本申請涉及鍵合銀絲,尤其涉及一種基于數(shù)據(jù)監(jiān)控的鍵合銀絲設(shè)備微軋控制方法及設(shè)備。
背景技術(shù):
1、隨著社會經(jīng)濟的發(fā)展和科技的進步,現(xiàn)代工業(yè)生產(chǎn)中越來越多地應(yīng)用了各種自動化設(shè)備,其中包括鍵合銀絲設(shè)備。鍵合銀絲設(shè)備是一種用于生產(chǎn)微電子器件的關(guān)鍵設(shè)備,它可以實現(xiàn)對銀絲的精確加工和連接,保障了微電子器件的穩(wěn)定性和可靠性。然而,在鍵合銀絲設(shè)備的生產(chǎn)過程中,由于鍵合銀絲設(shè)備本身和生產(chǎn)環(huán)境等因素的影響,往往會導致銀絲的加工精度和連接質(zhì)量不穩(wěn)定,甚至出現(xiàn)故障。為了及時發(fā)現(xiàn)并解決這些問題,必須對鍵合銀絲設(shè)備進行有效的監(jiān)控和控制。因此,提供一種對鍵合銀絲設(shè)備有效監(jiān)控控制的方案非常重要。
技術(shù)實現(xiàn)思路
1、本申請?zhí)峁┝艘环N基于數(shù)據(jù)監(jiān)控的鍵合銀絲設(shè)備微軋控制方法及設(shè)備,用以提供一種對鍵合銀絲設(shè)備有效監(jiān)控控制的方案。
2、第一方面,本申請?zhí)峁┝艘环N基于數(shù)據(jù)監(jiān)控的鍵合銀絲設(shè)備微軋控制方法,所述方法包括:
3、在鍵合銀絲設(shè)備生產(chǎn)過程中,確定銀坯已鍛造,將銀坯移動至清洗區(qū)域,利用位移傳感器確定所述銀坯移動至所述清洗區(qū)域的移動反饋值,根據(jù)所述移動反饋值確定移動檢測結(jié)果;
4、若所述移動檢測結(jié)果為移動正常,啟動高壓泵清洗,利用水壓傳感器確定清洗過程中的高壓泵水壓值,根據(jù)所述高壓泵水壓值確定清洗檢測結(jié)果;
5、若所述清洗檢測結(jié)果為清洗正常,利用激光測徑儀確定清洗后的銀坯的直徑,根據(jù)所述銀坯的直徑確定銀坯質(zhì)量檢測結(jié)果;
6、若所述銀坯質(zhì)量檢測結(jié)果為質(zhì)量正常,按照工藝流程將銀坯制作成銀材,將所述銀材進行微軋,確定所述銀材的晶界移動系數(shù),根據(jù)所述晶界移動系數(shù),確定電弧熔積檢測結(jié)果;
7、若所述電弧熔積檢測結(jié)果為電弧熔積正常,利用x射線晶體分析儀檢測當結(jié)晶的點陣參數(shù),根據(jù)所述點陣參數(shù)確定微軋檢測結(jié)果。
8、第二方面,本申請?zhí)峁┝艘环N基于數(shù)據(jù)監(jiān)控的鍵合銀絲設(shè)備微軋控制裝置,所述裝置包括:
9、第一檢測模塊,用于在鍵合銀絲設(shè)備生產(chǎn)過程中,確定銀坯已鍛造,將銀坯移動至清洗區(qū)域,利用位移傳感器確定所述銀坯移動至所述清洗區(qū)域的移動反饋值,根據(jù)所述移動反饋值確定移動檢測結(jié)果;
10、第二檢測模塊,用于若所述移動檢測結(jié)果為移動正常,啟動高壓泵清洗,利用水壓傳感器確定清洗過程中的高壓泵水壓值,根據(jù)所述高壓泵水壓值確定清洗檢測結(jié)果;
11、第三檢測模塊,用于若所述清洗檢測結(jié)果為清洗正常,利用激光測徑儀確定清洗后的銀坯的直徑,根據(jù)所述銀坯的直徑確定銀坯質(zhì)量檢測結(jié)果;
12、第四檢測模塊,用于若所述銀坯質(zhì)量檢測結(jié)果為質(zhì)量正常,按照工藝流程將銀坯制作成銀材,將所述銀材進行微軋,確定所述銀材的晶界移動系數(shù),根據(jù)所述晶界移動系數(shù),確定電弧熔積檢測結(jié)果;
13、第五檢測模塊,用于若所述電弧熔積檢測結(jié)果為電弧熔積正常,利用x射線晶體分析儀檢測當結(jié)晶的點陣參數(shù),根據(jù)所述點陣參數(shù)確定微軋檢測結(jié)果。
14、第三方面,本申請?zhí)峁┝艘环N電子設(shè)備,包括處理器、通信接口、存儲器和通信總線,其中,處理器,通信接口,存儲器通過通信總線完成相互間的通信;
15、存儲器,用于存放計算機程序;
16、處理器,用于執(zhí)行存儲器上所存放的程序時,實現(xiàn)所述的方法步驟。
17、第四方面,本申請?zhí)峁┝艘环N計算機可讀存儲介質(zhì),所述計算機可讀存儲介質(zhì)內(nèi)存儲有計算機程序,所述計算機程序被處理器執(zhí)行時實現(xiàn)所述的方法步驟。
18、本申請?zhí)峁┝艘环N基于數(shù)據(jù)監(jiān)控的鍵合銀絲設(shè)備微軋控制方法及設(shè)備,所述方法包括:在鍵合銀絲設(shè)備生產(chǎn)過程中,確定銀坯已鍛造,將銀坯移動至清洗區(qū)域,利用位移傳感器確定所述銀坯移動至所述清洗區(qū)域的移動反饋值,根據(jù)所述移動反饋值確定移動檢測結(jié)果;若所述移動檢測結(jié)果為移動正常,啟動高壓泵清洗,利用水壓傳感器確定清洗過程中的高壓泵水壓值,根據(jù)所述高壓泵水壓值確定清洗檢測結(jié)果;若所述清洗檢測結(jié)果為清洗正常,利用激光測徑儀確定清洗后的銀坯的直徑,根據(jù)所述銀坯的直徑確定銀坯質(zhì)量檢測結(jié)果;若所述銀坯質(zhì)量檢測結(jié)果為質(zhì)量正常,按照工藝流程將銀坯制作成銀材,將所述銀材進行微軋,確定所述銀材的晶界移動系數(shù),根據(jù)所述晶界移動系數(shù),確定電弧熔積檢測結(jié)果;若所述電弧熔積檢測結(jié)果為電弧熔積正常,利用x射線晶體分析儀檢測當結(jié)晶的點陣參數(shù),根據(jù)所述點陣參數(shù)確定微軋檢測結(jié)果。
19、上述的技術(shù)方案具有如下優(yōu)點或有益效果:
20、本申請中,在鍵合銀絲設(shè)備生產(chǎn)過程中,根據(jù)位移傳感器采集的數(shù)據(jù)確定銀坯移動至清洗區(qū)域過程中,銀坯移動檢測結(jié)果;移動正常時,根據(jù)水壓傳感器采集的數(shù)據(jù)確定銀坯清洗檢測結(jié)果;在清洗正常時,根據(jù)激光測徑儀采集的數(shù)據(jù)確定銀坯質(zhì)量檢測結(jié)果;在銀坯質(zhì)量正常時,根據(jù)晶界移動系數(shù),確定電弧熔積檢測結(jié)果;在電弧熔積正常,根據(jù)x射線晶體分析儀采集的數(shù)據(jù)確定微軋檢測結(jié)果。從而實現(xiàn)了鍵合銀絲設(shè)備生產(chǎn)過程中自動化的基于數(shù)據(jù)監(jiān)控的鍵合銀絲設(shè)備微軋控制方案。本申請通過對鍵合銀絲設(shè)備的各項參數(shù)進行實時監(jiān)測和分析,可以及時發(fā)現(xiàn)鍵合銀絲設(shè)備運行中的異常情況,提高生產(chǎn)效率,降低生產(chǎn)成本,并保證產(chǎn)品質(zhì)量,從而更好地滿足市場需求。本申請為鍵合銀絲設(shè)備的生產(chǎn)提供更加有效的監(jiān)控和控制手段,有助于提升鍵合銀絲設(shè)備的生產(chǎn)能力和產(chǎn)品質(zhì)量,推動整個微電子器件產(chǎn)業(yè)的發(fā)展和進步。
1.一種基于數(shù)據(jù)監(jiān)控的鍵合銀絲設(shè)備微軋控制方法,其特征在于,所述方法包括:
2.如權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,根據(jù)所述移動反饋值確定移動檢測結(jié)果包括:
3.如權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,所述利用水壓傳感器確定清洗過程中的高壓泵水壓值,根據(jù)所述高壓泵水壓值確定清洗檢測結(jié)果包括:
4.如權(quán)利要求3所述的方法,其特征在于,若各個第二比值均屬于預設(shè)的第二比值范圍,確定所述清洗檢測結(jié)果為清洗正常之前,所述方法還包括:
5.如權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,所述利用激光測徑儀確定清洗后的銀坯的直徑,根據(jù)所述銀坯的直徑確定銀坯質(zhì)量檢測結(jié)果包括:
6.如權(quán)利要求5所述的方法,其特征在于,若所述第四比值屬于預設(shè)的第四比值范圍,確定所述銀坯質(zhì)量檢測結(jié)果為質(zhì)量正常之前,所述方法還包括:
7.如權(quán)利要求6所述的方法,其特征在于,將所述銀材進行微軋,確定所述銀材的晶界移動系數(shù)包括:
8.如權(quán)利要求7所述的方法,其特征在于,根據(jù)所述晶界移動系數(shù),確定電弧熔積檢測結(jié)果包括:
9.如權(quán)利要求7所述的方法,其特征在于,利用x射線晶體分析儀檢測當結(jié)晶的點陣參數(shù),根據(jù)所述點陣參數(shù)確定微軋檢測結(jié)果包括:
10.一種電子設(shè)備,其特征在于,包括處理器、通信接口、存儲器和通信總線,其中,處理器,通信接口,存儲器通過通信總線完成相互間的通信;