)，所述氧化硅膜的厚度為5nm～20nm，折射率為1.1～1.4。

13、作為上述技術(shù)方案的改進(jìn)，所述氮化硅膜包括依次層疊的第一氮化硅膜、第二氮化硅膜和第三氮化硅膜；

14、所述第三氮化硅膜的折射率小于所述第二氮化硅膜的折射率，所述第二氮化硅膜的折射率小于所述第一氮化硅膜的折射率。

15、作為上述技術(shù)方案的改進(jìn)，所述第一氮化硅膜的厚度為10nm～20nm，折射率為1.5～1.8；

16、所述第二氮化硅膜的厚度為20nm～50nm，折射率為1.5～1.7

17、所述第三氮化硅膜的厚度為10nm～40nm，折射率為1.5～1.7。

18、相應(yīng)的，本發(fā)明還公開了一種太陽能電池，其包括上述的太陽能電池正面減反膜。

19、相應(yīng)的，本實(shí)用新型還公開了一種太陽能電池，其包括上述的太陽能電池正面減反膜。

20、實(shí)施本實(shí)用新型，具有如下有益效果：

21、本實(shí)用新型的太陽能電池正面減反膜，包括依次設(shè)于硅基底上的二氧化鈦膜和二氧化錫膜，且二氧化鈦膜的折射率大于二氧化錫膜的折射率，通過上述相近折射率的減反膜材料的的特定組合，解決現(xiàn)有減反膜膜層之間折射率差距較大導(dǎo)致光學(xué)失配造成光損失的問題，使得電池正面的光吸收系數(shù)增大，反射率更低，提高光利用率和改善鈍化效果，由此實(shí)現(xiàn)電池轉(zhuǎn)換效率的提升。

技術(shù)特征：

1.一種太陽能電池正面減反膜，設(shè)于硅基底上，其特征在于，包括依次層疊的二氧化鈦膜和二氧化錫膜；

2.如權(quán)利要求1所述的太陽能電池正面減反膜，其特征在于，所述二氧化鈦膜的厚度為5nm～15nm，折射率為2.1～2.3；

3.如權(quán)利要求1所述的太陽能電池正面減反膜，其特征在于，還包括設(shè)于所述二氧化錫膜上的氮化硅膜；

4.如權(quán)利要求3所述的太陽能電池正面減反膜，其特征在于，所述氮化硅膜的厚度為10nm～150nm，折射率為1.5～1.8。

5.如權(quán)利要求1所述的太陽能電池正面減反膜，其特征在于，還包括設(shè)于所述氧化錫膜上的氧化硅膜，所述氧化硅膜的折射率小于所述氧化錫膜的折射率。

6.如權(quán)利要求3所述的太陽能電池正面減反膜，其特征在于，還包括設(shè)于所述氮化硅膜上的氧化硅膜，所述氧化硅膜的折射率小于所述氮化硅膜的折射率。

7.如權(quán)利要求5或6所述的太陽能電池正面減反膜，其特征在于，所述氧化硅膜的厚度為5nm～20nm，折射率為1.1～1.4。

8.如權(quán)利要求3或6所述的太陽能電池正面減反膜，其特征在于，所述氮化硅膜包括依次層疊的第一氮化硅膜、第二氮化硅膜和第三氮化硅膜；

9.如權(quán)利要求8所述的太陽能電池正面減反膜，其特征在于，所述第一氮化硅膜的厚度為10nm～20nm，折射率為1.5～1.8；

10.一種太陽能電池，其特征在于，包括如權(quán)利要求1～9任一項(xiàng)所述的太陽能電池正面減反膜。

技術(shù)總結(jié)
本技術(shù)公開了一種太陽能電池正面減反膜及太陽能電池，涉及太陽能電池技術(shù)領(lǐng)域。其中，太陽能電池正面減反膜設(shè)于硅基底上，其包括依次層疊的二氧化鈦膜和二氧化錫膜；所述二氧化鈦膜的折射率大于所述二氧化錫膜的折射率，所述二氧化鈦膜的厚度與所述二氧化錫膜的厚度相同或不同。實(shí)施本技術(shù)，可提升光利用效率，提升太陽能電池的轉(zhuǎn)換效率。

技術(shù)研發(fā)人員：馮海薇,時寶,史元喆,楊永平,蔡鵬飛
受保護(hù)的技術(shù)使用者：天津愛旭太陽能科技有限公司
技術(shù)研發(fā)日：20240125
技術(shù)公布日：2024/12/19