本申請(qǐng)涉及半導(dǎo)體，尤其涉及一種半導(dǎo)體器件制造方法、系統(tǒng)、電子設(shè)備及存儲(chǔ)介質(zhì)。

背景技術(shù)：

1、在半導(dǎo)體制造中，在形成了晶體管等基本器件結(jié)構(gòu)(如源極、漏極和柵極等)之后，需要在器件表面沉積介質(zhì)層，并在介質(zhì)層上形成導(dǎo)電互連結(jié)構(gòu)。

2、然而，采用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積工藝沉積介質(zhì)層的過(guò)程中，會(huì)導(dǎo)致襯底表面產(chǎn)生可移動(dòng)的界面態(tài)電荷。這些可移動(dòng)的界面態(tài)電荷會(huì)影響半導(dǎo)體器件中的電場(chǎng)分布，增大器件漏電流，漏電流的增大會(huì)影響到柵極電壓與溝道導(dǎo)通之間的關(guān)系，導(dǎo)致器件閾值電壓降低，從而影響半導(dǎo)體器件的電學(xué)性能。

3、需要說(shuō)明的是，上述背景技術(shù)部分公開(kāi)的信息僅用于加強(qiáng)對(duì)本申請(qǐng)的背景的理解，因此可以包括不構(gòu)成對(duì)本領(lǐng)域普通技術(shù)人員已知的現(xiàn)有技術(shù)的信息。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、基于此，本申請(qǐng)實(shí)施例提供了一種半導(dǎo)體器件制造方法及半導(dǎo)體器件，可以顯著減少可移動(dòng)的界面態(tài)電荷數(shù)量，降低半導(dǎo)體器件漏電流，避免半導(dǎo)體器件的閾值電壓降低，從而保障半導(dǎo)體器件的電學(xué)性能和使用可靠性。

2、根據(jù)一些實(shí)施例，本申請(qǐng)一方面提供了一種半導(dǎo)體器件制造方法，包括：

3、提供襯底，所述襯底包括器件區(qū)域；

4、于所述襯底的所述器件區(qū)域上形成未摻雜硅玻璃介質(zhì)層；

5、于所述未摻雜硅玻璃介質(zhì)層上形成硼磷硅玻璃介質(zhì)層，所述硼磷硅玻璃介質(zhì)層中硼元素與磷元素的摻雜濃度比例范圍包括0.8～1.2；

6、于所述硼磷硅玻璃介質(zhì)層上形成導(dǎo)電層，所述導(dǎo)電層、所述硼磷硅玻璃介質(zhì)層及所述未摻雜硅玻璃介質(zhì)層共同構(gòu)成半導(dǎo)體器件。

7、在一些實(shí)施例中，所述硼磷硅玻璃介質(zhì)層的厚度范圍包括

8、在一些實(shí)施例中，于所述未摻雜硅玻璃介質(zhì)層上形成所述硼磷硅玻璃介質(zhì)層的過(guò)程中，工藝溫度范圍包括390℃～410℃。

9、在一些實(shí)施例中，于所述未摻雜硅玻璃介質(zhì)層上形成所述硼磷硅玻璃介質(zhì)層的過(guò)程中，工藝時(shí)間范圍包括9s～11s。

10、在一些實(shí)施例中，采用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積工藝，于所述襯底的所述器件區(qū)域上沉積生成所述未摻雜硅玻璃介質(zhì)層。

11、在一些實(shí)施例中，于所述未摻雜硅玻璃介質(zhì)層上形成所述硼磷硅玻璃介質(zhì)層的過(guò)程中，通入氮?dú)庖蕴峁┍Ｗo(hù)氣體氛圍。

12、在一些實(shí)施例中，所述于所述硼磷硅玻璃介質(zhì)層上形成導(dǎo)電層之后，所述半導(dǎo)體器件制造方法還包括：

13、于所述導(dǎo)電層上形成鈍化層。

14、在一些實(shí)施例中，所述導(dǎo)電層暴露出所述硼磷硅玻璃介質(zhì)層的部分表面；所述鈍化層還覆蓋所述硼磷硅玻璃介質(zhì)層暴露出的部分表面。

15、在一些實(shí)施例中，所述鈍化層的構(gòu)成材料包括氮化硅和/或氧化硅。

16、根據(jù)一些實(shí)施例，本申請(qǐng)另一方面還提供了一種半導(dǎo)體器件，制造所述半導(dǎo)體器件的過(guò)程包括如上任一實(shí)施例提供的半導(dǎo)體器件制造方法的步驟。

17、應(yīng)當(dāng)理解的是，以上的一般描述和后文的細(xì)節(jié)描述僅是示例性和解釋性的，并不能限制本申請(qǐng)。

18、本申請(qǐng)實(shí)施例可以/至少具有以下優(yōu)點(diǎn)：

19、本申請(qǐng)實(shí)施例在未摻雜硅玻璃(usg)介質(zhì)層上形成硼磷硅玻璃(bpsg)介質(zhì)層，并將硼磷硅玻璃中硼元素與磷元素的摻雜濃度比例控制在0.8至1.2之間，通過(guò)優(yōu)化硼磷硅玻璃介質(zhì)層中的硼、磷含量比例，從而有效復(fù)合在形成未摻雜硅玻璃介質(zhì)層的過(guò)程中產(chǎn)生的界面電荷，顯著減少了可移動(dòng)的界面態(tài)電荷數(shù)量，從而有助于降低半導(dǎo)體器件漏電流。

20、可移動(dòng)的界面態(tài)電荷會(huì)導(dǎo)致半導(dǎo)體器件的閾值電壓降低，進(jìn)而影響半導(dǎo)體器件的開(kāi)關(guān)特性。因此，通過(guò)本申請(qǐng)實(shí)施例對(duì)界面電荷進(jìn)行復(fù)合，避免了可移動(dòng)的界面態(tài)電荷對(duì)半導(dǎo)體器件的閾值電壓所帶來(lái)的不利影響，從而為半導(dǎo)體器件的電學(xué)性能和使用可靠性提供有力保障。

21、此外，通過(guò)將硼元素與磷元素的摻雜濃度比例控制在0.8至1.2之間，減少了可移動(dòng)的界面態(tài)電荷數(shù)量，還有助于改善因界面態(tài)電荷引起的電場(chǎng)擾動(dòng)，從而提升半導(dǎo)體器件的電性能穩(wěn)定性。

22、本申請(qǐng)的其他優(yōu)點(diǎn)、目標(biāo)和特征在某種程度上將在隨后的說(shuō)明書(shū)中進(jìn)行闡述，并且在某種程度上，基于對(duì)下文的考察研究對(duì)本領(lǐng)域技術(shù)人員而言將是顯而易見(jiàn)的，或者可以從本申請(qǐng)的實(shí)踐中得到教導(dǎo)。本申請(qǐng)的目標(biāo)和其他優(yōu)點(diǎn)可以通過(guò)下面的說(shuō)明書(shū)來(lái)實(shí)現(xiàn)和獲得。

技術(shù)特征：

1.一種半導(dǎo)體器件制造方法，其特征在于，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件制造方法，其特征在于，所述硼磷硅玻璃介質(zhì)層的厚度范圍包括

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件制造方法，其特征在于，于所述未摻雜硅玻璃介質(zhì)層上形成所述硼磷硅玻璃介質(zhì)層的過(guò)程中，工藝溫度范圍包括390℃～410℃。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件制造方法，其特征在于，于所述未摻雜硅玻璃介質(zhì)層上形成所述硼磷硅玻璃介質(zhì)層的過(guò)程中，工藝時(shí)間范圍包括9s～11s。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件制造方法，其特征在于，采用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積工藝，于所述襯底的所述器件區(qū)域上沉積生成所述未摻雜硅玻璃介質(zhì)層。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體器件制造方法，其特征在于，于所述未摻雜硅玻璃介質(zhì)層上形成所述硼磷硅玻璃介質(zhì)層的過(guò)程中，通入氮?dú)庖蕴峁┍Ｗo(hù)氣體氛圍。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件制造方法，其特征在于，所述于所述硼磷硅玻璃介質(zhì)層上形成導(dǎo)電層之后，所述半導(dǎo)體器件制造方法還包括：

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體器件制造方法，其特征在于，

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體器件制造方法，其特征在于，所述鈍化層的構(gòu)成材料包括氮化硅和/或氧化硅。

10.一種半導(dǎo)體器件，其特征在于，制造所述半導(dǎo)體器件的過(guò)程包括如權(quán)利要求1至9中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體器件制造方法的步驟。

技術(shù)總結(jié)
本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N半導(dǎo)體器件制造方法及半導(dǎo)體器件。該半導(dǎo)體器件制造方法包括：提供襯底，襯底包括器件區(qū)域；于襯底的器件區(qū)域上形成未摻雜硅玻璃介質(zhì)層；于未摻雜硅玻璃介質(zhì)層上形成硼磷硅玻璃介質(zhì)層，硼磷硅玻璃介質(zhì)層中硼元素與磷元素的摻雜濃度比例范圍包括0.8～1.2；于硼磷硅玻璃介質(zhì)層上形成導(dǎo)電層，導(dǎo)電層、硼磷硅玻璃介質(zhì)層及未摻雜硅玻璃介質(zhì)層共同構(gòu)成半導(dǎo)體器件。該半導(dǎo)體器件制造方法可以顯著減少可移動(dòng)的界面態(tài)電荷數(shù)量，降低半導(dǎo)體器件漏電流，避免半導(dǎo)體器件的閾值電壓降低，從而保障半導(dǎo)體器件的電學(xué)性能和使用可靠性。

技術(shù)研發(fā)人員：朱星宇,汪夢(mèng)迪
受保護(hù)的技術(shù)使用者：上海積塔半導(dǎo)體有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/12/19