本公開總體上涉及基于半導(dǎo)體材料制造微電子部件的方法。更具體地，其旨在涉及一種將半導(dǎo)體層從源基體轉(zhuǎn)移到目標(biāo)基體的方法。

背景技術(shù)：

1、在微電子部件制造方法中，層的轉(zhuǎn)移目前用于將高晶體質(zhì)量的相對(duì)薄的半導(dǎo)體層轉(zhuǎn)移到較低晶體質(zhì)量或由較便宜的材料制成的較厚目標(biāo)基體上。

2、在轉(zhuǎn)移之后，被轉(zhuǎn)移的層可以用作外延步驟的基底。然后可以在外延層內(nèi)部和其頂部上形成微電子部件。

3、期望至少部分地克服用于將半導(dǎo)體層從源基體轉(zhuǎn)移到目標(biāo)基體的已知方法的某些缺點(diǎn)。

4、本文更特別地考慮了轉(zhuǎn)移層的邊緣的質(zhì)量的提高。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、一個(gè)實(shí)施例提供了一種將層從源基體轉(zhuǎn)移到目標(biāo)基體的方法，該方法包括以下步驟：

2、a)在所述層和/或目標(biāo)基體的鍵合表面的中心部分上布置掩蔽盤；

3、b)實(shí)施離子蝕刻，以在所述層和/或目標(biāo)基體的鍵合表面的未被掩蔽盤覆蓋的外圍部分的前部形成臺(tái)階；

4、c)移除掩蔽盤；

5、d)通過鍵合材料的離子蝕刻或離子沉積，使所述層的鍵合表面和目標(biāo)基體的鍵合表面活化；并且

6、e)在步驟d)之后，將所述層的鍵合表面放置成與目標(biāo)基體的鍵合表面接觸，其中，步驟b)和d)在同一離子處理室中依次實(shí)施；并且

7、其中，步驟d)和e)在真空下實(shí)施，在兩個(gè)步驟之間沒有破壞真空。

8、根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，目標(biāo)基體和/或源基體跨越第一寬度具有錐形邊緣。

9、根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，在步驟b)之后，臺(tái)階從所述層的邊緣和/或從目標(biāo)基體的邊緣延伸跨越大于或等于第一寬度的寬度。

10、根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，盤的直徑小于源基體的直徑和/或小于目標(biāo)基體的直徑。

11、根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，該方法包括在步驟e)之后移除源基體的步驟f)。

12、根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，步驟f)包括退火步驟，該退火步驟導(dǎo)致在步驟e)結(jié)束時(shí)獲得的組件在將所述層與源基體分開的植入掩埋層的平面中斷裂。

13、根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，所述層是半導(dǎo)體層。

14、根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，該方法包括在步驟f)之后在所述層的與目標(biāo)基體相對(duì)的表面的頂部上外延并與之接觸外延的步驟。

15、根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，在步驟b)之后，臺(tái)階從所述層的鍵合表面和/或目標(biāo)基體的鍵合表面向下延伸到大于700nm的深度。

16、根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，步驟d)包括在所述層的鍵合表面和/或目標(biāo)基體的表面上沉積鍵合層。

17、根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，鍵合層的厚度在0.2nm至100nm的范圍內(nèi)，例如在1nm至20nm的范圍內(nèi)。

技術(shù)特征：

1.一種將層(15)從源基體(13)轉(zhuǎn)移到目標(biāo)基體(17)的方法，所述方法包括以下步驟：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述目標(biāo)基體(17)和/或所述源基體(13)具有跨越第一寬度的錐形邊緣。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中，在步驟b)之后，所述臺(tái)階(29，30)從所述層(15)的邊緣和/或從所述目標(biāo)基體(17)的邊緣延伸跨越大于或等于所述第一寬度的寬度。

4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的方法，其中，所述盤(31，33)的直徑小于所述源基體(13)的直徑和/或小于所述目標(biāo)基體(17)的直徑。

5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的方法，其包括在步驟e)之后移除所述源基體(13)的步驟f)。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其中，步驟f)包括退火步驟，所述退火步驟使得在步驟e)結(jié)束時(shí)獲得的組件在將所述層(15)與所述源基體(13)分開的植入掩埋層的平面中斷裂。

7.根據(jù)權(quán)利要求1至6中任一項(xiàng)所述的方法，其中，所述層(15)是半導(dǎo)體層。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其包括在步驟f)之后在所述層(15)的與所述目標(biāo)基體(17)相對(duì)的表面的頂部上并與之接觸地外延的步驟。

9.根據(jù)權(quán)利要求1至8中任一項(xiàng)所述的方法，其中，在步驟b)之后，所述臺(tái)階(31，33)從所述層(15)的鍵合表面和/或所述目標(biāo)基體(17)的鍵合表面向下延伸至大于700nm的深度。

10.根據(jù)權(quán)利要求1至9中任一項(xiàng)所述的方法，其中，步驟d)包括將鍵合層(27)沉積到所述層(15)的鍵合表面上和/或沉積到所述目標(biāo)基體(17)的鍵合表面上。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中，所述鍵合層(27)的厚度在0.2nm至100nm的范圍內(nèi)，例如在1nm至20nm的范圍內(nèi)。

技術(shù)總結(jié)
本說明書涉及一種將層(15)從源基體(13)轉(zhuǎn)移到目標(biāo)基體(17)的方法，其包括以下步驟：a)在所述層的鍵合表面的中心部分和/或目標(biāo)基體(17)的鍵合表面的中心部分上布置掩蔽盤；b)實(shí)施離子蝕刻，以與所述層(15)的鍵合表面和/或目標(biāo)基體(17)的鍵合表面的未被掩蔽盤覆蓋的外圍部分相對(duì)地形成臺(tái)階(29，30)；c)移除掩蔽盤；d)使所述層的鍵合表面和目標(biāo)基體(17)的鍵合表面活化；并且e)將所述層的鍵合表面與目標(biāo)基體(17)的鍵合表面接觸。

技術(shù)研發(fā)人員：朱莉·威迪茲,弗蘭克·福內(nèi)爾
受保護(hù)的技術(shù)使用者：原子能與替代能源委員會(huì)
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/12/19