技術(shù)編號：40403960
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本申請涉及半導(dǎo)體，尤其涉及一種半導(dǎo)體器件制造方法、系統(tǒng)、電子設(shè)備及存儲介質(zhì)。背景技術(shù)、在半導(dǎo)體制造中，在形成了晶體管等基本器件結(jié)構(gòu)(如源極、漏極和柵極等)之后，需要在器件表面沉積介質(zhì)層，并在介質(zhì)層上形成導(dǎo)電互連結(jié)構(gòu)。、然而，采用等離子體增強化學(xué)氣相沉積工藝沉積介質(zhì)層的過程中，會導(dǎo)致襯底表面產(chǎn)生可移動的界面態(tài)電荷。這些可移動的界面態(tài)電荷會影響半導(dǎo)體器件中的電場分布，增大器件漏電流，漏電流的增大會影響到柵極電壓與溝道導(dǎo)通之間的關(guān)系，導(dǎo)致器件閾值電壓降低，從而影響半導(dǎo)體器件的電學(xué)性能。、需要說明...
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