本申請(qǐng)的實(shí)施例涉及半導(dǎo)體器件及其形成方法。

背景技術(shù)：

1、由于各種電子組件(例如，晶體管、二極管、電阻器、電容器等)的集成密度不斷改進(jìn)，半導(dǎo)體工業(yè)經(jīng)歷了快速增長(zhǎng)。在很大程度上，集成密度的改進(jìn)源于最小部件尺寸的迭代減小，這允許更多組件集成至給定區(qū)中。隨著對(duì)縮小電子器件的需求增長(zhǎng)，出現(xiàn)了對(duì)半導(dǎo)體管芯的更小且更具創(chuàng)造性的封裝技術(shù)的需求。這樣的封裝系統(tǒng)的實(shí)例是層疊封裝(pop)技術(shù)。在pop器件中，頂部半導(dǎo)體封裝件堆疊在底部半導(dǎo)體封裝件的頂部上，以提供高水平的集成和組件密度。pop技術(shù)通常能夠在印刷電路板(pcb)上生產(chǎn)具有增強(qiáng)功能和小覆蓋區(qū)的半導(dǎo)體器件。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本申請(qǐng)的一些實(shí)施例提供了一種半導(dǎo)體器件，包括：第一管芯，包括第一表面和與所述第一表面相對(duì)的第二表面，其中，所述第一管芯包括：多個(gè)襯底通孔(tsv)，從所述第一管芯的所述第二表面暴露；保護(hù)環(huán)，圍繞所述多個(gè)襯底通孔；以及偽金屬化圖案，圍繞所述保護(hù)環(huán)。在一些實(shí)施例中，所述保護(hù)環(huán)延伸至所述多個(gè)襯底通孔之間。

2、本申請(qǐng)的又一些實(shí)施例提供了一種形成半導(dǎo)體器件的方法，包括：形成包括第一表面和與所述第一表面相對(duì)的第二表面的第一管芯，其中，形成所述第一管芯包括：在第一襯底上方形成第一互連結(jié)構(gòu)，所述第一互連結(jié)構(gòu)包括有源金屬化圖案、保護(hù)環(huán)和偽金屬化圖案；形成穿過所述第一互連結(jié)構(gòu)和所述第一襯底的襯底通孔(tsv)，所述保護(hù)環(huán)圍繞所述第一互連結(jié)構(gòu)中的所述襯底通孔，所述偽金屬化圖案圍繞所述保護(hù)環(huán)；以及在所述第一互連結(jié)構(gòu)上方形成連接至所述第一互連結(jié)構(gòu)的所述襯底通孔和所述有源金屬化圖案的接合焊盤，所述接合焊盤位于所述第一管芯的所述第一表面上，所述襯底通孔暴露在所述第一管芯的所述第二表面處；形成包括第一表面和與所述第一表面相對(duì)的第二表面的第二管芯；以及將所述第一管芯的所述第一表面接合至所述第二管芯的所述第一表面。

3、本申請(qǐng)的又一些實(shí)施例提供了一種形成半導(dǎo)體器件的方法，包括：形成包括第一表面和與所述第一表面相對(duì)的第二表面的第一管芯，其中，形成所述第一管芯包括：在第一襯底上方形成第一互連結(jié)構(gòu)，所述第一互連結(jié)構(gòu)包括有源金屬化圖案、保護(hù)環(huán)和偽金屬化圖案；形成穿過所述第一互連結(jié)構(gòu)和所述第一襯底的襯底通孔(tsv)，所述保護(hù)環(huán)是圍繞所述第一互連結(jié)構(gòu)中的所述襯底通孔并且在所述第一互連結(jié)構(gòu)中的所述襯底通孔之間延伸的連續(xù)結(jié)構(gòu)，所述偽金屬化圖案圍繞所述保護(hù)環(huán)；以及在所述第一襯底上形成第二互連結(jié)構(gòu)，所述第二互連結(jié)構(gòu)位于所述第一襯底的與所述第一互連結(jié)構(gòu)相對(duì)的側(cè)上。

技術(shù)特征：

1.一種半導(dǎo)體器件，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述保護(hù)環(huán)延伸至所述多個(gè)襯底通孔之間。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件，其中，圍繞所述多個(gè)襯底通孔并且在所述多個(gè)襯底通孔之間延伸的所述保護(hù)環(huán)是連續(xù)的保護(hù)環(huán)。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述第一管芯還包括：

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述第一管芯還包括：

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，還包括：

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述偽金屬化圖案在所述多個(gè)襯底通孔之間延伸。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體器件，其中，在所述多個(gè)襯底通孔之間延伸的所述偽金屬化圖案物理連接至圍繞所述多個(gè)襯底通孔的所述保護(hù)環(huán)。

9.一種形成半導(dǎo)體器件的方法，包括：

10.一種形成半導(dǎo)體器件的方法，包括：

技術(shù)總結(jié)
實(shí)施例包括器件，器件包括：第一管芯，包括第一表面和與第一表面相對(duì)的第二表面。第一管芯包括從第一管芯的第二表面暴露的多個(gè)襯底通孔(TSV)。器件也包括圍繞多個(gè)TSV的保護(hù)環(huán)。器件也包括圍繞保護(hù)環(huán)的偽金屬化圖案。器件也包括連接至第一管芯中的有源器件的有源金屬化圖案。本申請(qǐng)的實(shí)施例還涉及半導(dǎo)體器件及其形成方法。

技術(shù)研發(fā)人員：施養(yǎng)鑫,王冠勛,楊芷欣
受保護(hù)的技術(shù)使用者：臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/12/19