本申請(qǐng)的實(shí)施例涉及半導(dǎo)體器件及其形成方法。

背景技術(shù)：

1、由于各種電子組件(例如，晶體管、二極管、電阻器、電容器等)的集成密度不斷改進(jìn)，半導(dǎo)體工業(yè)經(jīng)歷了快速增長(zhǎng)。在大多數(shù)情況下，集成密度的改進(jìn)源于最小部件尺寸的迭代減小，這允許更多的組件集成至給定區(qū)中。隨著對(duì)縮小電子器件需求增長(zhǎng)，出現(xiàn)了對(duì)半導(dǎo)體管芯的更小且更具創(chuàng)造性的封裝技術(shù)的需求。這樣的封裝系統(tǒng)的實(shí)例是層疊封裝(pop)技術(shù)。在pop器件中，頂部半導(dǎo)體封裝件堆疊在底部半導(dǎo)體封裝件的頂部上，以提供高集成水平和組件密度。pop技術(shù)通常使得能夠在印刷電路板(pcb)上生產(chǎn)具有增強(qiáng)功能和小覆蓋區(qū)的半導(dǎo)體器件。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本申請(qǐng)的一些實(shí)施例提供了一種半導(dǎo)體器件，包括：第一管芯，包括：襯底，包括第一表面和與所述第一表面相對(duì)的第二表面；有源器件，位于所述襯底的所述第一表面上；第一互連結(jié)構(gòu)，位于所述襯底的所述第一表面上；襯底通孔，穿過(guò)所述第一互連結(jié)構(gòu)和所述襯底延伸至所述襯底的所述第二表面，所述襯底通孔電耦合至所述第一互連結(jié)構(gòu)中的金屬化圖案；以及一個(gè)或多個(gè)材料填充的溝槽結(jié)構(gòu)，從所述襯底的所述第二表面延伸至所述襯底中，所述一個(gè)或多個(gè)材料填充的溝槽結(jié)構(gòu)與所述襯底通孔電隔離。

2、本申請(qǐng)的另一些實(shí)施例提供了一種形成半導(dǎo)體器件的方法，包括：形成包括襯底的第一管芯，所述襯底包括第一表面和與所述第一表面相對(duì)的第二表面；在所述襯底的所述第一表面上形成有源器件；在所述襯底的所述第一表面上形成第一互連結(jié)構(gòu)；形成穿過(guò)所述第一互連結(jié)構(gòu)和所述襯底延伸至所述襯底的所述第二表面的襯底通孔，所述襯底通孔電耦合至所述第一互連結(jié)構(gòu)中的金屬化圖案；以及形成從所述襯底的所述第二表面延伸至所述襯底中的一個(gè)或多個(gè)材料填充的溝槽結(jié)構(gòu)，所述一個(gè)或多個(gè)材料填充的溝槽結(jié)構(gòu)與所述襯底通孔電隔離。

3、本申請(qǐng)的又一些實(shí)施例提供了一種形成半導(dǎo)體器件的方法，包括：形成包括第一表面和與所述第一表面相對(duì)的第二表面的第一管芯，其中，形成所述第一管芯包括：在第一襯底上方形成第一互連結(jié)構(gòu)，所述第一互連結(jié)構(gòu)包括金屬化圖案；形成穿過(guò)所述第一互連結(jié)構(gòu)和所述第一襯底的襯底通孔；在所述第一互連結(jié)構(gòu)和所述襯底通孔上方形成接合焊盤(pán)，所述接合焊盤(pán)位于所述第一管芯的所述第一表面上；在所述第一管芯的所述第二表面中形成溝槽；用第一材料填充所述第一管芯的所述第二表面中的所述溝槽；使所述第一管芯的所述第二表面凹進(jìn)以暴露所述襯底通孔；以及在所述第一管芯的所述凹進(jìn)的第二表面上形成接合焊盤(pán)；以及將所述第一管芯的所述接合焊盤(pán)直接接合至第二管芯的接合焊盤(pán)。

技術(shù)特征：

1.一種半導(dǎo)體器件，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述一個(gè)或多個(gè)材料填充的溝槽結(jié)構(gòu)包括介電材料。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述一個(gè)或多個(gè)材料填充的溝槽結(jié)構(gòu)包括導(dǎo)電材料。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，還包括：

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體器件，還包括：

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體器件，還包括：

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述一個(gè)或多個(gè)材料填充的溝槽結(jié)構(gòu)形成翹曲調(diào)整結(jié)構(gòu)。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，從所述襯底的所述第一表面移動(dòng)至所述第二表面，所述襯底通孔的所述寬度減小。

9.一種形成半導(dǎo)體器件的方法，包括：

10.一種形成半導(dǎo)體器件的方法，包括：

技術(shù)總結(jié)
實(shí)施例是包括第一管芯的器件，并且襯底包括第一表面和與第一表面相對(duì)的第二表面。器件也包括位于襯底的第一表面上的有源器件。器件也包括位于襯底的第一表面上的第一互連結(jié)構(gòu)。器件也包括穿過(guò)第一互連結(jié)構(gòu)和襯底延伸至襯底的第二表面的襯底通孔，襯底通孔電耦合至第一互連結(jié)構(gòu)中的金屬化圖案。器件也包括從襯底的第二表面延伸至襯底中的一個(gè)或多個(gè)材料填充的溝槽結(jié)構(gòu)，一個(gè)或多個(gè)材料填充的溝槽結(jié)構(gòu)與襯底通孔電隔離。本申請(qǐng)的實(shí)施例還涉及半導(dǎo)體器件及其形成方法。

技術(shù)研發(fā)人員：文克剛,吳于貝,王良瑋,陳鑫封,蕭琮介,蘇致銓,陳殿豪
受保護(hù)的技術(shù)使用者：臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/12/19