本發(fā)明涉及帶有滅弧或防弧裝置的高壓或大電流開(kāi)關(guān)，尤其涉及一種軟連接結(jié)構(gòu)及高壓開(kāi)關(guān)極柱。

背景技術(shù)：

1、隨著配電網(wǎng)負(fù)荷越來(lái)越大，對(duì)柱上開(kāi)關(guān)的安全性及可靠性的要求也越來(lái)越高，為滿(mǎn)足電網(wǎng)的5級(jí)級(jí)差保護(hù)要求，響應(yīng)快速的磁控式開(kāi)關(guān)在配網(wǎng)端中的應(yīng)用較為頻繁。磁控式開(kāi)關(guān)的控制力為電磁力，在開(kāi)關(guān)合閘狀態(tài)下不設(shè)有閉鎖結(jié)構(gòu)。如圖1-2所示，現(xiàn)有的磁控式開(kāi)關(guān)的各類(lèi)極柱中使用的軟連接結(jié)構(gòu)為規(guī)則的長(zhǎng)條形軟連接8，因其造型簡(jiǎn)單且用料較少，因此在各類(lèi)極柱中得到廣泛應(yīng)用。長(zhǎng)條形軟連接8一端為接線端，另一端與滅弧室動(dòng)端相連，當(dāng)電流經(jīng)過(guò)長(zhǎng)條形軟連接8時(shí)，此時(shí)電流方向7與高壓開(kāi)關(guān)內(nèi)的磁感線方向6垂直，根據(jù)安培定則，所述長(zhǎng)條形軟連接8受到的電動(dòng)力方向與滅弧室動(dòng)端的合閘運(yùn)動(dòng)方向相反，因此現(xiàn)有的磁控式開(kāi)關(guān)中的長(zhǎng)條形軟連接8在磁場(chǎng)的作用下會(huì)阻止磁控式開(kāi)關(guān)的合閘動(dòng)作，嚴(yán)重的會(huì)導(dǎo)致處于合閘狀態(tài)下的磁控式開(kāi)關(guān)出現(xiàn)分離甚至偷跳等合閘不穩(wěn)定現(xiàn)象。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本發(fā)明的目的在于提供一種軟連接結(jié)構(gòu)，用以解決現(xiàn)有的長(zhǎng)條形軟連接在磁場(chǎng)中會(huì)受到與滅弧室動(dòng)端合閘運(yùn)動(dòng)方向相反的電動(dòng)力，從而會(huì)導(dǎo)致長(zhǎng)條形軟連接阻止磁控式開(kāi)關(guān)的合閘動(dòng)作的問(wèn)題。同時(shí)，本發(fā)明還提供了一種高壓開(kāi)關(guān)極柱，包含本發(fā)明的軟連接結(jié)構(gòu)，減小了現(xiàn)有的帶有長(zhǎng)條形軟連接的高壓開(kāi)關(guān)在使用過(guò)程中長(zhǎng)條形軟連接的電動(dòng)力對(duì)真空滅弧室動(dòng)端的影響，改善了磁控式開(kāi)關(guān)的合閘不穩(wěn)定情況，增加了電網(wǎng)運(yùn)行的可靠性。

2、為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了一種軟連接結(jié)構(gòu)，包括螺旋形片體，螺旋形片體的靠近螺旋中心的一端為用于與滅弧室動(dòng)端連接的連接端，遠(yuǎn)離螺旋中心的一端為用于與出線側(cè)連接的接線端。

3、進(jìn)一步，螺旋形片體從連接端到接線端的回旋角度小于360°。

4、進(jìn)一步，螺旋形片體從連接端到接線端的回旋角度在150度至180度之間。

5、進(jìn)一步，所述螺旋形片體為在厚度方向上設(shè)置的層疊結(jié)構(gòu)。

6、進(jìn)一步，所述層疊結(jié)構(gòu)為多層銅箔。

7、本發(fā)明提供了一種軟連接結(jié)構(gòu)，所述軟連接結(jié)構(gòu)包括螺旋形片體，螺旋形片體的螺旋方向與磁場(chǎng)中磁感線方向更加接近，根據(jù)安培定則，本發(fā)明的軟連接結(jié)構(gòu)可以保證當(dāng)電流流經(jīng)螺旋形片體時(shí)，螺旋形片體受到的安培力會(huì)極大減小，從而減小軟連接電動(dòng)力對(duì)滅弧室動(dòng)端的影響。相較于原有的長(zhǎng)條形軟連接，本發(fā)明的軟連接結(jié)構(gòu)采用簡(jiǎn)單的螺旋形結(jié)構(gòu)，避免了軟連接結(jié)構(gòu)所受的電動(dòng)力會(huì)阻止磁控式開(kāi)關(guān)合閘動(dòng)作的現(xiàn)象。

8、本發(fā)明的高壓開(kāi)關(guān)極柱，包括殼體以及安裝在殼體內(nèi)的滅弧室，所述滅弧室的動(dòng)觸頭與出線側(cè)之間連接有軟連接結(jié)構(gòu)，所述軟連接結(jié)構(gòu)包括螺旋形片體，螺旋形片體的靠近螺旋中心的一端與滅弧室動(dòng)端連接，遠(yuǎn)離螺旋中心的一端與出線側(cè)連接。

9、進(jìn)一步，螺旋形片體的兩端之間的回旋角度小于360°。

10、進(jìn)一步，螺旋形片體的兩端之間的回旋角度在150度至180度之間。

11、進(jìn)一步，所述螺旋形片體為在厚度方向上設(shè)置的層疊結(jié)構(gòu)。

12、進(jìn)一步，所述層疊結(jié)構(gòu)為多層銅箔。

13、本發(fā)明提供了一種高壓開(kāi)關(guān)極柱，改善了原有的高壓開(kāi)關(guān)極柱在工作狀態(tài)下發(fā)生的磁控機(jī)構(gòu)分離甚至產(chǎn)生偷跳現(xiàn)象的問(wèn)題，通過(guò)將高壓開(kāi)關(guān)中的軟連接結(jié)構(gòu)設(shè)置為螺旋形片體，以在工作狀態(tài)下的磁場(chǎng)作用時(shí)流經(jīng)螺旋形片體的電流方向與磁感線的方向更加接近，通過(guò)對(duì)軟連接結(jié)構(gòu)的形狀的設(shè)置，減小了軟連接結(jié)構(gòu)電動(dòng)力對(duì)滅弧室動(dòng)端的影響，增強(qiáng)電網(wǎng)運(yùn)行的安全性及可靠性。

技術(shù)特征：

1.一種軟連接結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括螺旋形片體，螺旋形片體的靠近螺旋中心的一端為用于與滅弧室動(dòng)端連接的連接端，遠(yuǎn)離螺旋中心的一端為用于與出線側(cè)連接的接線端。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的軟連接結(jié)構(gòu)，其特征在于，螺旋形片體從連接端到接線端的回旋角度小于360°。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的軟連接結(jié)構(gòu)，其特征在于，螺旋形片體從連接端到接線端的回旋角度在150度至180度之間。

4.根據(jù)權(quán)利要求1-3任意一項(xiàng)所述的軟連接結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述螺旋形片體為在厚度方向上設(shè)置的層疊結(jié)構(gòu)。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的軟連接結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述層疊結(jié)構(gòu)為多層銅箔。

6.高壓開(kāi)關(guān)極柱，其特征在于，包括殼體以及安裝在殼體內(nèi)的滅弧室，所述滅弧室的動(dòng)觸頭與出線側(cè)之間連接有軟連接結(jié)構(gòu)，所述軟連接結(jié)構(gòu)包括螺旋形片體，螺旋形片體的靠近螺旋中心的一端與滅弧室動(dòng)端連接，遠(yuǎn)離螺旋中心的一端與出線側(cè)連接。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的高壓開(kāi)關(guān)極柱，其特征在于，螺旋形片體的兩端之間的回旋角度小于360°。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的高壓開(kāi)關(guān)極柱，其特征在于，螺旋形片體的兩端之間的回旋角度在150度至180度之間。

9.根據(jù)權(quán)利要求6-8任意一項(xiàng)所述的高壓開(kāi)關(guān)極柱，其特征在于，所述螺旋形片體為在厚度方向上設(shè)置的層疊結(jié)構(gòu)。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的高壓開(kāi)關(guān)極柱，其特征在于，所述層疊結(jié)構(gòu)為多層銅箔。

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明涉及帶有滅弧或防弧裝置的高壓或大電流開(kāi)關(guān)技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及軟連接結(jié)構(gòu)及高壓開(kāi)關(guān)極柱。本發(fā)明的軟連接結(jié)構(gòu)對(duì)現(xiàn)有的長(zhǎng)條形軟連接進(jìn)行改進(jìn)，通過(guò)將軟連接結(jié)構(gòu)設(shè)置為螺旋形片體，能夠在電流流經(jīng)軟連接結(jié)構(gòu)時(shí)，使軟連接結(jié)構(gòu)受到的安培力極大減小，因而可以減小軟連接結(jié)構(gòu)的電動(dòng)力對(duì)滅弧室動(dòng)端的影響，相較于原有的長(zhǎng)條形軟連接，本發(fā)明的軟連接結(jié)構(gòu)可以改善磁控式斷路器的合閘不穩(wěn)定情況，增加電網(wǎng)運(yùn)行的可靠性。

技術(shù)研發(fā)人員：溫永威,任璐,李守業(yè),連鑫棟,汪寧,岳禹州,王茜,楊世亮,張?jiān)鱿?豐宇庭,廉繼英,翟莘,李孟嫡,王強(qiáng),左明輝,沈培培,方楷林,宋志尚,王怡凡,王寧
受保護(hù)的技術(shù)使用者：天津平高智能電氣有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/11/18