本公開總體上涉及保護(hù)器件領(lǐng)域。更具體地，本公開的實(shí)施例涉及一種超薄可焊接熔斷器。

背景技術(shù)：

1、熔斷器通常用作電路保護(hù)器件，并與待保護(hù)電路中的部件形成電氣連接。一對(duì)導(dǎo)體或端子通常經(jīng)由在端子之間形成橋的可熔元件連接。然而，有些熔斷器會(huì)占用太多空間。

2、因此，需要一種適用于電池保護(hù)的薄熔斷器，其中，仍能保持所需的電氣性能。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、提供本概述是為了以簡(jiǎn)化的形式介紹一些概念，這些概念將在下文的詳細(xì)描述中進(jìn)一步描述。該概述不旨在識(shí)別所要求保護(hù)的主題的關(guān)鍵特征或基本特征，也不旨在幫助確定所要求保護(hù)主題的范圍。

2、在一種方法中，保護(hù)器件可包括基板和在第一端子和第二端子之間延伸的可熔元件，其中，可熔元件、第一端子和第二端子被耦合到基板。保護(hù)器件還可以包括形成在可熔元件上的覆蓋部，其中，可熔元件被定位在覆蓋部和基板之間。

3、在另一種方法中，形成保護(hù)器件的方法可包括將可熔元件耦合到基板，其中，可熔元件在第一端子和第二端子之間延伸，并在可熔元件上形成覆蓋部，其中，可熔元件被定位在覆蓋部和基板之間。

技術(shù)特征：

1.一種保護(hù)器件，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的保護(hù)器件，其中，所述覆蓋部部分地形成在所述第一端子和所述第二端子上。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的保護(hù)器件，其中，所述覆蓋部是液態(tài)光成像掩模、硅樹脂掩?；蚓酆衔镅谀?。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的保護(hù)器件，其中，所述基板是聚酰亞胺基板。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的保護(hù)器件，還包括將所述覆蓋部、所述基板和所述可熔元件耦合在一起的多個(gè)緊固件。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的保護(hù)器件，還包括在所述第一端子和所述第二端子上形成的鍍層。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的保護(hù)器件，還包括形成在所述可熔元件上的錫層。

8.一種形成保護(hù)器件的方法，包括：

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，還包括在所述第一端子和所述第二端子上部分地形成所述覆蓋部。

10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中，所述覆蓋部是液態(tài)光成像掩模。

11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中，所述基板是聚酰亞胺基板。

12.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，還包括使用多個(gè)緊固件將所述覆蓋部、所述基板和所述可熔元件耦合在一起。

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中，所述多個(gè)緊固件是鉚釘。

14.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，還包括在所述第一端子和所述第二端子上形成鍍層。

15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其中，通過將所述第一端子和所述第二端子浸入錫中來形成所述鍍層。

16.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，還包括部分地移除所述覆蓋部以暴露所述第一端子和所述第二端子。

17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其中，使用激光剝離工藝移除所述覆蓋部。

技術(shù)總結(jié)
本申請(qǐng)公開了超薄可焊接熔斷器。公開了各種保護(hù)器件和相關(guān)方法。在一些實(shí)施例中，保護(hù)器件可以包括基板和在第一端子和第二端子之間延伸的可熔元件，其中，可熔元件、第一端子和第二端子被耦合到基板。保護(hù)器件還可以包括形成在可熔元件上的覆蓋部，其中，可熔元件被定位在覆蓋部和基板之間。

技術(shù)研發(fā)人員：瑪利亞·莉莉·埃斯佩尼拉·羅西奧斯,維爾納·約勒,艾伯特·V·恩里克斯,阿內(nèi)爾·阿利布約格·拉莫斯
受保護(hù)的技術(shù)使用者：力特保險(xiǎn)絲公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/12/23