本公開涉及太陽能電池鍍膜，尤其涉及一種太陽能電池鍍膜方法和太陽能電池。

背景技術(shù)：

1、管式pecvd鍍膜工藝大體包含進舟、升溫、恒溫、抽真空、檢漏、預沉積、沉積、抽真空、清洗、破真空和出舟。其中，升溫、恒溫的溫度曲線對于鍍膜的鈍化和膜厚均勻性有著重要的影響。

2、由于爐管不同位置溫度分布不均勻，導致鍍膜過程中電池片折射率片間均勻性較差。同時，如圖1所示，當前鍍膜工藝的正、背膜溫度曲線在升溫步將溫度升至設(shè)定溫度后保持平穩(wěn)，得到的鈍化膜的鈍化效果也不佳。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、鑒于上述問題，本公開的實施例提供一種太陽能電池鍍膜方法和太陽能電池。

2、本公開的一個方面提供一種太陽能電池鍍膜方法，包括：在硅基底的背光側(cè)沉積第一鈍化層。采用第一溫度曲線在硅基底的向光側(cè)沉積第一減反層或第二減反層，第一溫度曲線為先升溫至第一溫度，再降溫至第二溫度，在第二溫度條件下沉積向光側(cè)的第一減反層或第二減反層，第一溫度與第二溫度具有特定溫度差。

3、根據(jù)本公開的實施例，在采用第一溫度曲線在硅基底的向光側(cè)沉積第一減反層或第二減反層之后，太陽能電池鍍膜方法還包括：采用第二溫度曲線在背光側(cè)的第一鈍化層上沉積第一減反層，第二溫度曲線為先升溫至第三溫度，再升溫至第四溫度，在第四溫度條件下沉積背光側(cè)的第一減反層，第三溫度與第四溫度具有特定溫度差。

4、根據(jù)本公開的實施例，特定溫度差的范圍為5~10℃。

5、根據(jù)本公開的實施例，第四溫度小于第二溫度，且第四溫度與第二溫度的溫度差范圍為20~100℃。

6、根據(jù)本公開的實施例，在采用第一溫度曲線在硅基底的向光側(cè)沉積第一減反層之前，太陽能電池鍍膜方法還包括：在硅基底的向光側(cè)沉積第一鈍化層。以及在向光側(cè)的第一鈍化層上沉積第一減反層。

7、根據(jù)本公開的實施例，在硅基底的背光側(cè)沉積第一鈍化層之前，太陽能電池鍍膜方法還包括：在硅基底的背光側(cè)沉積第二鈍化層。在第二鈍化層上沉積第一摻雜層。在第一摻雜層上沉積背光側(cè)的第一鈍化層。以及在硅基底的向光側(cè)沉積第一鈍化層之前，太陽能電池鍍膜方法還包括：在硅基底的向光側(cè)制備第二摻雜層。在第二摻雜層上沉積向光側(cè)的第一鈍化層。

8、根據(jù)本公開的實施例，在硅基底的背光側(cè)沉積第一鈍化層之前，太陽能電池鍍膜方法還包括：在硅基底的背光側(cè)沉積第二鈍化層。分別在第二鈍化層上沉積第一摻雜層和第三摻雜層，第三摻雜層與第一摻雜層交替設(shè)置且之間具有電隔離結(jié)構(gòu)。以及在第一摻雜層和第三摻雜層上沉積背光側(cè)的第一鈍化層。

9、根據(jù)本公開的實施例，通過采用第一溫度曲線來沉積減反層，可以使得爐口、爐中和爐尾的沉積溫度更接近，提高了沉積減反層折射率的片間均勻性，提升了膜層質(zhì)量。同時，對背面的鈍化層具有二次退火作用，也提高了鈍化效果。所以至少部分地克服了鍍膜均勻性差和鈍化效果差的技術(shù)問題，進而達到了提升膜層質(zhì)量、提高鈍化效果的技術(shù)效果。

10、本公開的另一個方面提供了一種太陽能電池，包括：硅基底。設(shè)置在硅基底的至少一側(cè)的第一鈍化層。以及設(shè)置在第一鈍化層的遠離硅基底一側(cè)的第一減反層。其中，第一減反層的碳含量小于特定閾值，和/或第一減反層折射率的片間均勻性范圍為3.5~6.5%。

11、根據(jù)本公開的實施例，硅基底的背光側(cè)的第一減反層折射率的片間均勻性大于硅基底的向光側(cè)的第一減反層折射率的片間均勻性。

12、根據(jù)本公開的實施例，硅基底的背光面設(shè)置有第一鈍化層。第一鈍化層遠離硅基底的一側(cè)設(shè)置有第一摻雜層和第三摻雜層，第三摻雜層與第一摻雜層極性相反，交替設(shè)置且之間具有電隔離結(jié)構(gòu)。以及第一摻雜層、第三摻雜層以及電隔離結(jié)構(gòu)遠離硅基底的一側(cè)設(shè)置有第一減反層。其中，與負電性摻雜層區(qū)域相對應的第一減反層的膜厚大于與正電性摻雜區(qū)域相對應的第一減反層的厚度。

13、根據(jù)本公開的實施例，特定閾值為8%。

14、根據(jù)本公開的實施例，控制太陽能電池的第一減反層的含碳量小于特定閾值和折射率的片間均勻性范圍為3.5~6.5%。低碳含量有助于提升鈍化效果，減少載流子復合，提高電池的短路電流密度。同時減反層折射率的片間均勻性提升有利于太陽能電池的電池性能，可以提升太陽能電池片表面的顏色一致性，提高太陽能電池的色系符合率。

技術(shù)特征：

1.一種太陽能電池鍍膜方法，其特征在于，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽能電池鍍膜方法，其特征在于，在采用第一溫度曲線在所述硅基底的向光側(cè)沉積第一減反層或第二減反層之后，所述方法還包括：

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的太陽能電池鍍膜方法，其特征在于，所述特定溫度差的范圍為5~10℃。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的太陽能電池鍍膜方法，其特征在于，所述第四溫度小于所述第二溫度，且所述第四溫度與所述第二溫度的溫度差范圍為20~100℃。

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的太陽能電池鍍膜方法，其特征在于，在采用第一溫度曲線在所述硅基底的向光側(cè)沉積第一減反層之前，所述方法還包括：

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的太陽能電池鍍膜方法，其特征在于，在硅基底的背光側(cè)沉積第一鈍化層之前，所述方法還包括：

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的太陽能電池鍍膜方法，其特征在于，在硅基底的背光側(cè)沉積第一鈍化層之前，所述方法還包括：

8.一種太陽能電池，其特征在于，包括：

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的太陽能電池，其特征在于，所述硅基底的背光側(cè)的第一減反層折射率的片間均勻性大于所述硅基底的向光側(cè)的第一減反層折射率的片間均勻性。

10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的太陽能電池，其特征在于，所述硅基底的背光面設(shè)置有所述第一鈍化層；

11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的太陽能電池，其特征在于，所述特定閾值為8%。

技術(shù)總結(jié)
本公開提供了一種太陽能電池鍍膜方法和太陽能電池，方法包括：在硅基底的背光側(cè)沉積第一鈍化層。采用第一溫度曲線在硅基底的向光側(cè)沉積第一減反層或第二減反層，第一溫度曲線為先升溫至第一溫度，再降溫至第二溫度，在第二溫度條件下沉積向光側(cè)的第一減反層或第二減反層，第一溫度與第二溫度具有特定溫度差。本公開的太陽能電池鍍膜方法通過采用第一溫度曲線來沉積減反層，可以使得爐口、爐中和爐尾的沉積溫度更接近，提高了沉積減反層折射率的片間均勻性，提升了膜層質(zhì)量。同時，對背面的鈍化層具有二次退火作用，也提高了鈍化效果。

技術(shù)研發(fā)人員：馬博文
受保護的技術(shù)使用者：西安隆基樂葉光伏科技有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/12/19