本發(fā)明涉及光伏，特別是涉及一種背接觸太陽(yáng)能電池及其制備方法。

背景技術(shù)：

1、全背電極接觸晶硅太陽(yáng)能電池（bc電池）將電池的所有金屬電極設(shè)置在電池背面，由于電池正面沒(méi)有金屬電極的遮擋，能夠最大化電池吸收太陽(yáng)光的面積，減少光學(xué)損失，從而提升光電轉(zhuǎn)換效率。然而，此類(lèi)電池同時(shí)在背面設(shè)置p區(qū)和n區(qū)，在n區(qū)和p區(qū)的工藝制備時(shí)容易形成漏電通道，降低電池效率。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、基于此，有必要提供一種背接觸太陽(yáng)能電池及其制備方法，以解決bc電池p區(qū)和n區(qū)之間形成漏電通道的問(wèn)題。

2、本發(fā)明的第一方面為提供一種背接觸太陽(yáng)能電池，方案如下：

3、一種背接觸太陽(yáng)能電池，包括單晶硅襯底、隧穿氧化層、第一摻雜類(lèi)型多晶硅層、第二摻雜類(lèi)型多晶硅層、本征非晶硅層、第一電極以及第二電極；

4、所述隧穿氧化層設(shè)置在所述單晶硅襯底的第一側(cè)上，所述第一摻雜類(lèi)型多晶硅層、所述第二摻雜類(lèi)型多晶硅層和所述本征非晶硅層分別設(shè)置在所述隧穿氧化層上，所述本征非晶硅層設(shè)置在所述第一摻雜類(lèi)型多晶硅層和所述第二摻雜類(lèi)型多晶硅層之間，所述第一電極連接于所述第一摻雜類(lèi)型多晶硅層，所述第二電極連接于所述第二摻雜類(lèi)型多晶硅層；所述背接觸太陽(yáng)能電池具有隔離槽，所述隔離槽將所述本征非晶硅層分隔為連接于所述第一摻雜類(lèi)型多晶硅層的第一部分和連接于所述第二摻雜類(lèi)型多晶硅層的第二部分；所述第一電極連接于所述第一摻雜類(lèi)型多晶硅層，所述第二電極連接于所述第二摻雜類(lèi)型多晶硅層。

5、在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述隔離槽貫穿所述本征非晶硅層和所述隧穿氧化層，直至所述單晶硅襯底。

6、在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述隧穿氧化層的厚度為1nm~3nm。

7、在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述第一摻雜類(lèi)型多晶硅層的厚度為80nm~300nm。

8、在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述第二摻雜類(lèi)型多晶硅層的厚度為80nm~300nm。

9、在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述本征非晶硅層的厚度為80nm~300nm。

10、在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述隔離槽的寬度為50μm～150μm。

11、在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述背接觸太陽(yáng)能電池包括正面鈍化減反射層，所述正面鈍化減反射層設(shè)置在所述單晶硅襯底的第二側(cè)上。

12、在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述背接觸太陽(yáng)能電池包括背面鈍化減反射層，所述背面鈍化減反射層整體覆蓋在所述第一摻雜類(lèi)型多晶硅層、所述第二摻雜類(lèi)型多晶硅層、所述本征非晶硅層以及所述隔離槽的槽壁上。

13、本發(fā)明的第二方面為提供一種背接觸太陽(yáng)能電池的制備方法，方案如下：

14、一種背接觸太陽(yáng)能電池的制備方法，包括以下步驟：

15、在單晶硅襯底的一側(cè)上制備隧穿氧化層；

16、在所述隧穿氧化層上制備第一摻雜類(lèi)型多晶硅層、第二摻雜類(lèi)型多晶硅層和本征非晶硅層，所述本征非晶硅層位于所述第一摻雜類(lèi)型多晶硅層和所述第二摻雜類(lèi)型多晶硅層之間；

17、制備隔離槽，所述隔離槽將所述本征非晶硅層分隔為連接于所述第一摻雜類(lèi)型多晶硅層的第一部分和連接于所述第二摻雜類(lèi)型多晶硅層的第二部分；

18、制備連接于所述第一摻雜類(lèi)型多晶硅層的第一電極；

19、制備連接于所述第二摻雜類(lèi)型多晶硅層的第二電極。

20、在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述在所述隧穿氧化層上制備第一摻雜類(lèi)型多晶硅層、第二摻雜類(lèi)型多晶硅層和本征非晶硅層，所述本征非晶硅層設(shè)置在所述第一摻雜類(lèi)型多晶硅層和所述第二摻雜類(lèi)型多晶硅層之間的步驟包括：

21、在所述隧穿氧化層上制備本征非晶硅層；

22、在第一區(qū)域的所述本征非晶硅層上設(shè)置第一摻雜類(lèi)型漿料，在第二區(qū)域的所述本征非晶硅層上設(shè)置第二摻雜類(lèi)型漿料；

23、將設(shè)置有所述第一摻雜類(lèi)型漿料和所述第二摻雜類(lèi)型漿料的硅片進(jìn)行氫等離子體處理，使第一區(qū)域的所述本征非晶硅層摻雜形成所述第一摻雜類(lèi)型多晶硅層，使第二區(qū)域的所述本征非晶硅層摻雜形成所述第二摻雜類(lèi)型多晶硅層，所述第一摻雜類(lèi)型多晶硅層和所述第二摻雜類(lèi)型多晶硅層之間由所述本征非晶硅層隔開(kāi)。

24、在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述氫等離子體處理的射頻為30mw/cm2~mw/cm2，工藝壓力為0.9torr~1.2torr，工藝溫度為300℃~800℃，工藝時(shí)間為30s~180s。

25、在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述制備隔離槽的步驟包括：

26、在所述第一摻雜類(lèi)型多晶硅層、所述第二摻雜類(lèi)型多晶硅層和所述本征非晶硅層制備刻蝕保護(hù)層，所述刻蝕保護(hù)層露出第三區(qū)域的所述本征非晶硅層，第三區(qū)域位于第一區(qū)域和第二區(qū)域之間；

27、刻蝕去除第三區(qū)域的所述本征非晶硅層，形成所述隔離槽。

28、與傳統(tǒng)技術(shù)相比，上述背接觸太陽(yáng)能電池及其制備方法具有以下有益效果：

29、上述背接觸太陽(yáng)能電池及其制備方法在背面的第一摻雜類(lèi)型多晶硅層和第二摻雜類(lèi)型多晶硅層之間設(shè)置本征非晶硅層，防止漏電通道的產(chǎn)生，并且本征非晶硅層能夠?qū)尉Ч枰r底進(jìn)行化學(xué)鈍化，修復(fù)界面懸掛鍵，消除內(nèi)部復(fù)合中心，從而提升電池的轉(zhuǎn)換效率。上述背接觸太陽(yáng)能電池還設(shè)置隔離槽，將本征非晶硅層分隔為連接于第一摻雜類(lèi)型多晶硅層的第一部分和連接于第二摻雜類(lèi)型多晶硅層的第二部分，既彌補(bǔ)了該處單晶硅襯底的界面缺陷，又實(shí)現(xiàn)了兩種不同摻雜類(lèi)型介質(zhì)的絕緣，防止相互導(dǎo)通。

技術(shù)特征：

1.一種背接觸太陽(yáng)能電池，其特征在于，包括單晶硅襯底、隧穿氧化層、第一摻雜類(lèi)型多晶硅層、第二摻雜類(lèi)型多晶硅層、本征非晶硅層、第一電極以及第二電極；

2.如權(quán)利要求1所述的背接觸太陽(yáng)能電池，其特征在于，所述隔離槽貫穿所述本征非晶硅層和所述隧穿氧化層，直至所述單晶硅襯底。

3.如權(quán)利要求1所述的背接觸太陽(yáng)能電池，其特征在于，所述隔離槽的寬度為50μm～150μm。

4.如權(quán)利要求1所述的背接觸太陽(yáng)能電池，其特征在于，所述隧穿氧化層的厚度為1nm~3nm；和/或

5.如權(quán)利要求1所述的背接觸太陽(yáng)能電池，其特征在于，所述背接觸太陽(yáng)能電池包括正面鈍化減反射層，所述正面鈍化減反射層設(shè)置在所述單晶硅襯底的第二側(cè)上。

6.如權(quán)利要求1~5中任一項(xiàng)所述的背接觸太陽(yáng)能電池，其特征在于，所述背接觸太陽(yáng)能電池包括背面鈍化減反射層，所述背面鈍化減反射層整體覆蓋在所述第一摻雜類(lèi)型多晶硅層、所述第二摻雜類(lèi)型多晶硅層、所述本征非晶硅層以及所述隔離槽的槽壁上。

7.一種背接觸太陽(yáng)能電池的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

8.如權(quán)利要求7所述的背接觸太陽(yáng)能電池的制備方法，其特征在于，所述在所述隧穿氧化層上制備第一摻雜類(lèi)型多晶硅層、第二摻雜類(lèi)型多晶硅層和本征非晶硅層，所述本征非晶硅層設(shè)置在所述第一摻雜類(lèi)型多晶硅層和所述第二摻雜類(lèi)型多晶硅層之間的步驟包括：

9.如權(quán)利要求8所述的背接觸太陽(yáng)能電池的制備方法，其特征在于，所述氫等離子體處理的射頻為30mw/cm2~mw/cm2，工藝壓力為0.9torr~1.2torr，工藝溫度為300℃~800℃，工藝時(shí)間為30s~180s。

10.如權(quán)利要求7~9中任一項(xiàng)所述的背接觸太陽(yáng)能電池的制備方法，其特征在于，所述制備隔離槽的步驟包括：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明涉及一種背接觸太陽(yáng)能電池及其制備方法。上述背接觸太陽(yáng)能電池包括單晶硅襯底、隧穿氧化層、第一摻雜類(lèi)型多晶硅層、第二摻雜類(lèi)型多晶硅層、本征非晶硅層、第一電極以及第二電極。隧穿氧化層設(shè)置在單晶硅襯底的第一側(cè)上，第一摻雜類(lèi)型多晶硅層、第二摻雜類(lèi)型多晶硅層和本征非晶硅層分別設(shè)置在隧穿氧化層上，本征非晶硅層設(shè)置在第一摻雜類(lèi)型多晶硅層和第二摻雜類(lèi)型多晶硅層之間。背接觸太陽(yáng)能電池具有隔離槽，隔離槽將本征非晶硅層分隔為連接于第一摻雜類(lèi)型多晶硅層的第一部分和連接于第二摻雜類(lèi)型多晶硅層的第二部分。上述背接觸太陽(yáng)能電池既彌補(bǔ)了該處單晶硅襯底的界面缺陷，又實(shí)現(xiàn)了兩種不同摻雜類(lèi)型介質(zhì)的絕緣。

技術(shù)研發(fā)人員：歐文凱,張鵬,張東威,申品文,張麟,韓基強(qiáng),湯煒樂(lè)
受保護(hù)的技術(shù)使用者：江門(mén)普樂(lè)開(kāi)瑞太陽(yáng)能科技有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/12/19