本公開涉及半導(dǎo)體封裝，并且具體地涉及包括填充層的半導(dǎo)體封裝。

背景技術(shù)：

1、半導(dǎo)體封裝被配置為容易地使用集成電路芯片作為電子產(chǎn)品的一部分。通常，半導(dǎo)體封裝包括印刷電路板(pcb)和半導(dǎo)體芯片，半導(dǎo)體芯片安裝在pcb上并且通過使用接合線或凸塊電連接到pcb。隨著半導(dǎo)體工業(yè)的發(fā)展，正在進(jìn)行許多研究來提高半導(dǎo)體封裝的可靠性。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例提供了一種具有提高的電特性和可靠性特性的半導(dǎo)體封裝。

2、根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例，一種半導(dǎo)體封裝可以包括：基底半導(dǎo)體芯片；連接半導(dǎo)體芯片，在基底半導(dǎo)體芯片上；上半導(dǎo)體芯片，在連接半導(dǎo)體芯片上，其中，上半導(dǎo)體芯片包括溝槽；填充層，在溝槽中；以及模制層，圍繞上半導(dǎo)體芯片延伸。

3、根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例，半導(dǎo)體封裝可以包括：基底半導(dǎo)體芯片；連接半導(dǎo)體芯片，在基底半導(dǎo)體芯片上；上半導(dǎo)體芯片，在連接半導(dǎo)體芯片上；填充層，在上半導(dǎo)體芯片中；以及模制層，圍繞上半導(dǎo)體芯片延伸。上半導(dǎo)體芯片可以包括與填充層接觸的內(nèi)側(cè)表面和與模制層接觸的外側(cè)表面。

4、根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例，一種半導(dǎo)體封裝可以包括：基底半導(dǎo)體芯片；端子，連接到基底半導(dǎo)體芯片；連接半導(dǎo)體芯片，在基底半導(dǎo)體芯片上；上半導(dǎo)體芯片，在連接半導(dǎo)體芯片上；填充層，在上半導(dǎo)體芯片中；以及模制層，圍繞連接半導(dǎo)體芯片和上半導(dǎo)體芯片延伸。上半導(dǎo)體芯片可以包括與連接半導(dǎo)體芯片接觸的下焊盤、電連接到下焊盤的互連結(jié)構(gòu)、以及在互連結(jié)構(gòu)上的上襯底。上襯底可以包括下部和多個(gè)上部，并且上襯底的多個(gè)上部可以通過填充層彼此間隔開。

5、根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例，一種制造半導(dǎo)體封裝的方法可以包括：形成基底半導(dǎo)體芯片；在基底半導(dǎo)體芯片上形成連接半導(dǎo)體芯片；在上半導(dǎo)體芯片中形成溝槽；以及將上半導(dǎo)體芯片接合到連接半導(dǎo)體芯片。

技術(shù)特征：

1.一種半導(dǎo)體封裝，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝，其中，所述溝槽在所述上半導(dǎo)體芯片的上部中。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝，其中，所述上半導(dǎo)體芯片包括：

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體封裝，其中，所述上襯底包括上部和下部，其中，所述溝槽的側(cè)表面在所述上部中，并且所述溝槽的底表面是所述下部的頂表面。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體封裝，其中，所述上襯底的所述上部包括平坦側(cè)表面和彎曲側(cè)表面。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝，其中，所述填充層和所述模制層彼此連接而其間沒有任何界面，從而形成單體結(jié)構(gòu)。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝，其中，所述填充層包括平坦側(cè)表面和彎曲側(cè)表面。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝，其中，所述填充層與所述模制層間隔開。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝，其中，所述填充層的頂表面、所述上半導(dǎo)體芯片的頂表面和所述模制層的頂表面是共面的。

10.一種半導(dǎo)體封裝，包括：

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體封裝，其中，所述填充層被所述模制層圍繞。

12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體封裝，其中，所述上半導(dǎo)體芯片包括與所述填充層的底表面接觸的下部和在所述上半導(dǎo)體芯片的所述下部上的上部，

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體封裝，其中，所述上半導(dǎo)體芯片的所述上部包括與所述模制層接觸的最外部和被所述最外部圍繞的內(nèi)部，

14.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體封裝，其中，所述填充層包括沿第一方向延伸的多個(gè)第一筆直部分和沿與所述第一方向橫切的第二方向延伸的多個(gè)第二筆直部分。

15.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體封裝，其中，所述上半導(dǎo)體芯片的所述內(nèi)側(cè)表面是彎曲的，并且

16.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體封裝，其中，所述模制層和所述填充層包括相同的材料。

17.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體封裝，其中，所述模制層和所述填充層包括各自不同的材料。

18.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體封裝，其中，所述上半導(dǎo)體芯片的高度大于所述連接半導(dǎo)體芯片的高度。

19.一種半導(dǎo)體封裝，包括：

20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的半導(dǎo)體封裝，其中，所述上襯底的所述下部的頂表面與所述填充層的底表面接觸，并且

技術(shù)總結(jié)
半導(dǎo)體封裝可以包括：基底半導(dǎo)體芯片；連接半導(dǎo)體芯片，在基底半導(dǎo)體芯片上；上半導(dǎo)體芯片，在連接半導(dǎo)體芯片上；填充層，在上半導(dǎo)體芯片中的溝槽中；以及模制層，圍繞上半導(dǎo)體芯片延伸。

技術(shù)研發(fā)人員：徐永官
受保護(hù)的技術(shù)使用者：三星電子株式會(huì)社
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/12/19