本發(fā)明的示例性實(shí)施方式涉及一種等離子體處理方法及等離子體處理裝置。

背景技術(shù)：

1、等離子體處理裝置用于對基板的等離子體進(jìn)行處理。等離子體處理裝置具備腔室及基板保持電極?；灞３蛛姌O設(shè)置于腔室內(nèi)。基板保持電極保持載置于該主表面上的基板。這種等離子體處理裝置中的一種記載于專利文獻(xiàn)1即日本專利特開2009-187975號(hào)公報(bào)。

2、專利文獻(xiàn)1中記載的等離子體處理裝置還具備高頻產(chǎn)生裝置及直流負(fù)脈沖產(chǎn)生裝置。高頻產(chǎn)生裝置對基板保持電極施加高頻電壓。專利文獻(xiàn)1中記載的等離子體處理裝置中，交替切換高頻電壓的接通與斷開。并且，專利文獻(xiàn)1中記載的等離子體處理裝置中，根據(jù)高頻電壓的接通與斷開的時(shí)間從直流負(fù)脈沖產(chǎn)生裝置向基板保持電極施加直流負(fù)脈沖電壓。專利文獻(xiàn)1中記載的等離子體處理裝置中，直流負(fù)脈沖電壓即負(fù)極性脈沖狀直流電壓施加到基板保持電極時(shí)供應(yīng)到基板的離子的能量變得最大。直流負(fù)脈沖電壓未施加到基板時(shí)供應(yīng)到基板的離子的能量變得最小。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本發(fā)明提供一種能夠向基板供應(yīng)具有在單極電平的直流電壓施加到基板支撐器的下部電極時(shí)的離子的能量與當(dāng)下部電極的電位為接地電位時(shí)可得到的離子的能量之間的能量的離子的技術(shù)。

2、在一示例性實(shí)施方式中提供等離子體處理方法。等離子體處理方法包括在等離子體處理裝置的腔室內(nèi)的等離子體生成過程中的第一期間，向設(shè)置于腔室內(nèi)的基板支撐器的下部電極施加第一直流電壓的工序。等離子體處理方法還包括在腔室內(nèi)的等離子體生成過程中的與第一期間不同的第二期間向下部電極施加第二直流電壓的工序。第二直流電壓具有與第一直流電壓的電平不同的電平。第二直流電壓具有與第一直流電壓的極性相同的極性。

3、根據(jù)一示例性實(shí)施方式，能夠向基板供應(yīng)具有在單極電平的直流電壓施加到基板支撐器的下部電極時(shí)的離子的能量與當(dāng)下部電極的電位為接地電位時(shí)可得到的離子的能量之間的能量的離子。

技術(shù)特征：

1.一種等離子體處理裝置，其具備：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體處理裝置，其還具備：

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的等離子體處理裝置，其中，所述控制器被配置為控制所述第一開關(guān)、所述第二開關(guān)和所述第三開關(guān)，以在所述第二期間之后的所述重復(fù)序列的第四期間內(nèi)引起所述第一非導(dǎo)通狀態(tài)、所述第二非導(dǎo)通狀態(tài)和所述第三導(dǎo)通狀態(tài)。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的等離子體處理裝置，其中，所述參考電位的絕對值小于所述第一電壓電平的絕對值和所述第二電壓電平的絕對值。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的等離子體處理裝置，其中，所述參考電位是接地電位。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的等離子體處理裝置，其中，所述第一直流電壓和所述第二直流電壓具有負(fù)極性。

7.一種等離子體處理裝置，其具備：

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的等離子體處理裝置，其中，所述電源系統(tǒng)被配置為在所述第一期間和所述第二期間之間的所述重復(fù)序列的第三期間內(nèi)將所述下部電極連接至參考電位。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的等離子體處理裝置，其中，所述電源系統(tǒng)被配置為在所述第二期間之后的所述重復(fù)序列的第四期間內(nèi)將所述下部電極連接至參考電位。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的等離子體處理裝置，其中，所述參考電位的絕對值小于所述第一電壓電平的絕對值和所述第二電壓電平的絕對值。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的等離子體處理裝置，其中，所述參考電位是接地電位。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的等離子體處理裝置，其中，所述第一直流電壓和所述第二直流電壓具有負(fù)極性。

13.根據(jù)權(quán)利要求9所述的等離子體處理裝置，其中，所述電源系統(tǒng)包括：

14.一種等離子體處理裝置，其具備：

15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的等離子體處理裝置，其中，所述控制器被配置為：

16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的等離子體處理裝置，其中，所述第一期間少于所述第二期間。

17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的等離子體處理裝置，其中，所述直流電壓具有第一電壓電平，所述參考電位的絕對值小于所述第一電壓電平的絕對值。

18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的等離子體處理裝置，其中，所述參考電位是接地電位。

19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的等離子體處理裝置，其中，所述直流電壓具有負(fù)極性。

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供一種等離子體處理方法及等離子體處理裝置。一示例性實(shí)施方式所涉及的等離子體處理方法包括在等離子體處理裝置的腔室內(nèi)的等離子體生成過程中的第一期間，向設(shè)置于腔室內(nèi)的基板支撐器的下部電極施加第一直流電壓的工序。等離子體處理方法還包括在腔室內(nèi)的等離子體生成過程中的與第一期間不同的第二期間向下部電極施加第二直流電壓的工序。第二直流電壓具有與第一直流電壓的電平不同的電平。第二直流電壓具有與第一直流電壓的極性相同的極性。

技術(shù)研發(fā)人員：輿水地鹽,廣津信,池田武信,永海幸一,檜森慎司
受保護(hù)的技術(shù)使用者：東京毅力科創(chuàng)株式會(huì)社
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/12/19