本發(fā)明涉及太赫茲芯片設(shè)計，尤其涉及一種雙壓點太赫茲芯片、組件及制備方法。

背景技術(shù)：

1、隨著太赫茲技術(shù)在無線通訊、雷達(dá)成像等領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用，太赫茲單片集成電路芯片獲得了快速的發(fā)展。太赫茲芯片屬于平面集成電路，芯片接口一般采用共面波導(dǎo)(gsg)形式的壓點，g代表地壓點，s代表信號壓點。該壓點用于在片測試及金絲鍵合裝配。

2、在太赫茲頻段(100ghz以上)，用于電性能測試的高頻微波探針結(jié)構(gòu)非常精密，一般探針寬度不超過20um，相鄰針間距為50um，這樣的設(shè)計可以保證測試探針扎到芯片焊盤路徑上的信號傳輸損耗盡可能低，反射盡可能小，從而能夠精確測試太赫茲芯片電路的電性能。為了與測試探針匹配，常規(guī)太赫茲芯片中間的信號焊盤寬度為35um，信號焊盤與地焊盤的間隙為20um，兩側(cè)的地焊盤寬度為80um，太赫茲芯片地焊盤通過接地孔與芯片背面大地相連。太赫茲芯片的探針在片測試示意圖如圖1。

3、常規(guī)太赫茲芯片的信號焊盤雖然能夠滿足精確測試的需求，但是受限于較小的焊盤尺寸，在芯片需要與其他微帶傳輸線互聯(lián)時，只能通過鍵合1根直徑為25um的鍵合金絲實現(xiàn)。太赫茲芯片的單絲鍵合示意圖如圖2。這種單絲鍵合的方式，在太赫茲頻段更容易引入較大的寄生電感。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、本發(fā)明實施例提供了一種雙壓點太赫茲芯片、組件及制備方法，以解決太赫茲芯片減小寄生電感的問題。

2、第一方面，本發(fā)明實施例提供了一種雙壓點太赫茲芯片，包括：

3、基板、信號焊盤和對稱設(shè)于所述信號焊盤兩側(cè)的兩個地焊盤；所述信號焊盤和兩個所述地焊盤均設(shè)于所述基板正面的邊緣；

4、所述信號焊盤包括垂直于所述基板正面的邊緣橫向線性依次連接的第一信號焊盤和第二信號焊盤，所述第一信號焊盤靠近雙壓點太赫茲芯片的邊緣，所述第二信號焊盤靠近所述雙壓點太赫茲芯片的內(nèi)部；所述第二信號焊盤的寬度小于所述第一信號焊盤的寬度；

5、兩個所述地焊盤為異形焊盤，兩個所述地焊盤均包括互相連接的第一部和第二部，所述第一部靠近所述雙壓點太赫茲芯片的邊緣，所述第二部的一端與所述第一部連接，所述第二部的另一端逐漸向所述第二信號焊盤靠近；兩個所述地焊盤的第二部與所述第二信號焊盤橫向中軸線之間的最小距離小于探針間距，兩個所述地焊盤的第二部與所述第二信號焊盤橫向中軸線之間的最大距離大于探針間距；

6、所述第一信號焊盤用于與多鍵合絲鍵合，所述第二信號焊盤和兩個所述地焊盤的第二部用于與所述探針配合；所述第一信號焊盤的寬度大于多鍵合絲直徑的和。

7、第二方面，本發(fā)明實施例提供了一種雙壓點太赫茲組件，包括：

8、微帶傳輸線，以及上述的雙壓點太赫茲芯片；

9、其中，所述微帶傳輸線通過多鍵合絲與所述第一信號焊盤鍵合。

10、第三方面，本發(fā)明實施例提供了一種雙壓點太赫茲組件的制備方法，應(yīng)用于制備上述的雙壓點太赫茲組件，包括：

11、制備得到所述雙壓點太赫茲芯片；

12、將探針扎在所述雙壓點太赫茲芯片的兩個地焊盤的第二部和第二信號焊盤上，測試所述雙壓點太赫茲芯片；

13、在測試后，所述雙壓點太赫茲芯片的第一信號焊盤上鍵合多鍵合絲，連接外部微帶傳輸線，制備得到雙壓點太赫茲組件。

14、本發(fā)明實施例提供一種雙壓點太赫茲芯片、組件及制備方法，通過將第一信號焊盤靠近雙壓點太赫茲芯片的邊緣，便于與微帶傳輸線鍵合，通過設(shè)置兩個地焊盤的第二部與第二信號焊盤橫向中軸線之間的最小距離小于探針間距，兩個所述地焊盤的第二部與所述第二信號焊盤橫向中軸線之間的最大距離大于探針間距，便于探針對雙壓點太赫茲芯片測試，兼顧了雙壓點太赫茲芯片在片測試和多絲鍵合裝配的需求。該雙壓點太赫茲芯片結(jié)構(gòu)簡單，當(dāng)雙壓點太赫茲芯片需要在片測試時，可以使用探針直接扎兩個地焊盤和第二信號焊盤小壓點進(jìn)行測試；當(dāng)雙壓點太赫茲芯片需要鍵合時，第一信號焊盤大壓點可以保證鍵合多根鍵合絲，對比等長的單絲鍵合方式，相當(dāng)于多個電感并聯(lián)，從而降低寄生電感，改善傳輸匹配。

技術(shù)特征：

1.一種雙壓點太赫茲芯片，其特征在于，包括：基板、信號焊盤和對稱設(shè)于所述信號焊盤兩側(cè)的兩個地焊盤；所述信號焊盤和兩個所述地焊盤均設(shè)于所述基板正面的邊緣；

2.如權(quán)利要求1所述的雙壓點太赫茲芯片，其特征在于，所述鍵合絲的數(shù)量為2，所述鍵合絲為鍵合金絲。

3.如權(quán)利要求2所述的雙壓點太赫茲芯片，其特征在于，所述鍵合金絲的形狀為拱形。

4.如權(quán)利要求1所述的雙壓點太赫茲芯片，其特征在于，兩個所述地焊盤的第一部分別設(shè)有接地孔，所述第一部分別通過所述接地孔接地。

5.如權(quán)利要求1所述的雙壓點太赫茲芯片，其特征在于，所述第二信號焊盤的形狀為矩形。

6.如權(quán)利要求1所述的雙壓點太赫茲芯片，其特征在于，所述第一信號焊盤靠近所述雙壓點太赫茲芯片的邊緣的一側(cè)分別與兩個所述地焊盤的第一部靠近所述雙壓點太赫茲芯片的邊緣的一側(cè)平齊。

7.如權(quán)利要求1所述的雙壓點太赫茲芯片，其特征在于，所述第二信號焊盤靠近所述雙壓點太赫茲芯片的內(nèi)部的一側(cè)分別與兩個所述地焊盤的第二部靠近所述雙壓點太赫茲芯片的內(nèi)部的一側(cè)平齊。

8.如權(quán)利要求1所述的雙壓點太赫茲芯片，其特征在于，所述第一信號焊盤為正方形。

9.一種雙壓點太赫茲組件，包括微帶傳輸線，以及如權(quán)利要求1至8任一項所述的雙壓點太赫茲芯片；

10.一種雙壓點太赫茲組件的制備方法，其特征在于，應(yīng)用于制備如權(quán)利要求9所述的雙壓點太赫茲組件，所述方法包括：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供一種雙壓點太赫茲芯片、組件及制備方法。該雙壓點太赫茲芯片雙壓點結(jié)構(gòu)包括：基板、信號焊盤和對稱設(shè)于信號焊盤兩側(cè)的兩個地焊盤；信號焊盤包括第一信號焊盤和第二信號焊盤，第一信號焊盤靠近雙壓點太赫茲芯片的邊緣，第二信號焊盤靠近雙壓點太赫茲芯片的內(nèi)部；第二信號焊盤的寬度小于第一信號焊盤的寬度；兩個地焊盤為異形焊盤，兩個地焊盤均包括互相連接的第一部和第二部，第一部靠近雙壓點太赫茲芯片的邊緣，第二部的一端與第一部連接，第二部的另一端逐漸向第二信號焊盤靠近；兩個地焊盤的第二部與第二信號焊盤橫向中軸線之間的最小距離小于探針間距，最大距離大于探針間距。本發(fā)明能夠使太赫茲芯片減小寄生電感。

技術(shù)研發(fā)人員：韓易,曹健,何美林,盧軍廷
受保護(hù)的技術(shù)使用者：中國電子科技集團(tuán)公司第十三研究所
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/12/19