技術(shù)特征：

1.一種基于niox/ga2o3的雙異質(zhì)結(jié)增強(qiáng)型平面柵垂直雙極晶體管，包括襯底(1)，漂移區(qū)(2)，電流阻擋層(3)，歐姆接觸層(4)，p型導(dǎo)電層(5)，漏電極(6)，源電極(7)和柵電極(8)其特征在于：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶體管，其特征在于：兩個源電極(7)分別位于兩側(cè)的歐姆接觸層(4)上方，柵電極(8)位于p型導(dǎo)電層(5)的上方，漏電極(6)位于襯底(1)的下方。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶體管，其特征在于：

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶體管，其特征在于：

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶體管，其特征在于：電流阻擋層(3)采用的高電阻率ga2o3材料，其為n、p、mg、b、al、zn、se、fe、cu、as、sb、be、ca、sr、ba中的任意一種或任意幾種的組合。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶體管，其特征在于：

7.一種制備基于niox/ga2o3雙異質(zhì)結(jié)增強(qiáng)型平面柵垂直雙極晶體管的方法，其特征在于，包括如下步驟：

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于：

9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于：

10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于：所述步驟5)和所述步驟7)中的快速熱退火工藝由快速退火爐實現(xiàn)，其工藝參數(shù)分別如下：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種基于NiO<subgt;x</subgt;/Ga<subgt;2</subgt;O<subgt;3</subgt;雙異質(zhì)結(jié)增強(qiáng)型平面柵垂直雙極晶體管，主要解決現(xiàn)有技術(shù)不能實現(xiàn)增強(qiáng)型，反向耐壓能力差的問題。其自下而上包括漏電極、襯底、漂移區(qū)、p型導(dǎo)電層、柵電極，形成平面柵結(jié)構(gòu)；該漂移區(qū)上方兩側(cè)為電流阻擋層，p型導(dǎo)電層兩側(cè)為歐姆接觸層，柵電極兩側(cè)為源電極，其中襯底和歐姆接觸層均為高摻氧化鎵，漂移區(qū)為低摻氧化鎵，電流阻擋層為高電阻率氧化鎵，p型導(dǎo)電層為p型NiO<subgt;x</subgt;；該p型NiO<subgt;x</subgt;分別與歐姆接觸層和漂移區(qū)接觸形成第一異質(zhì)結(jié)J1和第二異質(zhì)結(jié)J2。本發(fā)明利用平面柵結(jié)構(gòu)及雙異質(zhì)結(jié)J1和J2能夠顯著提高器件的耐壓能力，實現(xiàn)器件的增強(qiáng)型，增大器件的安全工作區(qū)范圍，可用于制備大功率氧化鎵晶體管。

技術(shù)研發(fā)人員：周弘,岳紅慶,張進(jìn)成,郝躍
受保護(hù)的技術(shù)使用者：西安電子科技大學(xué)
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/12/19